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半导体芯片制造商联华电子（UnitedMicroelectronicsCorp，UMC）本周三正式宣布，该公司已经在45纳米SRAM产品上正式验证了其高K金属闸极（High-KMetalGate，HKMG）技术，这代表着联电在芯片制造工艺上的一个重大里程碑。据透露，联电将会在下一…
http://www.sichinamag.comhttp://article.sichinamag.com/2008-11/20081128021006.htm -- 2008-11-28 0:00:00
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联华电子25日宣布，其高介电系数栅电介质 (high-k gate dielectric)／金属栅极 (metal gate) 之先进栅极技术，已经通过45纳米SRAM产品良率的验证，此为HK/MG技术的重要里程碑。此项成果在展现HK/MG的技术效能与制程可靠性上，是关键的第一步，而此技术将…
http://www.sichinamag.comhttp://article.sichinamag.com/2008-11/20081126021957.htm -- 2008-11-26 0:00:00
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台积公司（17）日表示，40纳米泛用型（40G）及40纳米低耗电（40LP）制程正式进入量产，成为专业集成电路制造服务领域第一个量产40纳米逻辑制程的公司。纳米是度量半导体组件金属导线宽度的单位，40纳米比人类头发直径的千分之一还要小。40纳米…
http://www.sichinamag.comhttp://article.sichinamag.com/2008-11/20081120094738.htm -- 2008-11-20 0:00:00
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罗门哈斯电子材料公司（Rohm and Haas Electronic Materials）旗下的印刷线路板技术事业部(CBT, Circuit Board Technologies)将于本年12月3至5日HKPCA 2008展 (2008国际线路板及电子组装展览会，深圳会展中心) 1R001摊位展出，推出一系列先进的制程及产品，其中Cir…
http://www.sichinamag.comhttp://article.sichinamag.com/2008-11/20081118023412.htm -- 2008-11-21 0:00:00
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罗门哈斯电子材料公司（Rohm and Haas Electronic Materials）旗下的印刷线路板技术事业部（CBT, Circuit Board Technologies）将于本年12月3至5日HKPCA 2008 展 (2008国际线路板及电子组装展览会，深圳会展中心) 1R001摊位展出，推出一系列先进的制程及产品，其…
http://www.sichinamag.comhttp://article.sichinamag.com/2008-11/20081118022841.htm -- 2008-11-20 0:00:00
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罗门哈斯电子材料公司（Rohm and Haas Electronic Materials）旗下的印刷线路板技术事业部(CBT, Circuit Board Technologies)将于本年12月3至5日HKPCA 2008展 (2008国际线路板及电子组装展览会，深圳会展中心) 1R001摊位展出，推出一系列先进的制程及产品，其中Co…
http://www.sichinamag.comhttp://article.sichinamag.com/2008-11/20081118021751.htm -- 2008-11-18 0:00:00
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半导体巨头AMD已经官方宣布将会于明年正式跨入32nm制程工艺，全部产能将有位于德国Dresden的FAB 36晶圆厂包办。在德国慕尼黑举行的一次会议中，FAB 36晶圆厂副总Udo Nothelfer透露，Fab 38以及Fab 36（前身为Fab 30）将会于明年1月份正式成为The Foun…
http://www.sichinamag.comhttp://article.sichinamag.com/2008-11/20081113101629.htm -- 2008-11-13 0:00:00
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看准行动电视高分辨率小尺寸LCD驱动IC市场，晶圆代工龙头台积电5日宣布推出新的0.13微米高压制程，分别是1.5／6／32伏特高电压制程。台积电不仅积极布局40/45奈米以下先进制程技术，对于已相对成熟的0.13微米制程技术市场也出新招。预料台积电积…
http://www.sichinamag.comhttp://article.sichinamag.com/2008-11/2008116110058.htm -- 2008-11-6 0:00:00
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华邦电提升制程、降低标准型DRAM效应浮现，第三季毛损率11％，亏损8.9亿元，较上季减少30％；前三季亏损39.2亿元，每股亏损1.07元。华邦副总温万寿表示，技术合作对象奇梦达短期不会弃守记亿体市场，华邦将如期于第四季进行65奈米投片计划，明…
http://www.sichinamag.comhttp://article.sichinamag.com/2008-10/20081030043044.htm -- 2008-10-30 0:00:00
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据DigiTimes报道，面对DRAM产业寒风阵阵，南亚科也传出8吋晶圆厂开始加入减产行列，目前以代工为主的8吋晶圆厂，将减少承接利润太低的订单，而12吋晶圆厂的布局上，也出现大转弯，原本计划美光(Micron)68纳米制程的技术，将于年底新投片的3万片…
http://www.sichinamag.comhttp://article.sichinamag.com/2008-10/20081017092924.htm -- 2008-10-17 0:00:00
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三星电子(Samsung Electronics)和海力士(Hynix)56纳米和54纳米世代的DRAM制程喊了半年，年底前确定步入量产，而尔必达(Elpida)为了应战，也宣布65纳米微缩版本年底前量产，与前一版相较，新版65纳米总成本竞争力不输50纳米世代，且不但在尔必达的广岛…
http://www.sichinamag.comhttp://article.sichinamag.com/2008-10/2008107020339.htm -- 2008-10-7 0:00:00
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台湾积体电路制造股份有限公司近日宣布，将28纳米制程定位为全世代(Full Node)制程，同时提供客户高介电层/金属闸（High-k Metal Gate，HKMG）及氮氧化硅（Silicon Oxynitride，SiON）材料两种选择，以支持不同产品的应用及效能需求。此一28纳米制程预计…
http://www.sichinamag.comhttp://article.sichinamag.com/2008-10/2008107095246.htm -- 2008-10-7 0:00:00
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为了取得在晶圆代工市场上的领先地位，新加坡特许半导体(Chartered)公布了公司的全新发展蓝图，其中包括可能于明年开发出28纳米制程。特许已发表了45纳米制程，并已经开始提供服务，现在该公司大胆地向竞争者宣战，并已着手开发名为「4G」的40纳…
http://www.sichinamag.comhttp://article.sichinamag.com/2008-10/2008106020637.htm -- 2008-10-6 0:00:00
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为了在代工市场上获得更领先的地位，新加坡特许半导体(Chartered)透露了公司的全新发展路图，其中包括可能于明年开发出28nm制程。 特许已公开发布了45nm制程，目前已推向市场。特许大胆地向台湾竞争者发起了挑战，特许正在悄悄开发40nm半节点制程…
http://www.sichinamag.comhttp://article.sichinamag.com/2008-09/2008927103921.htm -- 2008-9-27 0:00:00
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据DigiTimes报道，为因应NAND Flash产业景气寒冬，以及进入传统淡季后价格进一步重挫，日系大厂东芝(Toshiba)计划在2009年第1季前，将制程技术全数转进43纳米，现有56纳米制程将逐步退役，届时东芝将是全球NAND Flash制造商成本结构最低者，为2009…
http://www.sichinamag.comhttp://article.sichinamag.com/2008-09/2008925105211.htm -- 2008-9-25 0:00:00
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