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侧壁间隔层转印图形化技术（sidewall spacer transfer patterning techniques），也可称为频率加倍、节距降低、间隔层掩膜图形化或者SADP，正更多地为NAND闪存制造商所采纳。本文描述了这一技术对应的通用工艺流程，并展示了这一技术的加工能力。 …
http://www.sichinamag.comhttp://article.sichinamag.com/2008-11/20081129021837.htm -- 2008-12-1 0:00:00
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闪存不断推动着器件尺寸等比例缩小的进程，高数值孔径浸没式光刻使得45 nm及以下技术节点成为可能。一些掩膜参数对于成像性能有很重要的影响，并且曝光前掩膜的空间成像可以用于定义成像质量。 近些年来，闪存已经成为半导体行业中最为重…
http://www.sichinamag.comhttp://article.sichinamag.com/2008-11/20081129020201.htm -- 2008-12-3 0:00:00
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Numonyx BV日前宣布延伸其M29存储器工业标准，并宣布2009年推出安全性增强、高密度的存储器新产品，这将代表其第一代65nm产品线。同时，该公司还计划明年发货其65nm工艺的并行与串行NOR嵌入式产品。 Numonyx Axcell M29EW闪存将极大扩…
http://www.sichinamag.comhttp://article.sichinamag.com/2008-11/20081129014145.htm -- 2008-12-1 0:00:00
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英特尔(Intel)和美光(Micron)合资成立的IM Flash，即将量产34纳米制程的NAND Flash产品，且先攻部队会瞄准32Gb容量的产品，这等于是向最大竞争对手三星电子(Samsung Electronics)下战帖；目前三星42纳米产品已开始出货，而东芝(Toshiba)43纳米产品也量产，…
http://www.sichinamag.comhttp://article.sichinamag.com/2008-11/20081126110919.htm -- 2008-11-26 0:00:00
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Numonyx BV日前宣布延伸其M29存储器工业标准，并宣布2009年推出安全性增强、高密度的存储器新产品，这将代表其第一代65nm产品线。同时，该公司还计划明年发货其65nm工艺的基本并行与串行NOR嵌入式产品。存储器密度从256Mb到2Gb，Numonyx Axc…
http://www.sichinamag.comhttp://article.sichinamag.com/2008-11/20081126095551.htm -- 2008-11-26 0:00:00
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Intel和美光今天宣布，双方联合研发的34nm工艺NAND闪存芯片已经投入量产，这也是业界第一款40nm工艺以下的NAND闪存产品。这种MLC多层型NAND闪存芯片由Intel、美光联合投资的IM Flash Technologies生产，切割自300毫米晶圆，核心面积172平方毫米…
http://www.sichinamag.comhttp://article.sichinamag.com/2008-11/20081125114058.htm -- 2008-11-25 0:00:00
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全球闪存供货商SanDisk® 推出Cruzer® Color+ USB 闪存盘。该外型轻盈小巧的闪存盘价格合理，并能让用户进行高效的电脑数据传输及存储。 Cruzer® Color+ USB 闪存盘随插即用，能适用于一般电脑或Macintosh 电脑，只需将其插入USB接口便能方便传输…
http://www.sichinamag.comhttp://article.sichinamag.com/2008-11/20081120033930.htm -- 2008-11-20 0:00:00
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全球闪存供货商SanDisk®推出了一种先进的固态硬盘(SSD)专用的闪存文件系统，此系统可使计算机程序的性能和可靠性都得到显著提高。这项新一代闪存管理系统专利产品名为ExtremeFFS™，有望把随机读写速度提高至现有系统的100倍，将于2009…
http://www.sichinamag.comhttp://article.sichinamag.com/2008-11/2008116025617.htm -- 2008-11-6 0:00:00
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东芝宣布推出43nm单层存储单元（SLC）的NAND闪存，产品容量从512Mb到64Gb，共有16个系列。新产品包括16Gb、32Gb和64Gb三种，结合采用43nm制程技术的单16Gb芯片，这是市场上最高密度的芯片。新产品将从2009年第1季度开始逐步进入市场。 SLC…
http://www.sichinamag.comhttp://article.sichinamag.com/2008-11/2008116110615.htm -- 2008-11-6 0:00:00
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2008年10月30日－世界领先的纯晶圆代工厂之一，上海华虹NEC电子有限公司（以下简称“华虹NEC”）今天宣布，与多家智能卡行业龙头设计公司的合作顺利进行。基于华虹NEC的0.13微米嵌入式闪存工艺（“EF130”）生产的SIM卡产品完成产品的可靠性测试…
http://www.sichinamag.comhttp://article.sichinamag.com/2008-11/2008113103207.htm -- 2008-11-3 0:00:00
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据日经BP社报道，瑞士Numonyx B.V.与尔必达(Elpida Memory)于2008年10月10日宣布，正式签订了尔必达广岛工厂为Numonyx生产NOR闪存的代工合同。双方已于2008年7月交换了基本意向书，此次达成了最终意向。Numonyx旨在通过生产委托来增加供应量，并…
http://www.sichinamag.comhttp://article.sichinamag.com/2008-10/20081016031431.htm -- 2008-10-16 0:00:00
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纯闪存解决方案供应商Spansion日前公布了即将推出的MirrorBit ORNAND2产品系列的生产计划，该系列产品的写入速度可提高25%，读取速度最高可提升一倍，其裸片尺寸也比目前的浮动门NAND闪存显著减小。Spansion计划通过MirrorBit ORNAND2系列产品进…
http://www.sichinamag.comhttp://article.sichinamag.com/2008-09/2008926111401.htm -- 2008-9-26 0:00:00
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据日经BP社报道，东芝下调了2008财年（08年4月～09年3月）的业绩预测。半导体业务低迷导致上半财年营业亏损300亿日元。预计全财年合并销售额比上财年增长0.4％，为7万亿7000亿日元，营业利润比上财年减少37.0％，为1500亿日元。与08年4月公布的…
http://www.sichinamag.comhttp://article.sichinamag.com/2008-09/2008923014933.htm -- 2008-9-23 0:00:00
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东芝下调了2008财年（08年4月～09年3月）的业绩预测。半导体业务低迷导致上半财年营业亏损300亿日元。预计全财年合并销售额比上财年增长0.4％，为7万亿7000亿日元，营业利润比上财年减少37.0％，为1500亿日元。与08年4月公布的上次预测相比，销…
http://www.sichinamag.comhttp://article.sichinamag.com/2008-09/2008923110640.htm -- 2008-9-23 0:00:00
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市场研究机构Gartner分析师Bryan Lewis表示，2008年的NAND闪存市场原本已经朝着成长趋势前行，但现在却出现了10%的下滑。Lewis表示，虽然有多数半导体类别市场仍成长强劲，但NAND闪存市场却在过去的两个月内呈现“崩溃”现象。 考虑到宏观经济因素…
http://www.sichinamag.comhttp://article.sichinamag.com/2008-09/200899025900.htm -- 2008-9-9 0:00:00
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