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比利时研究机构IMEC(Leuven, Belgium) 表示，他们在3-D SIC（三维堆叠芯片）技术上获得重大进展，采用直径5um的铜穿透硅通孔（TSV）完成芯片与芯片（die-to-die）堆叠，并验证了该3-D芯片的功能。该研发中心正在进一步开发200和300mm晶圆上3-D SIC芯…
http://www.sichinamag.comhttp://article.sichinamag.com/2008-10/20081022050243.htm -- 2008-10-22 0:00:00
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专用于3-D芯片制造的成本分析工具Cost Analysis Tool，允许用户调节晶圆厂参数，包括每年处理的晶圆数量、全部工艺成品率、每年操作成本等。同时，该工具还可提供对洁净室等级、维护成本和其他选项的精确描述。用户能够依据该工具衡量制造厂的…
http://www.sichinamag.comhttp://article.sichinamag.com/2008-08/200888123601.htm -- 2008-8-11 0:00:00
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尽管从器件角度来讲，3-D集成可以看作某种程度的革命性变革，但IEEE Fellow、北卡微电子咨询公司（北卡罗来纳州Research Triangle Park）的咨询师Phil Garrou所持观点是，该项技术仍是渐进演变的结果。他在半导体国际的Webcast“穿透硅通孔：准备好了吗？”…
http://www.sichinamag.comhttp://article.sichinamag.com/2008-07/200876054808.htm -- 2008-7-6 0:00:00
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“将IC或封装嵌入到衬底的技术，可消除对电子组装的需求，并避免组装风险如锡须。” 自从集成电路发明以来，芯片已无可辩驳地成为电子电路集成的最终形式。从那以后，集成度增加的速度就按照摩尔定律的预测稳步前进。摩尔定律的预测在…
http://www.sichinamag.comhttp://article.sichinamag.com/2008-07/200874102802.htm -- 2008-7-9 0:00:00
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尽管已经出现了多种工具和概念，但超浅结（USJ）的分析仍然是一个需要解决且无法避免的问题。“在测量方法学上，要夺得这一圣杯，你需要绘制出器件完整的3-D分布——包括掺杂和载流子，”IMEC工艺技术部门材料与元件分析组的负责人Wilfried Van…
http://www.sichinamag.comhttp://article.sichinamag.com/2008-05/200852083700.htm -- 2008-5-4 0:00:00
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为实现最有效的铜填充电镀工艺（electroplating process for copper via fill），需要金属籽晶（seed metal）的连续传导层通过TSV结构的深度。凭借大多数 TSV 设计（深宽比AR<15:1），物理气相沉积 (PVD) 被确立为符合这一要求且风险最低的沉积技术，但对 PVD …
http://www.sichinamag.comhttp://article.sichinamag.com/2008-05/200852073607.htm -- 2008-5-4 0:00:00
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对于堆叠器件的3-D封装领域而言，穿透硅通孔技术（TSV）是一种新兴的技术解决方案。将器件3-D层叠和连接可以进一步加快产品的时钟频率、降低能耗和提高集成密度。由于3-D TSV技术有助于提高产品电学性能、解决内存延时问题、降低芯片功耗…
http://www.sichinamag.comhttp://article.sichinamag.com/2008-05/200852072648.htm -- 2008-5-4 0:00:00
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你将如何在晶圆级封装（WLP）和3-D集成之间划线分界呢？向不同的人请教这一问题，很可能你会得到一些完全不同的回答。 “从WLP的一般发展趋势来看，目前穿透硅通孔（TSV）获得了极多的关注，”Semitool公司WLP产品主管Dan Schmauch这样认…
http://www.sichinamag.comhttp://article.sichinamag.com/2008-04/200844031604.htm -- 2008-4-7 0:00:00
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在2000年早期，42寸的等离子体电视刚刚出现在市场时，其标价超过一万美元。而今年，LCD超过了等离子体（图1），3-D TV也正在步入普通家庭。 自1993年以来，这种进展的一部分是成立了由显示器制造商和开发商组成的美国显示联盟（USDC）…
http://www.sichinamag.comhttp://article.sichinamag.com/2008-01/2008130074755.htm -- 2008-2-1 0:00:00
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根据2006年国际半导体技术蓝图（ITRS）介绍，由于槽和孔结构深度、形状的多样化，以及清洗和化学机械抛光（CMP）引起的减薄效应，使得互连成为下一代制造技术的一大核心挑战。ITRS还提到：“传统的互连线等比例缩减技术已经不能满足性能的…
http://www.sichinamag.comhttp://article.sichinamag.com/2008-01/2008130074657.htm -- 2008-2-1 0:00:00
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正如Joseph Fjelstad（SiliconPipe的创始人和CEO）在SEMICON West 2007所做的一个关于先进封装的报告中所指出的，在电子封装发展史上有着三个显著的时期（图）。这些时期包括通孔、表面组装和芯片级封装。我们目前的许多技术仍处于芯片级时代，…
http://www.sichinamag.comhttp://article.sichinamag.com/2007-12/20071216113126.htm -- 2007-12-18 0:00:00
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The latest product to result from the partnership between S.E.T. (formerly SUSS MicroTec Device Bonder Division (Waterbury, Conn.) and CEA-Leti (Grenoble, France) is a new high-force device bonder with the flexibility needed for various applications. Francois Marion, senior expert packaging and hybridization, in charge of …
http://www.sichinamag.comhttp://article.sichinamag.com/2007-11/20071116032233.htm -- 2007-11-16 0:00:00
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一款带有堆叠存储器的IC可以将速度提高1000倍，而功耗则降低为原来的1/100。 只有少数公司能够不断地投入巨额的资金来追随CMOS技术的等比例缩小曲线。因此，初创设计公司的数量从1995年的12,000家锐减到2006年的2000家。而且随着集成程…
http://www.sichinamag.comhttp://article.sichinamag.com/2007-10/20071013033557.htm -- 2007-10-16 0:00:00
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一款带有堆叠存储器的IC可以将速度提高1000倍，而功耗则降低为原来的1/100。 只有少数公司能够不断地投入巨额的资金来追随CMOS技术的等比例缩小曲线。因此，初创设计公司的数量从1995年的12,000家锐减到2006年的2000家。而且随着集成程…
http://www.sichinamag.comhttp://article.sichinamag.com/2007-10/20071013033535.htm -- 2007-10-16 0:00:00
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Through-silicon via (TSV) 3-D interconnects are a major opportunity that will require close cooperation among chipmakers and packaging companies, participants said at the SEMICON Taiwan show last week.Ho-Ming Tong, chief R&D officer of the ASE Group, said TSVs and other system in package (SiP) technologies w…
http://www.sichinamag.comhttp://article.sichinamag.com/2007-09/2007919031247.htm -- 2007-9-19 0:00:00
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