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数家研究小组和公司已经展示了通过芯片叠层和穿透硅通孔（TSV）互连来实现复杂3D芯片的可行性。 在本文中，我们将介绍两种TSV工艺技术。第一种是将通孔制作在已完成的器件晶圆上。在完成标准的CMOS工艺之后再制作这些通孔，可以得到3…
http://www.sichinamag.comhttp://article.sichinamag.com/2008-07/200876054717.htm -- 2008-7-7 0:00:00
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消费电子业中持续的趋势是开发更小和更多具备多种功能的便携装置。目前大多数掌上装置都具备语音沟通、互联网访问、电邮、视频、MP3、全球定位等功能。这些产品设计者所面临的挑战是保持每款新一代装置的发展势头，使其变得更小，支持更多功能…
http://www.sichinamag.comhttp://article.sichinamag.com/2008-06/2008623024058.htm -- 2008-6-23 0:00:00
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http://www.sichinamag.comhttp://article.sichinamag.com/2008-05/200852073303.htm -- 2008-5-6 0:00:00
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IDM公司，芯片代工厂和封装厂正在致力于研发穿透硅通孔技术，但是目前来看，为了能够进一步控制生产成本还有大量的工作需要完成。 3-D集成封装技术能够将减薄的芯片堆叠并互连起来，最终实现了一种紧凑的组件层状结构，它大大减小了芯…
http://www.sichinamag.comhttp://article.sichinamag.com/2008-05/200852073303.htm -- 2008-6-4 0:00:00
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