随着硅片关键尺寸的持续缩小，对晶圆表面质量的要求也越来越高；表面的颗粒、金属沾污、有机物和自然氧化层、微粗糙度等都将会严重影响器件的成品率和进入下一步工艺的品质。在制造过程中，几乎每道工序都涉及到清洗；集成度越高，制造工序越多，所需的清洗工序也越多。贯穿整个ULSI制造工艺，单个硅晶圆需要清洗上百次，晶圆表面的清洗就成为了半导体生产中至关重要的环节。2007年8月9日，《半导体国际》第四届晶圆清洗研讨会在上海张江集电港龙东商务酒店圆满闭幕。会议吸引了200多名经理人和工程师，其中来自SMIC、TSMC、HHNEC、GSMC、Hynix-ST、ASMC、和舰、无锡华润、杭州海纳、深爱半导体等晶圆厂，另外还有TFT-LCD制造厂的工程师也积极参与了此次研讨会。针对制造工艺中的清洗案例和解决方案，晶圆厂和设备材料供应商的专家及经理人作了精彩的演讲，包括单晶圆清洗、兆声波清洗、喷淋法、浸泡法等各种清洗技术的应用等。听众和嘉宾的进行了积极的现场互动，气氛相当热烈。