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上约有 210 项符合NAND的查询结果, 以下是第 1 - 15 项。 (搜索用时 0.453 秒)
英特尔与意法半导体公司(STMicroelectronics NV)的合资子公司本周四宣布推出用于从手机、USB设备到数码相机和MP3播放器等消费电子产品的NAND闪存产品线。新产品采用了Numonyx最新的41纳米制程工艺,其中包括用于固态盘驱动器、USB设备以及闪存…
http://www.sichinamag.comhttp://article.sichinamag.com/2008-12/20081222112302.htm -- 2008-12-22 0:00:00
据国外媒体报道,日本最大芯片厂商东芝今天宣布,由于需求疲软,从明年1月起,该公司将把NAND闪存芯片产量减少30%。 东芝称,在减产前,该公司还将关闭位于四日市的一家芯片工厂的生产线。从12月31日起,两条300毫米晶圆生产线将停产13天,两…
http://www.sichinamag.comhttp://article.sichinamag.com/2008-12/20081216022440.htm -- 2008-12-16 0:00:00
美光科技有限公司(Micron Technology, Inc.)今天推出了一项串行NAND闪存技术,使嵌入式应用产品能够灵活方便地升级存储容量。美光串行NAND闪存的最低芯片密度为1Gb,这样一来,客户就能够轻松地在串行NOR闪存现有存储能力之外,以高性价比扩…
http://www.sichinamag.comhttp://article.sichinamag.com/2008-12/20081210014715.htm -- 2008-12-10 0:00:00
  侧壁间隔层转印图形化技术(sidewall spacer transfer patterning techniques),也可称为频率加倍、节距降低、间隔层掩膜图形化或者SADP,正更多地为NAND闪存制造商所采纳。本文描述了这一技术对应的通用工艺流程,并展示了这一技术的加工能力。   …
http://www.sichinamag.comhttp://article.sichinamag.com/2008-11/20081129021837.htm -- 2008-12-31 0:00:00
Intel和美光今天宣布,双方联合研发的34nm工艺NAND闪存芯片已经投入量产,这也是业界第一款40nm工艺以下的NAND闪存产品。这种MLC多层型NAND闪存芯片由Intel、美光联合投资的IM Flash Technologies生产,切割自300毫米晶圆,核心面积172平方毫米…
http://www.sichinamag.comhttp://article.sichinamag.com/2008-11/20081125114058.htm -- 2008-11-25 0:00:00
受全球金融风暴重击,NAND型快闪存储器(Flash)买气陷入长期停滞期,然屋漏偏逢连夜雨,继新帝(SanDisk)祭出专利诉讼,近期飞索半导体(Spansion)亦控告三星电子(Samsung Electronics)所生产NAND Flash芯片侵权,并将苹果(Apple)、华硕、金士顿(Kingston)、…
http://www.sichinamag.comhttp://article.sichinamag.com/2008-11/20081119025913.htm -- 2008-11-19 0:00:00
市场研究公司iSuppli在日前发布的预测中指出,全球NAND flash市场收入在上世纪末和本世纪初曾获得超过100%速度的增长,然而2008年,预计NAND flash市场收入将减少14%,2009年继续减少15%。 预测报告显示,2008年NAND flash收入将从2007年的139亿…
http://www.sichinamag.comhttp://article.sichinamag.com/2008-11/2008116111606.htm -- 2008-11-6 0:00:00
东芝宣布推出43nm单层存储单元(SLC)的NAND闪存,产品容量从512Mb到64Gb,共有16个系列。新产品包括16Gb、32Gb和64Gb三种,结合采用43nm制程技术的单16Gb芯片,这是市场上最高密度的芯片。新产品将从2009年第1季度开始逐步进入市场。 SLC…
http://www.sichinamag.comhttp://article.sichinamag.com/2008-11/2008116110615.htm -- 2008-11-6 0:00:00
据日经BP社报道,日前东芝宣布,将投产基于多值(Multi-level Cell)NAND闪存的256GB SSD(Solid State Drive)“THNS256GE8BC”。主要用于笔记本电脑等。该产品已于2008年9月开始样品供货,计划于08年10~12月开始量产。   此次投产的是2.5英寸产品。…
http://www.sichinamag.comhttp://article.sichinamag.com/2008-10/2008107115321.htm -- 2008-10-7 0:00:00
根据市场研究机构Gartner的调查,DRAM和NAND快闪内存现货价格再度下跌。在九月底的某一周,所有密度和制程技术的DRAM的平均现货价格比前一周下滑了3.8%,相当于1GB的价格是1.66美元。 但这还不是最坏的消息;Gartner表示,目前DRAM平均价格…
http://www.sichinamag.comhttp://article.sichinamag.com/2008-10/2008103011031.htm -- 2008-10-3 0:00:00
不久前,Novellus System的CEO Rick Hill拜访了韩国海力士半导体的M11 fab,他惊讶于该fab的巨大规模,同时也很满意地得知八十亿美元的设备采购预算。在未来几年内,将会兴建几个生产规模达到每月150,000~200,000片晶圆(wspm)的fab,主要针对NAND型…
http://www.sichinamag.comhttp://article.sichinamag.com/2008-09/2008929081340.htm -- 2008-10-1 0:00:00
纯闪存解决方案供应商Spansion日前公布了即将推出的MirrorBit ORNAND2产品系列的生产计划,该系列产品的写入速度可提高25%,读取速度最高可提升一倍,其裸片尺寸也比目前的浮动门NAND闪存显著减小。Spansion计划通过MirrorBit ORNAND2系列产品进…
http://www.sichinamag.comhttp://article.sichinamag.com/2008-09/2008926111401.htm -- 2008-9-26 0:00:00
据日经BP社报道,东芝下调了2008财年(08年4月~09年3月)的业绩预测。半导体业务低迷导致上半财年营业亏损300亿日元。预计全财年合并销售额比上财年增长0.4%,为7万亿7000亿日元,营业利润比上财年减少37.0%,为1500亿日元。与08年4月公布的…
http://www.sichinamag.comhttp://article.sichinamag.com/2008-09/2008923014933.htm -- 2008-9-23 0:00:00
全球最大的纯闪存解决方案供应商Spansion今日宣布扩大与中芯国际 (SMIC) 目前的合作协议,在生产65nm MirrorBit NOR产品的基础上,增加基于300mm晶圆的43nm Spansion(r)MirrorBit(r) ORNAND2闪存产品。借助中芯国际世界级的专业制造专长,Spansion将为其…
http://www.sichinamag.comhttp://article.sichinamag.com/2008-09/2008922035035.htm -- 2008-9-22 0:00:00
市场研究机构Gartner分析师Bryan Lewis表示,2008年的NAND闪存市场原本已经朝着成长趋势前行,但现在却出现了10%的下滑。Lewis表示,虽然有多数半导体类别市场仍成长强劲,但NAND闪存市场却在过去的两个月内呈现“崩溃”现象。 考虑到宏观经济因素…
http://www.sichinamag.comhttp://article.sichinamag.com/2008-09/200899025900.htm -- 2008-9-9 0:00:00
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