Process and Yield Control for the Nanotechnology Era
纳米技术时代的工艺和成品率控制

1． 更高的晶体管密度，对单位芯片上更多的功能和速度的需求，把工艺创新推向了新的高度。2． 新材料和新结构会带来了新的缺陷种类，这就意味着更多的新材料更多的缺陷，导致了成品率的下降。3． 当技术转向新的世代，成品率损失机理的数量、量级和复杂度都在增加，更快速的成品率学习意味着你能获得更多的利润。4． 器件的成品率是主要的利益点，成功的工艺控制可以增加单位晶圆收入；加快缺陷学习的时间；更快的工艺设备投资回报；更快的量产的速度；制造成本的降低；对设备的利用延续到下一个技术节点

0.25um Embeded Flash Memory Yield Rampup
0.25um 嵌入式闪存成品率提升

1． 闪存技术因其自身良好的特性成为嵌入式应用的一个选择2． 成品率提升的三个阶段实例分析 3． EFA和PFA是应用于嵌入式SoC产品的重要手段 4． CP test datalog、工艺/器件窗口检测、减少缺陷以及其他相关方法是提高嵌入式闪存成品率的关键。

Yield Challenges for 90 and65 nm
90和65纳米技术面临的成品率挑战

1. 随着器件的缩小，将在光刻、FEOL和BEOL遇到越来越多的挑战。2. 为获得更高的分辨率，光刻将转向DUV，晶圆的检测技术将随着光刻的发展而发展。3. 越来越复杂的OPC/RET、CD的控制、浸入式光刻缺陷的管理是光刻面临的主要问题。4. 在低K铜工艺后段中，对random缺陷和系统性缺陷的管理保证成品率的关键。对嵌入式缺陷采用在线FIB分析。5. FEOL成品率通过好的工艺集成方法、基于激光的深UV检测方法等来解决。

Materials that Help Improve Yields
帮助提高成品率的材料

1． 材料对工艺过程和产品缺陷的影响。2． 材料对比试验的验证方法及结果。3． 通过对材料进行分级，可以不断提升成品率。

Process Control for Sub-micron Era
亚微米时代工艺控制

1． 技术的创新引入了大量的新材料，新材料的整合引入新的缺陷，对工艺检测工具提出了更高的要求。2． 光罩复杂程度在不断增加，成本也水涨船高。增强的光罩大量增加了系统缺陷，需要对工艺控制进行前瞻性投资，增加抢先上市的优势。3． 不断减薄的栅氧、亚阈值电压泄漏和结泄漏产生了新的成品率和性能问题，泄漏与CD的变化和工艺控制息息相关。Ebeam是检测泄漏和Ni-Si piping defects的重要手段。4．DR的不断缩小要求更严格的工艺控制，散射量测CD控制成为控制栅CD的必要手段。

TSMC Yield Improvement Methodology
TSMC成品率提升方法

1． 成品率模型： 的定义和应用。2． Corner split的方法和定义。3． 失效分析手段：统计/数据分析、EFA、PFA的应用对成品率提升的影响。4． 技术服务支持包括设计规则的检查、工艺控制检测、投入量产和CNN处理。5．应用CP、FT、on-board测试等一系列测试确保成品率。

Advanced Cobalt Stripping Process for High Yield Salicide Formation
形成高成品率Salicide的先钴去除工艺

1． IC设计规则的缩小，结深、允许的硅损耗随之下降，硅化物的选择也相应变化。2． 未反应的金属和硅化物之间的选择性、电阻率、STI/扁强上残留物的去除等等都构成了Salicide面临的挑战。3． SPM常用于钴金属的选择性去除、最大程度上去除残留物。4． 灵活的批处理喷雾系统，有效的SPM可以有效去除钴残留物，获得低的缺陷密度和高的成品率。

SMIC Yield Management System
SMIC成品率管理系统

1． 强大和有效的成品率管理系统是成品率有效的检测和root cause的及时判断的有效保证。2． 对设备的分析需要从数据库中抓取数据和其状态分析进行。3． 从客户反馈、fab module、TD/DS、测试、工艺集成、RE/FA/TYS多方面着手提升成品率。4． 总体分析、WAT分析、在线分析、WIP、EFA、物理FA多方面进行成品率分析。5． 成品率管理面临的挑战。