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基于非晶硅(a-Si:H)和微晶硅(μc-Si:H)的薄膜太阳能电池模块日渐成为低成本、大尺度光伏(PV)应用的最佳选择。这类模块的吉瓦级产品需要大面积的均匀吸收层,同时也需要很高的吸收层的沉积速度。 基于非晶硅(a-Si:H)和微晶硅(μc-Si:H…
http://www.sichinamag.comhttp://article.sichinamag.com/2008-11/20081129041023.htm -- 2008-12-1 0:00:00
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2008年11月18日 — 全球高性能模拟半导体设计和制造领导厂商Intersil公司今天宣布,推出带有LED驱动的环境光和红外光数字转换器ISL29015,是目前业界性能最佳的集成光/接近度传感器。ISL29015能够检测环境光和红外光,使精确的背光和显示亮度控制成…
http://www.sichinamag.comhttp://article.sichinamag.com/2008-11/20081119102054.htm -- 2008-11-19 0:00:00
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全球分立及模拟半导体市场专用标准产品领先制造商及供货商Diodes公司宣布扩展旗下Zetex LED驱动器系列,推出三款可实现更高精度和散热性能的微型LED驱动器。高集成度的ZXLD-1352、ZXLD-1356及ZXLD–1366采用TSOT23-5及耐热增强型DFN6封装,分…
http://www.sichinamag.comhttp://article.sichinamag.com/2008-10/20081010015908.htm -- 2008-10-10 0:00:00
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在Honolulu举办的2008 Symposium on VLSI Technology技术论坛上,Intel Corp.的研究人员发布了新一代基于绝缘硅(SOI)通过埋层氧化层(BOX)储存电荷的浮体存储器单元(FBC)。针对一些专家提出的缩小尺寸将导致器件的荷电保持能力下降的疑虑,研…
http://www.sichinamag.comhttp://article.sichinamag.com/2008-08/2008830070917.htm -- 2008-9-2 0:00:00
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日前,Vishay Intertechnology, Inc.推出新型 20V p 通道 TrenchFET® 功率 MOSFET --- Vishay Siliconix Si8445DB,该器件采用 MICRO FOOT® 芯片级封装,具有业界最小占位面积以及 1.2 V 时业界最低的导通电阻。 随着便携式电子设备的体积越来越小以及它们功能的…
http://www.sichinamag.comhttp://article.sichinamag.com/2008-06/2008618020639.htm -- 2008-6-18 0:00:00
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全球领先的丝网印刷和批量印刷专家得可,将在上海Nepcon公布其大面积印刷的Photon平台。名为Photon Vi的新机器,提供网板印刷直至24英寸x 24英寸(610 毫米x 610毫米),满足现今生产环境的不同产量、混合和尺寸的要求。 专为综合制造和工艺优化设计的…
http://www.sichinamag.comhttp://article.sichinamag.com/2008-04/200847115824.htm -- 2008-4-7 0:00:00
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全球领先丝网印刷和批量印刷专家得可将在APEX公布其大面积印刷的Europa平台。名为Europa Vi的新机器,提供基板印刷最大尺寸达24英寸x 24英寸(610 毫米x 610毫米),满足现代生产环境不同产量、混合和尺寸的需求。 专为综合制造和工艺优化设计的Europ…
http://www.sichinamag.comhttp://article.sichinamag.com/2008-03/2008326013850.htm -- 2008-3-26 0:00:00
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SEMISiliconManufacturersGroup(SMG)近日发布的硅晶圆年终分析显示,2007年全球硅晶圆出货面积较2006年增长8%,销售收入增长21%,300mm晶圆出货份额增势明显。 2007年硅晶圆出货面积为86.61亿平方英寸,而2006年该数字为79.96亿平方英寸。07年…
http://www.sichinamag.comhttp://article.sichinamag.com/2008-02/2008214104744.htm -- 2008-2-14 0:00:00
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OLED业者Novaled与材料供货商Saint-Gobain旗下的实验室Saint-Gobain Recherche (SGR)宣布,双方在一项为期两年的高效能白光OLED技术研发合作计划之下,已获得了专利开发成果,使得两家公司能以高效能金属阳极为基础,实现生产大面积OLED的可行性。 S…
http://www.sichinamag.comhttp://article.sichinamag.com/2008-01/2008118105635.htm -- 2008-1-18 0:00:00
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国际半导体制造设备与材料协会(SEMI)公布了2010年之前全球硅晶圆供货面积的预测值。该公司表示,预计07年的供货面积将比上年增加9%,达到86亿9600万平方英寸。预计08年、09年和2010年的供货面积将分别达到96亿9500万平方英寸、102亿5700万平方…
http://www.sichinamag.comhttp://article.sichinamag.com/2007-10/20071017020608.htm -- 2007-10-17 0:00:00
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太阳诱电开发出面向Certified Wireless USB的小型收发模块,并在CEATEC会场进行了展示。模块尺寸为11mm×17.5mm,封装面积比该公司上一代模块减小了1/2左右。该模块已获得了TELEC认证,并在会场演示了无线数据的收发。主要应用于个人电脑的周边设…
http://www.sichinamag.comhttp://article.sichinamag.com/2007-10/20071011104404.htm -- 2007-10-11 0:00:00
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尔必达内存(Elpida Memory)宣布,打算使计划2011年前后量产的40nm工艺DRAM的内存单元面积缩小至4F2(F为设计规格)。4F2为现有NAND型闪存所达到的水平,尔必达欲通过单元晶体管的三维化等措施实现该规格。这一消息是在9月4~5日举办的“ISTF(I…
http://www.sichinamag.comhttp://article.sichinamag.com/2007-09/2007911021708.htm -- 2007-9-11 0:00:00
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美国IBM与TDK宣布将共同研发基于自旋注入反磁化方式的大容量MRAM技术。自旋注入反磁化方式是信息擦写时不使用磁场,而只需给TMR元件通直流电来转换TMR元件自由层的磁化方向的技术。两公司认为采用自旋注入反磁化方式,比目前的切换磁场方…
http://www.sichinamag.comhttp://article.sichinamag.com/2007-08/2007822104740.htm -- 2007-8-22 0:00:00
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国际半导体制造设备与材料协会(SEMI)宣布,2007年第2季度(4~6月)全球硅晶圆供货面积比上年同期增加12%、比上季度增长5%、达到22亿100万平方英寸。SEMI Silicon Manufacturers Group(SMG)主席兼德国Siltronic AG公司副总裁Volker Braetsch表示:“尽管半…
http://www.sichinamag.comhttp://article.sichinamag.com/2007-08/2007813045919.htm -- 2007-8-13 0:00:00
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一家塑料电子业者Nanoident Technologies于近日宣布,该公司已经开始采用软性聚乙烯对苯二甲酸酯(polyethylene terephthalate,PET)箔片基板上,制造全球最大的印刷半导体光电探测器数组(photodetector array)。 该数组大小为18×12cm,但Nanoident表示它可以产生尺…
http://www.sichinamag.comhttp://article.sichinamag.com/2007-06/200764113939.htm -- 2007-6-4 0:00:00
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