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半导体设备商Mattson Technology公司日前宣布，其最新系列Suprema(TM)光刻胶剥离系统收到订单。此订单来自一家领先的半导体制造商，将用于32nm节点高K及金属栅极的光刻胶剥离。Mattson称此订单意义重大，是第一套被客户用于逻辑器件开发的Suprema…
http://www.sichinamag.comhttp://article.sichinamag.com/2008-10/20081022020937.htm -- 2008-10-22 0:00:00
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XR-1541电子束光刻胶专为实现下一代直写光刻工艺技术开发所设计。先进的旋涂式光刻胶产品系列是以电子束取代传统光源产生光刻图案，可提供图形小至6纳米的无掩膜光刻技术能力。它由甲基异丁基酮带性溶剂中的含氢硅酸盐类树脂所构成，适用于…
http://www.sichinamag.comhttp://article.sichinamag.com/2008-09/2008929095505.htm -- 2008-10-1 0:00:00
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无论湿法去胶还是干法去胶，光刻胶去除工艺都需要在低k材料损伤、衬底硅材料损伤与光刻胶和其残余物去除效果之间取得平衡。 对于32 nm及更高技术节点，超浅结（USJ）工艺中的清洗成为最关键的前道（FEOL）清洗工艺，对此国际半导体蓝图…
http://www.sichinamag.comhttp://article.sichinamag.com/2008-09/2008929082410.htm -- 2008-11-6 0:00:00
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Sematech光刻胶测试中心（RTC）的研究人员表示，他们已经通过化学特征增强的EUV光刻胶平台，获得了22nm半节距分辨率，曝光速度为15mJ/cm2，线宽粗糙度(LWR) 达到5-6nm。 RTC表示，尽管LWR仍高于ITRS技术要求，但通过处理和刻蚀工艺，…
http://www.sichinamag.comhttp://article.sichinamag.com/2008-08/2008830063431.htm -- 2008-9-2 0:00:00
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Alpine满足65nm及更高节点的BEOL和FEOL应用中先进的低温光刻胶去胶工艺需求。该系统配置一个感应耦合等离子源和偏压能够独立控制低压下的离子能量和离子密度，使其对低k材料的损伤最小化。Alpine可为用户提供改进的形貌控制、低k材料保护和…
http://www.sichinamag.comhttp://article.sichinamag.com/2008-08/200888123731.htm -- 2008-8-11 0:00:00
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EKC Technology, part of DuPont Electronic Technologies, will introduce a new photoresist remover for Through Silicon Via (TSV) and Wafer Level Packaging (WLP) for copper pillar and solder bump applications at SEMICON West in San Francisco, July 15-17. This represents the latest innovation in the broad and growing portf…
http://www.sichinamag.comhttp://article.sichinamag.com/2008-07/2008714114055.htm -- 2008-7-14 0:00:00
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全球材料、应用技术及服务综合供应商美国道康宁公司电子部（Dow Corning Electronics）的硅晶片光刻解决方案事业部今日宣布正式开始供应Dow Corning® XR-1541电子束光刻胶，该产品是专为实现下一代、直写光刻工艺技术开发所设计。这一新型先进的旋…
http://www.sichinamag.comhttp://article.sichinamag.com/2008-06/2008630102459.htm -- 2008-6-30 0:00:00
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为了满足32nm和22nm半导体制程的需要，材料供应商Dow Corning Electronics硅光刻方案组近日发布XR-1541 E-Beam Resist光刻胶。 该款全新涂布式光刻胶可用于电子束光刻，还可用于无掩模光刻技术，最小精度可达6nm。Dow Corning硅光刻方案全球市场经理Jeff Br…
http://www.sichinamag.comhttp://article.sichinamag.com/2008-06/2008626110926.htm -- 2008-6-26 0:00:00
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WBR 2000系列干膜光刻胶材料主要用于包括电镀焊料、光印刷和铜柱凸点制造在内的先进半导体封装。采用该材料可以提高分辨率、速度，以及整片晶圆光刻胶厚度的一致性，此外工艺也更加简化并且占地更小。该材料并不需要溶剂的干燥过程，可以在…
http://www.sichinamag.comhttp://article.sichinamag.com/2008-06/200869124610.htm -- 2008-6-11 0:00:00
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对于前沿领域，极紫外线（EUV）光刻胶技术的研究要有助于解决一些由于193nm光刻技术不断向下延伸而面临的问题。 纽约州立大学阿尔巴尼分校纳米科学与工程学院（CNSE）副教授Robert Brainard正致力于研究EUV和193nm光刻技术所使用的新材…
http://www.sichinamag.comhttp://article.sichinamag.com/2008-04/200844023356.htm -- 2008-4-7 0:00:00
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JSR宣布开发出对应32nm级工艺的ArF浸液光刻的无顶涂层光刻胶。该公司本次开发出浸液用顶层保护膜的改良版，同时还开发出不需要顶层保护膜的无顶涂层光刻胶；并且同尼康及东京电子共同进行了光刻性能、缺陷、生产性等方面的评估，评估显示…
http://www.sichinamag.comhttp://article.sichinamag.com/2008-04/200844095418.htm -- 2008-4-7 0:00:00
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JSR宣布开发出对应32nm级工艺的ArF浸液光刻的无顶涂层光刻胶。该公司本次开发出浸液用顶层保护膜的改良版，同时还开发出不需要顶层保护膜的无顶涂层光刻胶。并且同尼康及东京电子共同进行了光刻性能、缺陷、生产性等方面的评估，评估显示可使…
http://www.sichinamag.comhttp://article.sichinamag.com/2008-03/2008326110720.htm -- 2008-3-26 0:00:00
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ACT系列材料融合了去胶剂和残留物去除剂的顶尖技术、应用于涉及Cu、Low-k、永久性内存等工艺制程中光刻胶去除及蚀刻残留物去除的单片清洗机台、喷射清洗机台和湿法清洗机台。清洗能力可与羟胺去除剂比拟，低成本高效能并可降低对环境的影响。…
http://www.sichinamag.comhttp://article.sichinamag.com/2008-03/2008317063042.htm -- 2008-3-17 0:00:00
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AnjiBPC-1000和AnjiBPC-2000A是专门为晶圆级凸点封装研发的光刻胶去除剂。其中AnjiBPC-1000针对湿膜工艺，AnjiBPC-2000A针对干膜工艺。该系列光刻胶去除剂的主要特点是工艺温度低，去胶能力特别强，同时金属攻击非常小，对凸点有良好的保护…
http://www.sichinamag.comhttp://article.sichinamag.com/2008-03/2008311083718.htm -- 2008-3-11 0:00:00
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Fujifilm日前宣布，面对业界大型半导体厂家开始量产45nm生产工艺产品，公司将导入液浸ArF曝光设备，以进一步加大开发力度，扩大业界最尖端ArF用光刻胶业务。 2006年该公司领先于其他公司成功开发出用于45nm生产工艺的、无顶涂层的ArF液浸…
http://www.sichinamag.comhttp://article.sichinamag.com/2008-03/2008310100242.htm -- 2008-3-10 0:00:00
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