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据日经BP社报道，恩智浦-台积电研究中心（NXP-TSMC Research Center）近日开发出了把尖端CMOS LSI的布线中使用的材料用于MEMS元件封装的方法。该方法在把可动部的某个MEMS元件封入空穴的封装工艺中，使用了尖端LSI布线层中使用的low-k材料，…
http://www.sichinamag.comhttp://article.sichinamag.com/2008-01/2008123064729.htm -- 2008-1-23 0:00:00
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在超大规模集成电路工艺中，有着极好热稳定性、抗湿性的二氧化硅一直是金属互连线路间使用的主要绝缘材料，金属铝则是芯片中电路互连导线的主要材料。然而，相对于元件的微型化及集成度的增加，电路中导体连线数目不断的增多，使得导体连线…
http://www.sichinamag.comhttp://article.sichinamag.com/2006-08/200686042034.htm -- 2006-8-8 0:00:00
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至今为止，避免在器件中采用低k材料，设计人员提出了一个又一个奇思秒想的变通方法，以避免在器件中采用低K材料，但他们的选择却正变得越来越少（图1）。 Applied Materials（应用材料公司）薄膜产品事业部与公司基础工程部的资深副总裁和总经…
http://www.sichinamag.comhttp://article.sichinamag.com/2005-12/20051226053926.htm -- 2005-12-26 0:00:00
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摘要： 虽然半导体界认为最终还是需要采用低k材料，但迄今为止却一直是通过采用奇思秒想的变通方法来成功地限制它的使用。尽管低k材料存在着多孔性高、机械加工完整性差和工艺处理困难等一系列严重的问题，但这些都不是无法解决的问题。…
http://www.sichinamag.comhttp://article.sichinamag.com/2005-7/2006112143052f38e7.htm -- 2005-7-7 0:00:00
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Bernd Kastenmeier, Klaus Pfeifer and Andreas Knorr, International SEMATECH, Austin, Texas. At a glance: Sidewall damage can no longer be neglected in development work for the 45 nm node. Only in the absence of damage from etch and strip can porous low-k's yield improve over dense dielectrics. By driving interconnect dim…
http://www.sichinamag.comhttp://article.sichinamag.com/2005-11/2006112143051a5beb.htm -- 2005-2-17 0:00:00
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开发中的高级多孔SiLK树脂具有更小的孔径（davg<6 nm），同时仍然达到介电常数最低的领先水平（k=2.2）。SiLK是一系列旋转涂布的低-k ILD材料。第一代SiLK树脂为铜嵌入式工艺和铝/钨工艺提供了k=2.6的介电材料。多孔SiLK树脂的特点是封闭式…
http://www.sichinamag.comhttp://article.sichinamag.com/2004-3/200611214304789813.htm -- 2004-1-2 0:00:00
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由领先半导体制造商组成的国际Sematech联盟(ISMT)工程工作组目前认可了一种名为MSQ的多孔低K材料，采用193纳米波长光刻技术，用于在300mm直径的晶圆上、130纳米特征尺寸的双嵌入式铜工艺。 这种MSQ(methylsilsesquioxane)薄膜材料由硅氧及…
http://www.sichinamag.comhttp://article.sichinamag.com/2004-1/2006112143047a5745.htm -- 2004-1-2 0:00:00
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由领先半导体制造商组成的国际Sematech联盟(ISMT)工程工作组目前认可了一种名为MSQ的多孔渗水低K材料，采用193纳米波长光刻技术，用于在300mm直径的晶圆上加工130纳米特征尺寸的双嵌入式铜工艺。 这种MSQ(methylsilsesquioxane)薄膜材料由…
http://www.sichinamag.comhttp://article.sichinamag.com/2003-12/20061121430462e3dc.htm -- 2003-12-2 0:00:00
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在日本Eyoto召开的2003 VLSI技术和电路会议(2003 Symposia of VLSI Technology and Circuits)上，Intel Corp.披露了他们的三栅极晶体管的最新详细信息，并说他们的三栅极晶体管正从研究阶段转向实际开发阶段。自从去年首次发布三栅极晶体管的信息以来，Intel…
http://www.sichinamag.comhttp://article.sichinamag.com/2003-11/20061121430469649c.htm -- 2003-11-12 0:00:00
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Philips Advanced Metrology Systems (AMS) 宣布他们通过"SurfaceWave"技术提高了铜/低k半导体的成品率。The division of Royal Philips Electronics said this comes from an advance in the ability to non-destructively measure stiffness and density of low-k dielectric films. Traditional processes relied on nanoindenta…
http://www.sichinamag.comhttp://article.sichinamag.com/2003-10/200611214304569878.htm -- 2003-10-9 0:00:00
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