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两天的先进光刻技术学术报告后，在Sematech Litho Forum (Bolton Landing, N.Y.)举行的小组讨论会上，与会的专家们针对包括极紫外光刻技术（EUV）、双重成像技术、高折射率浸没式光刻技术、纳米压印技术以及无掩膜版电子束成像技术在内的各种可能的图形…
http://www.sichinamag.comhttp://article.sichinamag.com/2008-08/200887114430.htm -- 2008-8-12 0:00:00
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IMEC联合JSR通过一次刻蚀步骤简化工艺流程，缩减了双重图形（DP）光刻技术的成本。DP被认为是32nm节点光刻最主要的候选方案，但两次曝光/刻蚀显得异常昂贵且低速。IMEC通过消除中间刻蚀步骤，降低用户拥有成本。消除额外的刻蚀步骤通过…
http://www.sichinamag.comhttp://article.sichinamag.com/2008-08/200887112355.htm -- 2008-8-11 0:00:00
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两天的先进光刻技术学术报告后，在Sematech Litho Forum (Bolton Landing, N.Y.)举行的小组讨论会上，与会的专家们针对包括极紫外光刻技术（EUV）、双重成像技术、高折射率浸没式光刻技术、纳米压印技术以及无掩膜版电子束成像技术在内的各种可能的图形…
http://www.sichinamag.comhttp://article.sichinamag.com/2008-08/200887055911.htm -- 2008-8-7 0:00:00
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来自麻省理工学院(MIT)的研究人员们近日找到了通向25nm半导体工艺的路子，而且使用的仍是现在最常用的193nm深紫外(DUV)光刻技术。这也就是说，半导体厂商可以不必急于上马更昂贵、更复杂的13.5nm远紫外(EUV)光刻技术了。DUV光刻技术从1995年…
http://www.sichinamag.comhttp://article.sichinamag.com/2008-07/2008716071115.htm -- 2008-7-16 0:00:00
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美国加州大学研究人员9日表示，他们在与西盟公司合作为下一代极紫外光刻（EUVL）开发激光光源的研究中发现，利用二氧化碳激光器系统可以获得极紫外光刻所需的极紫外光。他们相信，这项突破性发现有望帮助半导体工业寻找到在芯片上存储更多信息…
http://www.sichinamag.comhttp://article.sichinamag.com/2008-07/2008711104050.htm -- 2008-7-11 0:00:00
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全球材料、应用技术及服务综合供应商美国道康宁公司电子部（Dow Corning Electronics）的硅晶片光刻解决方案事业部今日宣布正式开始供应Dow Corning® XR-1541电子束光刻胶，该产品是专为实现下一代、直写光刻工艺技术开发所设计。这一新型先进的旋…
http://www.sichinamag.comhttp://article.sichinamag.com/2008-06/2008630102459.htm -- 2008-6-30 0:00:00
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在成功的进行了90nm应用后，e-Shuttle公司日前交付了采用电子束直写 (EBDW)光刻技术的65nm CMOS逻辑电路原型。该公司表示，这是EBDW技术第一次在复杂逻辑芯片制造领域的全面（full-scale）应用。日本富士通和Advantest公司于2006年底建立了e-Shuttle…
http://www.sichinamag.comhttp://article.sichinamag.com/2008-05/200859125608.htm -- 2008-5-9 0:00:00
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To improve printing resolution and repeatability in semiconductor manufacturing, Munich, Germany-based semiconductor test technology supplier Suss MicroTec has entered a license agreement for Eindhoven, Netherlands-based Philips Research’s substrate conformal imprint lithography (SCIL) technology that will be added t…
http://www.sichinamag.comhttp://article.sichinamag.com/2008-04/2008430032834.htm -- 2008-4-30 0:00:00
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Sematech正计划于5月12－14日召开为期三天的光刻论坛，讨论32nm向22nm转变时该选择何种技术。Sematech表示，这次会议旨在汇集业界的观点，并希望能在下一代光刻技术方面达成一致。该会议将对外开放，预定在Lake George,New York举行。Sematech指出…
http://www.sichinamag.comhttp://article.sichinamag.com/2008-04/200841043407.htm -- 2008-4-1 0:00:00
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《半导体国际》第三届光刻技术研讨会10月25日成功举行。应用材料、Entegris（英特格）、特许半导体、苏州华飞微电子材料公司、中芯国际、ASML等公司的演讲人从不同角度给与会者带来了光刻领域最新的发展趋势和实际生产运用过程中的解决方案…
http://www.sichinamag.comhttp://article.sichinamag.com/2007-12/20071215111528.htm -- 2007-12-18 0:00:00
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http://www.sichinamag.comhttp://www.sichinamag.com/campaign/Lithography_third/index.htm -- 2007-11-14 0:00:00
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光刻技术的发展趋势Lithography TrendOliver Li,Senior Technical Manager,Logic Technology Development Center Litho Department,SMIC 李庆钢，目前在中芯国际研发中心任职，负责130nm/90nm/65nm逻辑光刻工艺的研发，评估、验证、释放了中国大陆第一台193nm ArF的扫描…
http://www.sichinamag.comhttp://article.sichinamag.com/2007-11/20071113024525.htm -- 2007-11-13 0:00:00
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10月25号，《半导体国际》第三届光刻技术研讨会于上海圆满结束；伴随着研讨会，我们的专家委员会成员也进行了新一届的更新，更新如下。 《半导体国际》光刻技术专家委员会成员介绍: 伍强， ASML公司设备应用部经理。曾经担任上海华虹NEC电子有限…
http://www.sichinamag.comhttp://article.sichinamag.com/2007-11/20071112063859.htm -- 2007-11-12 0:00:00
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光刻技术的发展趋势Lithography TrendOliver Li,Senior Technical Manager,Logic Technology Development Center Litho Department,SMIC 李庆钢，目前在中芯国际研发中心任职，负责130nm/90nm/65nm逻辑光刻工艺的研发，评估、验证、释放了中国大陆第一台193nm ArF的扫描…
http://www.sichinamag.comhttp://article.sichinamag.com/2007-11/2007119062731.htm -- 2007-11-9 0:00:00
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尽管EUV（超紫外光）、纳米压印等下一代光刻技术的呼声日益增强，Toshiba Corp.仍然计划在43纳米NAND闪存生产线上采用光微影（optical lithography）技术。 Toshiba表示，公司准备在43纳米NAND闪存生产线上使用Nikon Corp.的193纳米沉浸式步进扫描光刻…
http://www.sichinamag.comhttp://article.sichinamag.com/2007-10/20071023035213.htm -- 2007-10-23 0:00:00
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