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日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布推出采用2020 封装尺寸的新型 IHLP® 超薄大电流电感器 --- IHLP-2020BZ-11。这款小型器件 IHLP-2020BZ-11 具有 2.0mm 超薄厚度、广泛的电感范围和较低的 DCR。凭借高达1 MHz 的频率范围，新型 IHLP 电感器成为面向终端产…
http://www.sichinamag.comhttp://article.sichinamag.com/2008-12/20081223030514.htm -- 2008-12-23 0:00:00
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日前，Vishay Intertechnology, Inc.日前宣布推出新型 20-V 和 30-V p-通道 TrenchFET® 功率 MOSFET --- Si7633DP和Si7135DP。这次推出的器件采用 SO-8 封装，具有 ±20-V 栅源极电压以及业内最低的导通电阻。现有的同类 SO-8 封装器件额定电压下导通电阻仅低至 24 …
http://www.sichinamag.comhttp://article.sichinamag.com/2008-12/20081223024813.htm -- 2008-12-23 0:00:00
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日前，Vishay Intertechnology, Inc.推出 940nm 表面贴装红外 (IR) 发射器系列--- VSMB1940X01、VSMB3940X01、VSMB2020X01、VSMB2000X01。该系列器件的面世，进一步拓展了Vishay光电子产品系列。而更重要的是，这些新推出的器件具有远高于标准发射器技…
http://www.sichinamag.comhttp://article.sichinamag.com/2008-12/20081219021427.htm -- 2008-12-19 0:00:00
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日前，Vishay Intertechnology, Inc.推出业界首个采用 CLCC-2 扁平陶瓷封装且基于蓝宝石 InGaN/TAG 技术的高强度白光功率 SMD LED 系列 --- VLMW84…。该系列器件可降低高容量应用的成本，它们具有 25K/W 的低热阻以及 5600mcd～14000mcd 的高光功率。凭借 0.75…
http://www.sichinamag.comhttp://article.sichinamag.com/2008-12/20081219115645.htm -- 2008-12-19 0:00:00
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日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布推出采用 2020 封装尺寸的新型 IHLP® 薄型、髙电流电感器 --- IHLP-2020CZ-11。这款小型 IHLP-2020CZ-11 器件具有 3.0mm 的超薄厚度、宽泛的电感范围及低 DCR。凭借最高 1 MHz 的频率范围，该新型IHLP® 电感器成为面向…
http://www.sichinamag.comhttp://article.sichinamag.com/2008-12/20081217054905.htm -- 2008-12-17 0:00:00
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Vishay Intertechnology, Inc.目前在其网站上提供了计算 IHLP® 电感器开关损失的免费工具，这种易于使用的开关损失计算器可针对各个单独应用进行定制，从而使设计人员能够选择正确的部件以优化板设计，同时加速产品上市时间。该开关损失计算器可用于…
http://www.sichinamag.comhttp://article.sichinamag.com/2008-12/20081216055401.htm -- 2008-12-16 0:00:00
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日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布推出新系列径向铝电容器--- EKX系列器件，这些器件可实现 +105°C 的高温运行，且具有低阻抗值以及高电容值及纹波电流。Vishay的EKX 器件采用 14 种封装尺寸，从 5 mm×11 mm，直至较大的 18 mm×40 mm。为实现更高的性能及…
http://www.sichinamag.comhttp://article.sichinamag.com/2008-12/2008125101421.htm -- 2008-12-5 0:00:00
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日前，Vishay Intertechnology, Inc.推出两款 20V 和两款 30V n 通道器件，从而扩展其第三代 TrenchFET® 功率 MOSFET 系列。这些器件首次采用 TurboFET™ 技术，利用新电荷平衡漏结构将栅极电荷降低多达 45%，从而大幅降低切换损耗及提高切换速度。 这次…
http://www.sichinamag.comhttp://article.sichinamag.com/2008-12/2008125093646.htm -- 2008-12-5 0:00:00
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日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布推出新型超薄 ESD 保护阵列 --- VBUS053AZ-HAF，该器件具有低电容和低漏电流，可保护 USB-OTG 端口免受瞬态电压信号损坏。新器件在工作电压为 5.5V 时提供三线 USB ESD 保护，在工作电压为 12V 时提供单线 VBUS 保护。 VB…
http://www.sichinamag.comhttp://article.sichinamag.com/2008-11/20081119103448.htm -- 2008-11-19 0:00:00
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日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布推出新系列表面贴装铝电容器，这些器件可实现 +105°C 的高温运行，具有低阻抗值以及高电容值及纹波电流。新型 ECL 系列极化铝电解电容器可在高密度 PCB 上实现表面贴装，这些器件具有非故态、自修复的电解质。为实现…
http://www.sichinamag.comhttp://article.sichinamag.com/2008-11/2008115022209.htm -- 2008-11-5 0:00:00
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日前，Vishay Intertechnology, Inc.推出一款新型 25V n 通道器件 --- SiR476DP，从而扩展了其 Gen III TrenchFET® 功率 MOSFET 系列，对于采用 PowerPAK® SO-8 封装类型且具有该额定电压的器件而言，该器件具有业界最低的导通电阻以及导通电阻与栅极电荷之乘…
http://www.sichinamag.comhttp://article.sichinamag.com/2008-10/20081029061334.htm -- 2008-10-29 0:00:00
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日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布推出一款新型高性能三输出降压控制器 IC --- SiP12203，该器件可在机顶盒、基站、墙壁适配器、消费类电子设备及网络中间总线直流输入电源中实现高效的电源转换。在 DSP、ASIC 及 FPGA 电源以及双电源微处理器及 DSP 内…
http://www.sichinamag.comhttp://article.sichinamag.com/2008-10/20081017060507.htm -- 2008-10-17 0:00:00
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日前，Vishay Intertechnology, Inc.推出新型 SiP21110 250-mA LDO 稳压器，从而扩展了其 LDO 产品系列。该低成本器件采用可节省空间的超薄 SOT23-5L 封装，可在 1mA 负载时提供 35µA 的低典型接地电流，真正实现了延长便携电子设备中电池的工作时间的目标…
http://www.sichinamag.comhttp://article.sichinamag.com/2008-10/2008108042618.htm -- 2008-10-8 0:00:00
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Vishay Intertechnology, Inc. 日前宣布，推出业内首款采用具有顶底散热通路的封装的30V单片功率MOSFET和肖特基二极管 --- SkyFET® SiE726DF，该器件可在具有强迫通风冷却功能的系统中高效能的运作。新型SkyFET® SiE726DF器件采用具有双面冷却功能…
http://www.sichinamag.comhttp://article.sichinamag.com/2008-09/2008928113641.htm -- 2008-9-28 0:00:00
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Vishay Intertechnology, Inc.日前宣布，其 HVArc Guard® 表面贴装 X7R 多层陶瓷芯片电容器 (MLCC) 现可提供可选聚合体端子。该器件专为耐受较高机械应用而设计，旨在减少机械破碎相关的电容器故障。凭借可选聚合体端子，VJ0805、VJ1206、VJ1210、VJ1808 …
http://www.sichinamag.comhttp://article.sichinamag.com/2008-09/2008924031824.htm -- 2008-9-24 0:00:00
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