|
英特尔(Intel)宣布已完成新一代制程的开发，可将芯片线路进一步缩小至32纳米(nm)，1纳米相当于1公尺的十亿分之一。英特尔将依计划于2009年第四季运用这种新世代制程技术投产，以推出更大能源效率、更高密度、效能更强的晶体管。 英特尔将12月15~17…
http://www.sichinamag.comhttp://article.sichinamag.com/2008-12/20081212044933.htm -- 2008-12-12 0:00:00
|
|
台积电32纳米制程技术2009年将正式完成研发，台积电研发处长严涛南8日表示，希望2009年完成32纳米最核心的微显影研发阶段，这也是台积电首次公开揭露32纳米制程的时间表。半导体业者认为，才宣示全力推展开放创新平台(Open Innovation Platform；OIP)…
http://www.sichinamag.comhttp://article.sichinamag.com/2008-09/200899023625.htm -- 2008-9-9 0:00:00
|
|
据Chinatimes报道，台积电年底40纳米即将导入量产，对次世代32纳米技术也有了新规划，除了提供一般型及低功耗的32纳米技术外，近期业内已传出将提供高介电金属栅电极（High-K Metal Gate，HKMG）技术，此举等同于可提供中央处理器（CPU）代工服务…
http://www.sichinamag.comhttp://article.sichinamag.com/2008-09/200893034958.htm -- 2008-9-3 0:00:00
|
|
针对32纳米节点及更先进的半导体制程节点发展蓝图中，都必须采用超低k电介质来降低相邻金属线之间的寄生电容，特别是在互连层上。IBM公司最近开发出一种所谓的气隙(air gap)技术，可在32纳米芯片的金属线间制造完全的真空状态，以减少互连层36%的…
http://www.sichinamag.comhttp://article.sichinamag.com/2007-06/2007628040148.htm -- 2007-6-28 0:00:00
|
|
联电董事长胡国强11日在股东会上对于晶圆专工产业未来信心满满地表示，愈来愈多整合元件厂(IDM)采取Fabless或Fab-Lite策略，他更首度证实，联电与德州仪器(TI)已展开45纳米及32纳米制程世代合作。而针对联电未来现金运用，他指出，今后员工分红都将…
http://www.sichinamag.comhttp://article.sichinamag.com/2007-06/2007612103212.htm -- 2007-6-12 0:00:00
|
|
晶圆代工厂新加坡特许半导体（Chartered Semiconductor）宣布，继2002年首次与IBM签订半导体先进制程合作协议后，再次延伸与IBM合作开发次世代32纳米制程技术，这是双方自90纳米制程合作后，合作的第四代制程。特许表示，未来32纳米制程将在IBM位…
http://www.sichinamag.comhttp://article.sichinamag.com/2007-03/200731104506.htm -- 2007-3-1 0:00:00
|