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富士通微电子（上海）有限公司近日宣布，富士通实验室和富士通株式会社联合开发出一款具有高击穿电压并基于逻辑(1)制程的CMOS高压晶体管，该晶体管适用于无线设备的功率放大器。作为先进科技的先驱，富士通开发完成了世界上第一代基于45纳米工…
http://www.sichinamag.comhttp://article.sichinamag.com/2008-12/20081229021513.htm -- 2008-12-29 0:00:00
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日前美芯晟科技（北京）有限公司（Maxic Technology Corporation）宣布推出新型2.7W无滤波单通道D类音频功率放大器 --- MT6802。该器件具有高输出功率、高电源抑制比、低失真等特点，主要应用于移动电话、无绳电话、MP3/MP4、数码相机和GPS中。MT68…
http://www.sichinamag.comhttp://article.sichinamag.com/2008-12/20081223033407.htm -- 2008-12-23 0:00:00
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日前，Vishay Intertechnology, Inc.日前宣布推出新型 20-V 和 30-V p-通道 TrenchFET® 功率 MOSFET --- Si7633DP和Si7135DP。这次推出的器件采用 SO-8 封装，具有 ±20-V 栅源极电压以及业内最低的导通电阻。现有的同类 SO-8 封装器件额定电压下导通电阻仅低至 24 …
http://www.sichinamag.comhttp://article.sichinamag.com/2008-12/20081223024813.htm -- 2008-12-23 0:00:00
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日前，Vishay Intertechnology, Inc.推出业界首个采用 CLCC-2 扁平陶瓷封装且基于蓝宝石 InGaN/TAG 技术的高强度白光功率 SMD LED 系列 --- VLMW84…。该系列器件可降低高容量应用的成本，它们具有 25K/W 的低热阻以及 5600mcd～14000mcd 的高光功率。凭借 0.75…
http://www.sichinamag.comhttp://article.sichinamag.com/2008-12/20081219115645.htm -- 2008-12-19 0:00:00
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凌力尔特公司 (Linear Technology Corporation) 推出一个 802.3af/802.3at 兼容的以太网供电 (PoE) 接口控制器 LTC4265，该器件用于需要高达 25.5W 功率的大功率受电设备 (PD) 应用。在 2003 年，IEEE 802.3af 标准定义中规定了一个高达 12.95W 的最大输送功率，对于 VoIP 电…
http://www.sichinamag.comhttp://article.sichinamag.com/2008-12/2008129112713.htm -- 2008-12-9 0:00:00
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日前，Vishay Intertechnology, Inc.推出两款 20V 和两款 30V n 通道器件，从而扩展其第三代 TrenchFET® 功率 MOSFET 系列。这些器件首次采用 TurboFET™ 技术，利用新电荷平衡漏结构将栅极电荷降低多达 45%，从而大幅降低切换损耗及提高切换速度。 这次…
http://www.sichinamag.comhttp://article.sichinamag.com/2008-12/2008125093646.htm -- 2008-12-5 0:00:00
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Axiom Microdevices有限公司今天宣布推出AX508功率放大器(PA)，继续扩大它的产品供应版图, 将CMOS的全部优点带给客户。AX508采用主流的CMOS工艺技术，在单一集成电路(IC)上集成了四频GSM/GPRS的功能。相对于该公司AX502产品, AX508的主要优点…
http://www.sichinamag.comhttp://article.sichinamag.com/2008-12/2008121055117.htm -- 2008-12-1 0:00:00
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锐迪科微电子（RDA）近日宣布，采用GaAs InGaP HBT工艺的高线性2.5-2.7GHz WiMAX宽带功率放大器RDAW263投入量产。RDAW263是为处于2.5-2.7GHz频段的WiMAX 和WiBro（韩国Mobile WiMAX的名称）应用而设计，满足各种WiMAX 应用，支持IEEE 8…
http://www.sichinamag.comhttp://article.sichinamag.com/2008-11/20081129015119.htm -- 2008-12-1 0:00:00
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LED照明市场领先厂商Cree公司宣布，其白光功率二极管实现每瓦161流明的光通量，此光通量为业界研发成果汇报中的最高水平。这些结果再次彰显了Cree通过持续专注的创新和研发，为业界提供一流性能的长期承诺。Cree的测试表明，在4689K的色温条件…
http://www.sichinamag.comhttp://article.sichinamag.com/2008-11/20081120031759.htm -- 2008-11-20 0:00:00
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日前，Vishay Intertechnology, Inc.推出一款新型 20V n 通道器件 --- SiR440DP，扩展了其第三代 TrenchFET® 功率 MOSFET 系列。该器件采用 PowerPAK® SO-8 封装，在 20V 额定电压时具有业界最低导通电阻及导通电阻与栅极电荷乘积。SiR440DP 在 4.5V 栅极驱动…
http://www.sichinamag.comhttp://article.sichinamag.com/2008-11/20081120030822.htm -- 2008-11-20 0:00:00
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全球高性能模拟半导体设计和制造领导厂商Intersil公司今天宣布，推出节省空间、降低成本、简化设计的高集成度功率转换模块ISL8201M。ISL8201M是高效率、低噪声、高集成度的DC/DC电源解决方案，在热增强的QFN封装内集成了PWM控制器、MOSFET…
http://www.sichinamag.comhttp://article.sichinamag.com/2008-11/20081120025724.htm -- 2008-11-20 0:00:00
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全球领先的高性能、高能效硅解决方案供应商安森美半导体(ON Semiconductor)推出以太网供电(PoE)产品系列的两款新产品——NCP1082和NCP1083。 与最近推出的NCP1081一样，NCP1083是业界最高功率的集成以太网供电用电设备(PoE-PD)的同一系列，支持…
http://www.sichinamag.comhttp://article.sichinamag.com/2008-11/20081119101321.htm -- 2008-11-19 0:00:00
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凌力尔特公司 (Linear Technology Corporation) 推出 LT8410/-1 低噪声微功率升压型转换器，该器件具集成的电源开关、肖特基二极管和逆向电压保护二极管、以及输出断接电路，采用 2mm x 2mm DFN 封装。LT8410/-1 使用一种独特的设计方法，仅需要 8.5uA 静态电流，…
http://www.sichinamag.comhttp://article.sichinamag.com/2008-11/2008116102236.htm -- 2008-11-6 0:00:00
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Diodes Incorporated全面扩展旗下的功率MOSFET产品系列，加入能够在各种消费、通信、计算及工业应用中发挥负载和切换功能的新型器件。新器件涵盖Diodes和Zetex产品系列，包括27款30V逻辑电平、9款20V低阈值的N、P和采用不同工业标准封装的互补MO…
http://www.sichinamag.comhttp://article.sichinamag.com/2008-10/20081031112211.htm -- 2008-10-31 0:00:00
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全球功率半导体和管理方案领导厂商 – 国际整流器公司 (International Rectifier，简称IR) 宣布将倾情参加在亚洲举办的两个重要行业盛会。IR将分别参加在韩国首尔举行的EDN韩国电源管理系统设计方法论坛和在中国深圳举行的EDN中国创新论坛。IR亚洲区销售副…
http://www.sichinamag.comhttp://article.sichinamag.com/2008-10/20081031103609.htm -- 2008-10-31 0:00:00
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