在标准的IC制造工艺中，涉及晶圆清洗和表面预处理的工艺步骤就有100多步，在整个IC制造的发展过程中，湿法清洗一直以来在晶圆清洗中占着主导地位，其中浸泡式（批处理）和喷雾式（单晶圆）目前被广泛应用于半导体制造。近年来，人们对一些新型的晶圆清洗方法展开了研究，在90nm和更低节点的工艺中，已经开发了不同的晶圆清洗的化学物质和超临界清洗，包括湿法清洗、干法清洗和超临界流体清洗在内的各种清洗方法都获得了重要的发展。
《半导体国际》第五届清洗技术研讨会定位于深亚微米时代清洗技术之应用和挑战，将实用性和前瞻性作为本次研讨会的主要宗旨。
内容将涉及（不限于）：
- 前道清洗工艺控制（包括栅刻蚀后清洗，光刻胶的剥离/灰化等）
- 后道清洗工艺控制（包括金属层、互连层工艺以及凸点工艺中的清洗等）
- 清洗缺陷率的控制和降低
- 新型清洗材料的开发和应用
- 新材料（低k/高k等）、新器件结构对清洗的影响及其解决方案
时 间：2008年10月15日
地 点：上海龙东商务酒店
（上海市浦东龙东大道3000号龙东商务酒店二层多功能厅）
酒店电话：021-58969966
听 众：晶圆厂、设备材料供应商相关领域经理人和工程师
语 言：中文、英文皆可
我们盛情邀请您的参与，您将有机会与业界专家面对面的交流，共同探讨晶圆清洗技术的解决方案。
| Time Slot 2008-10-15 |
Action | Speaker | |
| 上 午 |
9:00-9:30 | Sign In | |
| 9:30-9:40 | Opening Speech | SI China | |
| 9:40-10:20 | Critical Clean Process Optimization for Metal Contamination Reduction | Raulor Guo, Diffusion Section Manager, GSMC | |
| 10:20-11:00 | Steam-Injected SPM Process for All-Wet Stripping of Implanted Photoresist | James Chu (Ming Mao), Field Applications Engineering Manager for Southeast Asia and Greater China, FSI International | |
| 11:00-11:15 | Tea Break | ||
| 11:15-11:50 | CoSi Polymer Flow Like Defect Improvement and Removal | Peter Wang,扩散区制程工程师, 苏州和舰科技 | |
| 11:50-12:30 | 清洗工艺在8吋 晶圆上的应用 | Chang Tao-Sheng，Etch Department Manager, TSMC (SH) Fab10 | |
| 12:30 | End and Lunch | ||
会议须知：
* 《半导体国际》杂志有权拒绝非相关人士参与；
* 设备、材料供应商收费RMB300/人（资料等费用），现场交费；
商务咨询：
孙小雨
E-mail: sunxiaoyu@idg-rbi.com.cn
电话：021-52415745
参会咨询：
孟宇
E-mail: mengyu@idg-rbi.com.cn
电话：010-66422042-229
| 主办单位： |  |
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| 支持单位： |  |
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| 赞助单位： |  |
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| 茶歇赞助 | |
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往届研讨会回顾：