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http://www.sichinamag.comhttp://article.sichinamag.com/2008-06/200869125607.htm -- 2008-6-19 0:00:00
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栅极和沟道的尺寸缩小，受限于源/漏结点和栅介质的发展。尽管金属栅和高k材料在逐步应用，短沟道效应(SCE)依然是个重大挑战。晶体管也会有多种二级效应：影响迁移率的载流子速度饱和效应、缩短器件寿命的热载流子效应和降低亚阈特性的漏极诱…
http://www.sichinamag.comhttp://article.sichinamag.com/2008-06/200869125607.htm -- 2008-6-11 0:00:00
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闪光退火是工艺工程师工具箱中的最新工具。尖峰快速热退火（RTA）方法已经付诸实用，但RTA在限制掺杂物扩散的同时对掺杂物进行活化，闪光退火可以弥补这一缺陷。闪光退火更为精确，在几毫秒时间内可以将温度升高到约900℃到1300℃，并快…
http://www.sichinamag.comhttp://article.sichinamag.com/2008-06/200868114827.htm -- 2008-6-11 0:00:00
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近期举行的SiC半导体国际会议ICSCRM 2007有一个显著特点，就是半导体制造设备厂商开始支持SiC。其中最为积极的是爱发科（ULVAC）。该公司05年就推出了支持SiC的量产用离子注入设备，近来开始致力于高温退火设备的产品化。爱发科已经开始供应…
http://www.sichinamag.comhttp://article.sichinamag.com/2007-10/20071024024736.htm -- 2007-10-24 0:00:00
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富士通微电子（上海）有限公司近日宣布，富士通株式会社和富士通实验室已正式开发出具有低功耗和高性能互连技术的45纳米（45nm）LSI逻辑芯片平台技术。与以前的45nm技术相比，新平台可使等待状态时泄漏电流降低至五分之一，同时还可使互连延时…
http://www.sichinamag.comhttp://article.sichinamag.com/2007-07/2007713120204.htm -- 2007-7-13 0:00:00
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300mm双腔单晶圆快速热退火系统Atmos能够满足32纳米节点的半导体生产的需求。设备模块化的温度测量和控制系统可以精确控制工艺并确保硅片间的高重复性表现。由于安装了高热水蒸气生成装置，设备能够以较低的热预算激活活性物质。此外，Atmos装…
http://www.sichinamag.comhttp://article.sichinamag.com/2006-12/20061218052251.htm -- 2006-12-18 0:00:00
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