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Sematech光刻胶测试中心（RTC）的研究人员表示，他们已经通过化学特征增强的EUV光刻胶平台，获得了22nm半节距分辨率，曝光速度为15mJ/cm2，线宽粗糙度(LWR) 达到5-6nm。 RTC表示，尽管LWR仍高于ITRS技术要求，但通过处理和刻蚀工艺，…
http://www.sichinamag.comhttp://article.sichinamag.com/2008-08/2008830063431.htm -- 2008-9-2 0:00:00
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Intel逻辑技术研发部(Hillsboro, Ore.)工艺架构和集成主管Mark Bohr介绍说，当开始计划生产22nm的微处理器产品时，Intel Corp. (Santa Clara, Calif.)认为在2011年前极紫外（EUV）光刻技术都不会是一项具有生产价值的技术。 “现实情况不利于EUV技术。第一点：…
http://www.sichinamag.comhttp://article.sichinamag.com/2008-07/200876061131.htm -- 2008-7-6 0:00:00
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http://www.sichinamag.comhttp://article.sichinamag.com/2008-06/200868114606.htm -- 2008-6-19 0:00:00
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对于极紫外（EUV）光刻技术而言，掩膜版相关的一系列问题是其发展道路上必须跨越的鸿沟，而在这些之中又以如何解决掩膜版表面多层抗反射膜的污染问题最为关键。自然界中普遍存在的碳和氧元素对于EUV光线具有极强的吸收能力。在Texas州Austi…
http://www.sichinamag.comhttp://article.sichinamag.com/2008-06/200868114606.htm -- 2008-6-11 0:00:00
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在上周于纽约Bolton Landing举行的Sematech光刻论坛（Sematech Litho Forum）上，来自产业界的半导体制造商、设备供应商和研发机构齐聚一堂，评估了延续半导体光刻线路图的各种备选技术，以及指导方针。Sematech表示，此次论坛上，针对32nm及更高节点的…
http://www.sichinamag.comhttp://article.sichinamag.com/2008-05/2008523061327.htm -- 2008-5-23 0:00:00
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日前一个关于极紫外（EUV）光刻光源开发的新联盟在日本启动，这是继EUV曝光技术开发完成后，日本极紫外光刻系统开发协会( Extreme Ultraviolet Lithography System Development Association，EUVA，日本川崎)的又一动作，该项目是在2008年3月达成决议的。5月…
http://www.sichinamag.comhttp://article.sichinamag.com/2008-05/2008523052756.htm -- 2008-5-23 0:00:00
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http://www.sichinamag.comhttp://article.sichinamag.com/2008-05/200852064615.htm -- 2008-5-5 0:00:00
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随着半导体设计规则的紧缩，在65nm及更高节点，浸没式光刻和EUV被认为是获得更小节距的可选择方案，出于技术极限和成本的考量，在实现量产上光刻技术面临极大挑战，其中之一来自于光刻光源。Cymer作为光源领域的领先供应商，目前提供DUV…
http://www.sichinamag.comhttp://article.sichinamag.com/2008-05/200852064615.htm -- 2008-5-4 0:00:00
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日前，台积电（TSMC)在其2008年技术论坛会议上，简要描述了该公司光刻线路图（Lithography Roadmap)，作为计划的一部分，TSMC对极紫外光刻技术进行了新的评估，并将其纳入光刻线路图。目前，对于45纳米节点工艺的有限量产，TSMC采用193nm的浸…
http://www.sichinamag.comhttp://article.sichinamag.com/2008-04/2008425064912.htm -- 2008-4-25 0:00:00
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http://www.sichinamag.comhttp://article.sichinamag.com/2008-04/200844024016.htm -- 2008-4-23 0:00:00
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在32nm技术节点以下时，尽管极紫外（EUV）光刻技术已被视为主流的光刻生产技术解决方案，但是如何研发一套可靠、高性能EUV光源系统仍然是摆在业界面前的一道难题。此文将着重介绍了基于触发模式、输出功率达到100W的光源系统。 32nm…
http://www.sichinamag.comhttp://article.sichinamag.com/2008-04/200844024016.htm -- 2008-4-7 0:00:00
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对于前沿领域，极紫外线（EUV）光刻胶技术的研究要有助于解决一些由于193nm光刻技术不断向下延伸而面临的问题。 纽约州立大学阿尔巴尼分校纳米科学与工程学院（CNSE）副教授Robert Brainard正致力于研究EUV和193nm光刻技术所使用的新材…
http://www.sichinamag.comhttp://article.sichinamag.com/2008-04/200844023356.htm -- 2008-4-7 0:00:00
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伴随着大量的新闻发布，Cymer公司在SEMICON West 2007期间宣布其在极紫外线（EUV）光刻光源上的成功。光刻设备供应商 ASML已经选择Cymer公司的极紫外线光源用于量产设备，并签署了一份长达多年的多项目协议，计划在2008年底首次供货。 …
http://www.sichinamag.comhttp://article.sichinamag.com/2007-12/20071216121945.htm -- 2007-12-18 0:00:00
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日本Ushio Inc.日前称其签署了一份意向书，计划和Koninklijke Philips Electronics NV和Jenoptik Laser Optik Systeme GmbH合作开发用于光刻设备的远紫外线（EUV）光源。Ushio表示，此次合作的目标是加速EUV光刻技术的发展并实现后ArF激光（post-ArF laser）沉浸技术…
http://www.sichinamag.comhttp://article.sichinamag.com/2007-11/2007117050141.htm -- 2007-11-7 0:00:00
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日本牛尾电机、荷兰皇家飞利浦电子及德国Jenoptik L.O.S. GmbH （Jenoptik Laser, Optik, Systeme GmbH）三家公司于10月30日在札幌举办的“2007 International EUVL Symposium”上宣布，将就共同开发新一代EUV（极端远紫外，extreme ultraviolet）曝光所需的光源进行业务…
http://www.sichinamag.comhttp://article.sichinamag.com/2007-11/2007112021017.htm -- 2007-11-2 0:00:00
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