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台湾台积电（TSMC）在IEDM 2008上，发布了28nm级工艺技术。该公司首次采用了high-k及金属栅极（HKMG）技术，“28nm级工艺技术的开发正在面向量产顺利推进之中”。至此，大型半导体制造厂商在将HKMG作为新一代技术的问题上实现了步调一致。台…
http://www.sichinamag.comhttp://article.sichinamag.com/2008-12/20081223102138.htm -- 2008-12-23 0:00:00
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半导体芯片制造商联华电子（UnitedMicroelectronicsCorp，UMC）本周三正式宣布，该公司已经在45纳米SRAM产品上正式验证了其高K金属闸极（High-KMetalGate，HKMG）技术，这代表着联电在芯片制造工艺上的一个重大里程碑。据透露，联电将会在下一…
http://www.sichinamag.comhttp://article.sichinamag.com/2008-11/20081128021006.htm -- 2008-11-28 0:00:00
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据Chinatimes报道，台积电年底40纳米即将导入量产，对次世代32纳米技术也有了新规划，除了提供一般型及低功耗的32纳米技术外，近期业内已传出将提供高介电金属栅电极（High-K Metal Gate，HKMG）技术，此举等同于可提供中央处理器（CPU）代工服务…
http://www.sichinamag.comhttp://article.sichinamag.com/2008-09/200893034958.htm -- 2008-9-3 0:00:00
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日前，在美国华盛顿特区举办的国际电子元件大会(IEDM)上，备受关注的美国英特尔关于45nm工艺CMOS发表“Advanced CMOS Logic and SoC Platforms” 演讲，将引进基于大马士革（Damascene）工艺的high-k与金属栅极。 英特尔采用了基于大马士革（或取代栅极…
http://www.sichinamag.comhttp://article.sichinamag.com/2007-12/20071217114245.htm -- 2007-12-17 0:00:00
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