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上约有 7 项符合光刻掩膜的查询结果, 以下是第 1 - 7 项。 (搜索用时 0.453 秒)
先进掩膜技术中心(AMTC)、半导体设备供货商Vistec和德国国家物理技术研究院(PTB)将共同完成研发下一代芯片生产技术和量测流程的开发项目。 德国教育部对此代号为“CDuR32 (32nm掩膜光刻技术的核心演习和使用) ”的研发项目提供了部分资助。该项目的总…
http://www.sichinamag.comhttp://article.sichinamag.com/2008-09/200899024305.htm -- 2008-9-9 0:00:00
  据SEMI数据,2007年光刻掩膜市场达到30.1亿美元,其中包括零售厂商和自用厂商的销售额,掩膜市场已成为仅次于硅材料的第二大晶圆制造材料市场。预计2010年掩膜市场可达38.9亿美元,并仍保持第二大半导体制造材料市场的位置。目前从销售收入…
http://www.sichinamag.comhttp://article.sichinamag.com/2008-08/2008830063454.htm -- 2008-9-2 0:00:00
2007年光刻掩膜市场达到30.1亿美元,其中包括零售厂商和自用厂商的销售额,掩膜市场已成为仅次于硅材料的第二大晶圆制造材料市场。展望未来,2010年掩膜市场预计可达38.9亿美元,并仍保持第二大半导体制造材料市场的位置。目前从销售收入来看,…
http://www.sichinamag.comhttp://article.sichinamag.com/2008-08/2008814111128.htm -- 2008-8-14 0:00:00
  Centura Tetra III是一款先进掩膜刻蚀系统,可用于刻蚀纳米制造技术需要的45 nm光刻掩膜。该系统可以将整个石英掩模板的深度控制在低于10A范围内,将CD损失降低到小于10 nm,这样可以采用交替式相移掩模和最尖端的OPC技术。该系统的特征是零缺…
http://www.sichinamag.comhttp://article.sichinamag.com/2007-10/20071014025403.htm -- 2007-10-16 0:00:00
document.write("")New alignment strategy for Sub-110nm Memory Lithography CI_Choi, SMIC(Shanghai) 110nm技术节点以下存储器新的光刻掩膜对准方法 设计规则随技术工艺节点向下走,需要更严格的CD尺寸和OL特征参数。 分析SiN基板上涂层性能,对比补偿前后M+3σ值…
http://www.sichinamag.comhttp://article.sichinamag.com/2006-11/2006118025800.htm -- 2006-11-8 0:00:00
  Micron Technology Inc. and Photronics Inc. announced the formation of a joint venture to develop and produce photomasks for advanced next-generation semiconductors.   The duo say they will begin supplying these photomasks immediately.   As part of the formation of the joint venture, dubbed MP Mask Technol…
http://www.sichinamag.comhttp://article.sichinamag.com/2006-05/2006510050824.htm -- 2006-5-10 0:00:00
  该高级掩膜区过滤器能除去光刻设备内的气相有机物和其它污染物。它的体积比目前镜头吹洗和光学系统吹洗保护中常用的单点POU过滤器的体积还要小。该过滤器由活性碳制作而成,不会影响O2、H2O的穿透和相对湿度。   Donaldson Co. Inc.   Minn…
http://www.sichinamag.comhttp://article.sichinamag.com/2003-11/200611214304654338.htm -- 2003-11-12 0:00:00
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