Improving Yield with Macro Defect Inspection
采用大缺陷检测技术提升成品率

大缺陷检测主要应用于光刻工艺中，检测20um至50um的晶圆正面缺陷；微缺陷检测可适用所有前道工艺流程，可提供0.01um及更高分辨率的检测，但有些工艺中却无须如此高分辨率检测，并且检测取样带来低产量和高用户成本。先进的大缺陷检测可以检测0.5um至10um的晶圆正面、背部和边缘缺陷，搭建了大缺陷和微缺陷检测间的桥梁。

Inspection Requirements for <90nm
90nm以下工艺节点的检测需求

在90nm以及更高节点由于新材料的引入、新工艺的研发和未来光刻技术的使用，将带来更多缺陷问题，制造厂也将面临更大的经济性和技术性挑战；在0.13um缺陷问题主要集中于后段工艺，半导体发展到90和65nm时缺陷问题集中于前段工艺，电子束扫描是其中一种有效检测手段。电子束左右扫描方法（E-beam Swathing Scan），该方法1-2小时可以得到检测结果，相比其他扫描速度更快，更加适合量产要求；电子束扫描中电压对比方法的使用，以及DRAM、Flash以及Logic产品中采用电子束扫描方法关键缺陷检测的应用。

HHNEC Random Defect Limited Yield Enhancement Methodology
HHNEC应对随机缺陷的成品率提升解决方案

影响成品率因素的关系式Y=YsYR， HHNEC公司控制随机缺陷进而提升成品率的工艺流程和方法；将随机缺陷损失分割成与工艺相关的缺陷模式，分析选择其中影响成品率的重要的3-5个关键缺陷，明确所有者关系并设定目标，追溯其根源，通过不断的循环优化和过程控制，达到成品率提升的目的。

Device Drift And Characteristic Study Of Mix Signal Product
混合信号产品器件漂移和特性研究

基于Layout研究，器件的失配是失效的因素，通过Layout和工艺的优化提高NBTI测试工具的作用，在线的NBTI监测工具对消除这些实际问题十分及时有效。

Down to 32nm: an Integrated Approach to Inspection Challenges
整合技术应对32nm工艺节点检测挑战

32nm节点由于新材料、新设计和浸没式光刻等技术使得工艺更加复杂，亮场检测的分辨率限制和检测最小缺陷的尺寸受波长限制使得检测技术存在局限性；同时介绍了亮场检测、暗场检测和电子束扫描检测方法，指出通过使用偏振光可以检测更深的缺陷问题。

Product Engineering Yield Enhancement Methodology

一个良好的产品工程组需要结合工艺整合师、Module、测试工程师和FA专家进行成品率分析和FA诊断。

JMP Makes Yield Improvement Easier

无论是晶圆加工，还是成品率管理，有效的数据管理与分析能帮助我们在半导体产品的整个生命周期中洞察问题的关键，从而提升企业在整个产业链中的核心竞争力，然而数据的有效管理与分析利用恰恰是中国半导体企业与发达国家相比的“软肋”之一。