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为CMP部门提供消耗品的供应商正在开发新的方法，在维持研磨去除率不变的情况下，改善平整度和缺陷率，同时降低成本，来满足未来应用的要求。 对于任一个新的技术节点，工艺窗口正日益减小，这对于过抛光的容忍度来说也不例外。不断缩小…
http://www.sichinamag.comhttp://article.sichinamag.com/2008-11/20081130082118.htm -- 2008-12-1 0:00:00
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AquiVia技术专为穿透硅通孔（TSV）内电解沉积保形、一致的绝缘层和阻挡层而设计，TSV深宽比达到10：1。结合Alchimer公司eG ViaCoat技术，AquiVia能够利用同一套设备完成沉积绝缘层、阻挡层和籽晶层。它使得制作TSV金属镀层中不再使用任何干法…
http://www.sichinamag.comhttp://article.sichinamag.com/2008-11/20081129025003.htm -- 2008-12-1 0:00:00
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为CMP部门提供消耗品的供应商正在开发新的方法，在维持研磨去除率不变的情况下，改善平整度和缺陷率，同时降低成本，来满足未来应用的要求。 对于任一个新的技术节点，工艺窗口正日益减小，这对于过抛光的容忍度来说也不例外。不断缩小…
http://www.sichinamag.comhttp://article.sichinamag.com/2008-11/20081129023823.htm -- 2008-11-29 0:00:00
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在确立了以模拟电路为核心业务之一的战略发展方向后，华虹NEC日前宣布，推出0.5微米CA500C模拟工艺平台。目前，0.5微米CA500C工艺的模拟器件开发已经完成，并且顺利通过了工艺验证。 CA500C延续了华虹NEC 0.5微米、5V Logic成熟工艺，…
http://www.sichinamag.comhttp://article.sichinamag.com/2008-11/20081129015638.htm -- 2008-12-1 0:00:00
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Edwards today announced that the it will jointly develop a perfluorocarbon (PFC) gas abatement system with Tokyo Electron Limited (TEL)─the PA-01E for etch equipment. The new gas abatement system will be available mid-year 2009. “We are excited to enter into this joint development agreement with TEL,” said Nigel Hunton, …
http://www.sichinamag.comhttp://article.sichinamag.com/2008-11/20081126094538.htm -- 2008-11-26 0:00:00
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Intel和美光今天宣布，双方联合研发的34nm工艺NAND闪存芯片已经投入量产，这也是业界第一款40nm工艺以下的NAND闪存产品。这种MLC多层型NAND闪存芯片由Intel、美光联合投资的IM Flash Technologies生产，切割自300毫米晶圆，核心面积172平方毫米…
http://www.sichinamag.comhttp://article.sichinamag.com/2008-11/20081125114058.htm -- 2008-11-25 0:00:00
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据日经BP社报道，美国Advanced Micro Devices（AMD）于2008年11月13日发布了采用45nm制造工艺的服务器用微处理器“Opteron”。将于08年第四季度内开始供货TDP75W产品，09年第一季度将开始供货55W的低耗电量版本和105W的高性能版本。 此次发布…
http://www.sichinamag.comhttp://article.sichinamag.com/2008-11/20081117102920.htm -- 2008-11-17 0:00:00
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半导体巨头AMD已经官方宣布将会于明年正式跨入32nm制程工艺，全部产能将有位于德国Dresden的FAB 36晶圆厂包办。在德国慕尼黑举行的一次会议中，FAB 36晶圆厂副总Udo Nothelfer透露，Fab 38以及Fab 36（前身为Fab 30）将会于明年1月份正式成为The Foun…
http://www.sichinamag.comhttp://article.sichinamag.com/2008-11/20081113101629.htm -- 2008-11-13 0:00:00
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在集成电路制造中随着光阻层数的增加和可允许的材料损失和表面损伤数的下降， 光阻剥离变得越来越具有挑战性。由于光阻表面的去氢化和无定型碳层的形成，高剂量注入的光阻剥离尤其变得困难[1]。为了使注入后光阻剥离变得容易，这层无定形碳可以采…
http://www.sichinamag.comhttp://article.sichinamag.com/2008-11/2008114015235.htm -- 2008-11-4 0:00:00
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2008年10月30日－世界领先的纯晶圆代工厂之一，上海华虹NEC电子有限公司（以下简称“华虹NEC”）今天宣布，与多家智能卡行业龙头设计公司的合作顺利进行。基于华虹NEC的0.13微米嵌入式闪存工艺（“EF130”）生产的SIM卡产品完成产品的可靠性测试…
http://www.sichinamag.comhttp://article.sichinamag.com/2008-11/2008113103207.htm -- 2008-11-3 0:00:00
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在即将举行的2008年IEEE国际电子器件大会(IEDM)，英特尔公司计划发布其最新的用在高性能处理器上的32纳米工艺技术。根据IEDM文件，英特尔公司建立了一个基本的32纳米、291兆比特的SRAM阵列测试芯片，单元尺寸为0.171平方微米。该器件集成了近…
http://www.sichinamag.comhttp://article.sichinamag.com/2008-10/20081031114107.htm -- 2008-10-31 0:00:00
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据日经BP社报道，英国ARM于2008年10月21日在东京举行新闻发布会，与美国IBM等共同介绍了32nm、28nm工艺SoC（系统芯片）设计平台的合作开发详细内容。 共同开发的具体内容是：两公司将面向IBM、新加坡特许半导体（Chartered Semiconductor Manufact…
http://www.sichinamag.comhttp://article.sichinamag.com/2008-10/20081024055538.htm -- 2008-10-24 0:00:00
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在始于1998年的联合工艺技术开发的成功合作基础上，松下公司与瑞萨科技公司已开始合作开发下一代32nm节点SoC的基本工艺技术。两家公司对其32nm节点晶体管技术充满信心，其他进展很快可以用于批量生产的产品。 可以预期，由于实现了其设计原则的…
http://www.sichinamag.comhttp://article.sichinamag.com/2008-10/20081024100038.htm -- 2008-10-24 0:00:00
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世界领先的集成电路制造公司之一，中芯国际集成电路制造有限公司昨日宣布成功开发0.11微米CMOS 图像传感器 (CIS) 工艺技术，在此工艺下生产的 CIS 器件，其分辨率、暗光噪声和相对照度都将得到增强。中芯国际在中国提供完整的 CIS 代工服务，基于其丰…
http://www.sichinamag.comhttp://article.sichinamag.com/2008-10/20081024095237.htm -- 2008-10-24 0:00:00
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据日经BP报报道，台积电（TSMC）于2008年10月20日在横浜举行的技术研讨会“TSMC 2008 Technology Symposium”上公布了其有关曝光技术的发展蓝图。 该公司首先公布了未来的发展方针，表示继已量产的40nm工艺之后，预定2010年初开始量产的28nm工…
http://www.sichinamag.comhttp://article.sichinamag.com/2008-10/20081023035143.htm -- 2008-10-23 0:00:00
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