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全球高性能模拟半导体设计和制造领导厂商Intersil公司16日宣布，推出高频 6A 吸入电流同步（sink synchronous） MOSFET 栅极驱动器 ISL6615 和 ISL6615A 。这些新器件有助于为系统安全提供更高的效率、灵活性和更多的保护功能。 Intersil 公司此次推出的新型驱动…
http://www.sichinamag.comhttp://article.sichinamag.com/2008-05/2008519113809.htm -- 2008-5-19 0:00:00
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IBM及其合作开发伙伴日前宣布，它们用于下一代32纳米器件的高k/金属栅极技术将在2009年下半年向IBM合作伙伴及其客户提供。IBM的合作伙伴包括AMD、特许半导体、英飞凌、三星和IBM。利用高k/金属栅极工艺技术，IBM及其伙伴能够把芯片尺寸最多…
http://www.sichinamag.comhttp://article.sichinamag.com/2007-12/20071214103413.htm -- 2007-12-14 0:00:00
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英特尔公司隆重发布了16款服务器及高端PC处理器，它们均采用全新晶体管技术，能够有效减少漏电量，成功奠定未来计算创新之路。这些处理器产品不仅增强了计算性能，有效减少了能源消耗，而且还在处理器的封装中弃用了危害环境的铅元素，并将于2…
http://www.sichinamag.comhttp://article.sichinamag.com/2007-11/20071114114401.htm -- 2007-11-14 0:00:00
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近日，应用材料公司推出Centura® Carina™ Etch系统用于世界上最先进晶体管的刻蚀。运用创新的高温技术，它能提供45纳米及更小技术节点上采用高K介电常数/金属栅极(HK/MG)的逻辑和存储器件工艺扩展所必需的材料刻蚀轮廓，是目前唯一具有上…
http://www.sichinamag.comhttp://article.sichinamag.com/2007-08/2007820114057.htm -- 2007-8-20 0:00:00
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近日，应用材料公司推出Centura® Carina™ Etch系统用于世界上最先进晶体管的刻蚀。运用创新的高温技术，它能提供45纳米及更小技术节点上采用高K介电常数/金属栅极(HK/MG)的逻辑和存储器件工艺扩展所必需的材料刻蚀轮廓，是目前唯一具有上…
http://www.sichinamag.comhttp://article.sichinamag.com/2007-08/2007820114032.htm -- 2007-8-20 0:00:00
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晶体管制造技术正迎来巨大的变化，栅极结构上新材料和新工艺的整合运用使芯片速度更快，功耗更低，从而使摩尔定律得以延续。近日，应用材料公司推出了一系列已被全面验证的生产工艺，帮助客户在大规模生产中制造高K介电常数/金属栅极（HK/MG…
http://www.sichinamag.comhttp://article.sichinamag.com/2007-08/200787120005.htm -- 2007-8-7 0:00:00
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Applied Materials公司近日推出三个用于45nm节点及以上工艺的先进闸极堆叠和相关应用的工具，从而大步跨入了高K/金属栅极领域。 Applied Materials公司正在推出针对其现有单晶圆Centura平台的原子层沉积(ALD)模块。ALD模块据称可以实现用于逻辑和内存器…
http://www.sichinamag.comhttp://article.sichinamag.com/2007-08/200782105216.htm -- 2007-8-2 0:00:00
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在“2007年国际半导体设备与材料展览会（SEMICON West 2007）”上，荷兰ASM International N.V.公司和全球最大半导体设备厂商美国应用材料公司（AMAT）在备受瞩目的面向高介电率（high-k）绝缘膜与金属栅极的成膜装置领域，展开了激烈的竞争。在支持连…
http://www.sichinamag.comhttp://article.sichinamag.com/2007-07/2007724104222.htm -- 2007-7-24 0:00:00
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美国IBM、美国AMD、索尼及东芝4家公司联合发表了面向使用SOI（silicon on insulator）的45nm工艺CMOS的金属栅极与高介电率（high-k）栅极绝缘膜技术。采用了先加工栅极工艺（gate-first Process）。 目前已证实，通过在栅极长度为33nm的FET中导入金属…
http://www.sichinamag.comhttp://article.sichinamag.com/2007-06/2007619114349.htm -- 2007-6-19 0:00:00
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据EE Times网站报道，Applied Materials Inc.日前推出了新款面向45nm和32nm节点先进低k栅极技术的Producer BLOk II PECVD系统。 据悉，该款设备能够与超低k电介质材料配合使用，比如Applied Materials公司的“Black Diamond（黑钻）”薄膜。BLOk II栅极薄膜能够“通…
http://www.sichinamag.comhttp://article.sichinamag.com/2007-06/200767093445.htm -- 2007-6-7 0:00:00
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Robert J. Mears是用于宽带互联网的铒掺杂光纤放大器（EDFA）的发明者。他在寻找将光器件和波导结合到硅中的方法时，发现了一个有趣的结果：一种特殊的硅超晶格结构可以加速某一个方向上电子的定向运动（电流），而阻碍其它方向上的电流。该结…
http://www.sichinamag.comhttp://article.sichinamag.com/2007-03/2007310090322.htm -- 2007-3-13 0:00:00
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IBM苏黎士研究实验室的研究人员在《物理评论快报》上宣布，他们已经采用了计算机模拟方法来研究硅酸铪的介电常数，并取得了进展。 铪、氧和硅复杂的分层结构都被用来将栅极与先进半导体中的半导体通道隔离开来。IBM也计划在2008年将此技术…
http://www.sichinamag.comhttp://article.sichinamag.com/2007-03/200732010322.htm -- 2007-3-2 0:00:00
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SEZ（瑟思）集团和工业和医疗气体及相关服务的供应商Air Liquide （液化空气公司）于近日联合宣布，双方将通力合作，携手解决生产线前段（FEOL）的先进金属栅极蚀刻所面临的化学制剂的挑战。45纳米技术标准下的高k值门极绝缘体和高级金属栅极…
http://www.sichinamag.comhttp://article.sichinamag.com/2005-7/2006112143050ade9d.htm -- 2005-7-25 0:00:00
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尽管高k栅极电介质在某些击穿现象上的表现和以SiO2为基础的电介质一样出色，但是一些不利现象例如电荷捕捉（charge trapping）方面更容易在高k器件中出现。多晶硅/高k电介质界面上形成固定电荷密度时，通常会加速NBTI效应变差和导致阈值电压、…
http://www.sichinamag.comhttp://article.sichinamag.com/2004-3/2006112143047df381.htm -- 2004-3-9 0:00:00
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虽然不是所有的金属都适用金属栅极，但是Intel公司的研究人员声称他们已经发现了两种金属--一种N型，另一种为P型--可以和高介电常数（k）电介质进行完美的匹配。这是半导体工业的一个重要里程碑。半导体工业一直在为传统CMOS晶体管中使用的…
http://www.sichinamag.comhttp://article.sichinamag.com/2004-3/2006112143047faab9.htm -- 2004-3-9 0:00:00
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