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据DigiTimes报道，为因应NAND Flash产业景气寒冬，以及进入传统淡季后价格进一步重挫，日系大厂东芝(Toshiba)计划在2009年第1季前，将制程技术全数转进43纳米，现有56纳米制程将逐步退役，届时东芝将是全球NAND Flash制造商成本结构最低者，为2009…
http://www.sichinamag.comhttp://article.sichinamag.com/2008-09/2008925105211.htm -- 2008-9-25 0:00:00
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Spansion公司已经扩大了与中芯国际(Semiconductor Manufacturing International Corp.)的代工范围，新添了43纳米的生产。 作为计划的一部分，NOR型闪存的供应商Spansion公司将现有的与中芯国际达成的65纳米代工协议扩展到在300毫米晶圆上进行43纳米的MirrorBit …
http://www.sichinamag.comhttp://article.sichinamag.com/2008-08/2008825095819.htm -- 2008-8-25 0:00:00
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东京东芝株式会社为了巩固其在功能强大、高密度NAND闪存开发和制造领域的领先地位，于今日宣布成功开发出专用于16Gb NAND闪存芯片的技术，这款闪存采用43纳米工艺技术制造，这种技术是与美国加利福尼亚州米尔皮塔斯市的SanDisk公司共同开发的…
http://www.sichinamag.comhttp://article.sichinamag.com/2008-02/2008219105237.htm -- 2008-2-19 0:00:00
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尽管EUV(超紫外光)、纳米压印等下一代光刻技术的呼声日益增强，东芝(Toshiba Corp.)仍然计划在43纳米NAND闪存生产线上采用光微影(optical lithography)技术。 东芝表示，公司准备在43纳米NAND闪存生产线上使用尼康(Nikon Corp.)的193纳米沉浸式步进扫描光…
http://www.sichinamag.comhttp://article.sichinamag.com/2007-10/20071024113240.htm -- 2007-10-24 0:00:00
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尽管EUV（超紫外光）、纳米压印等下一代光刻技术的呼声日益增强，Toshiba Corp.仍然计划在43纳米NAND闪存生产线上采用光微影（optical lithography）技术。 Toshiba表示，公司准备在43纳米NAND闪存生产线上使用Nikon Corp.的193纳米沉浸式步进扫描光刻…
http://www.sichinamag.comhttp://article.sichinamag.com/2007-10/20071023035213.htm -- 2007-10-23 0:00:00
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据报导，日商东芝今年准备采用更先进的制程技术，进行NAND快闪记忆体的量产工作，其生产成本将比公司目前体积最小的晶片降低 40%。 日经未引述消息来源报导表示，东芝计划在位于三重县境内的第 4分厂展开43纳米制程，生产晶片数量将高于现有的56…
http://www.sichinamag.comhttp://article.sichinamag.com/2007-04/2007423115208.htm -- 2007-4-23 0:00:00
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