随着器件的特征尺寸越来越小，集成度越来越高，超大规模集成电路（ULSI）中设计的金属导线变细使得金属电阻增大，产生的热量增多，从而产生了严重的电迁移现象，同时由于线间电容和金属电阻增大引起的延迟（RC Delay）也不断恶化，这些都大…

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一种被称为有机硅烷(organosilane)的有机低K值介电材料能够形成铜互连用的粘合剂，比当前钽化合物的强度高5倍，Rensselaer工艺学院材料科学家日前称。 与IBM的T.J. Watson研究中心及Technion以色列技术学院研究人员协同合作的Ganapathiraman Ramanath表示：…

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美国蒙大拿州的半导体设备制造公司Semitool公司日前宣布，一家亚洲存储器制造厂商加入其铜互连客户群，此厂商拥有300mm存储器及逻辑器件生产线。 Semitool公司铜ECD部门总经理Klaus Pfeifer表示，这笔新业务进一步巩固了公司在铜互连领域的地位，我们…

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　　CuSolve铜刻蚀残留清洗设备属于选择性湿法去除刻蚀残留系列，都是专为铜/低k互连应用设计的。该系列产品可以保持CD，其目标应用是130-45 nm技术节点。EKC520是一种快速单晶圆清洗剂，可用于清洗残留和去除铜氧化物。EKC6910可以高效地清洗…

http://www.sichinamag.comhttp://article.sichinamag.com/2006-12/20061219080152.htm -- 2006-12-26 0:00:00

CuSolve铜刻蚀残留清洗设备属于选择性湿法去除刻蚀残留系列，都是专为铜/低k互连应用设计的。该系列产品可以保持CD，其目标应用是130-45 nm技术节点。EKC520是一种快速单晶圆清洁剂，可用于清洁残留和去除铜氧化物。EKC6910可以高效地清洁先制…

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　　造成铜电迁移（EM）的主要因素之一是铜线与叠层势垒介质之间的弱界面。为了改善该界面，已经开发了新的自对准CuSiN工艺。Crolles2 Alliance和 NEC Electronics的研究人员于几个月前在加利福尼亚州Burlingame召开的国际互连技术会议(IITC)上展示了他们…

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杜邦电子技术公司的子公司DuPont EKC Technology，昨日发布了一款新的用于半导体前道铜互连清洗工艺的产品系列。DuPont™ CuSolve™铜后蚀刻残渣去除剂是一种水性制剂，用来有选择性地从Cu/低K电介质互连线中去除后蚀刻残渣，可跨度几个…

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DuPont™ CuSolve™铜后蚀刻残渣去除剂是一种水性制剂，用来有选择性地从Cu/低K电介质互连线中去除后蚀刻残渣，可跨度几个工艺节点。这种残渣去除剂除去残渣和聚合物，维持CD尺寸，用于从130nm到45nm工艺节点的良品率提高。这个系列…

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　　摘要　通过对铜电镀化学试剂、覆盖层厚度以及退火等条件的优化，可以将晶粒散射效应降低到最小程度，使铜互连电阻率只受到导线表面散射效应的限制。 　　随着芯片尺寸的微缩，一些物理极限通常会从根本上对材料和工艺的功能产生限制。就光刻…

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　　互连工艺中第一次采用CMP是在Al互连中的钨塞（W Plug）的平坦化工艺中。主要原因是采用非选择性的WCVD工艺能够有效填充互连金属层之间的导通孔（Via），并具有良好的一致性。但是，随着器件尺寸的减小，结构性能越来越复杂，铝线的缺点越…

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　　随着科学技术的突飞猛进,半导体制造技术面临日新月异的变化，其中12英寸、90纳米技术和铜工艺被称为引导半导体发展趋势的三大浪潮。传统的半导体工艺是主要采用铝作为金属互联材料(Interconnect)，在信号延时(signal delay)上已经受到限制。人们寻…

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Novellus Systems Inc. today extended its copper barrier/seed roadmap with the acquisition of Santa Clara, Calif.-based Angstron Systems Inc., a supplier of atomic layer deposition (ALD) technology.The acquisition of the four-year-old start-up furthers the competition between Novellus and Applied Materials, which already has …

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At a Glance Ruthenium demonstrates potential as an effective copper diffusion barrier, and could greatly simplify the TaN/Ta/Cu barrier and seed layer processes now used. Ultra-thin films in CMOS technology with shrinking via dimensions create new challenges for PVD at ≤65 nm. Conformal films with excellent step coverage are e…

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　　铜互联和低介电常数材料的引入，以及双嵌入式结构的应用对CMP技术的发展起到了至关重要的影响作用。一个6层布线的MPU在制备过程中需要至少8次CMP工艺，可以说CMP对布线质量和产品性能起着非常关键的作用。如何去除线宽减小和低k材料使…

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Novellus Systems, Inc. 12月1日发布了在业界处于主导地位的SABRE Electrofill 系统升级版SABRE NExT (Nano Era xT)。 The new tool builds on the industry-leading production track record of Novellus' SABRE xT, offering enhanced chemistry, process refinements and new hardware features designed to tackle th…

http://www.sichinamag.comhttp://article.sichinamag.com/2003-12/20061121430460fa34.htm -- 2003-12-2 0:00:00