光刻作为推动半导体制造技术的关键工艺一直以来备受业界的关注。近年来,随着器件尺寸的不断缩小,作为现有光学光刻技术的延伸,浸没式光刻因其能获得更高的数值孔径而实现更高的分辨率为业界所追捧,然而在以0.15微米以上技术为主流的中国半导体制造业,在引进海外技术先进技术的同时,我们更加关注如何推动国内光刻技术水平的发展,如何加快国产光刻设备业的研发创新,促进中国半导体制造业的持续快速发展。2007年10月25日,《半导体国际》第三届光刻技术研讨会将邀请国内外知名半导体制造商、光刻设备材料和工艺商、软件供应商及其他相关供应商从市场和技术两个层面共同探讨光刻技术的现状和发展趋势,以及所面临的问题、 挑战和机遇。本次研讨会的主题将涉及(不限于):
会议亮点:- 光刻胶处理及其发展趋势
- 光掩膜版的设计加工制造
- 光刻工艺控制,包括CD精确性、涂布均匀性、线边缘粗糙度等的控制
- 缺陷的检测和控制
- 光刻与其它工艺间的整合和优化
- 光刻技术趋势展望
- 软件对光刻技术的帮助
我们盛情邀请您的参与,您将有机会与业界专家面对面的交流,共同探讨光刻技术的解决方案。
时 间:2007年10月25日(8:30签到)
地 点:上海龙东商务酒店(上海市浦东龙东大道3000号龙东商务酒店二层多功能厅)
酒店电话:021-58969966
* 敬请关注研讨会最新信息更新,包括会议议程、演讲嘉宾和演讲主题等。
| 时 间 表 2007-10-25 |
演讲主题 | 演讲人及单位 | |
| 上 午 |
09:15-09:25 | Opening Speech | SI China |
| 09:25-10:05 | Lithography Defectivity Control “The Fight for Light” | Erez Ravid,Director of Marketing Inspection Division, PDC Applied Materials | |
| 10:05-10:45 | Practical Solution for 193nm Reticle Haze | Zhang Xue Song,Field Application Supervisor,Entegris China. | |
| 10:45-11:00 | Tea Break | ||
| 11:00-11:30 | Integrated Post-Tapeout Flow and Development of OPC Technology | Chi-Yuan Hung ,Member of Technical Staff of CTO office, Chartered Semiconductor Manufacturing | |
| 11:30-12:00 | The Development and Application of Domestic Advanced Photoresist | Ran Ruicheng, GM/General Engineer, Suzhou HuaFei Micro-electronic Materials, Inc. | |
| 12:00-13:30 | Lunch | ||
| 下 午 |
13:30-14:00 | Lithography Trend | Oliver Li,Senior Technical Manager,Logic Technology Development Center Litho Department,SMIC |
| 14:00-14:30 | A summary of photolithography in march 2007 | Wu Qiang, ASML | |
| 14:30 | The End | ||
| 14:40-15:30 | Panel Discussion | ||
会议须知:
* 《半导体国际》杂志有权拒绝非相关人士参与;
* 晶圆制造厂工程师免费;
* 设备材料供应商收费RMB200/人(午餐、资料等费用),现场交费;
演讲咨询:
钱敏
E-mail: hedyqian@idg-rbi.com.cn
电话:021-52411515-205
商务咨询:
孙小雨
E-mail: sunxiaoyu@idg-rbi.com.cn
电话:021-52415745
参会咨询:
孟宇
E-mail: mengyu@idg-rbi.com.cn
电话:010-66422042-229
| 主办单位: | ![]() |
|||
| 支持单位: | ||||
| 白金赞助: | ||||
| 黄金赞助: | ||||
| 白银赞助: | ||||
| 特别支持: | ||||
| 特别演讲: | ||||
相关链接:








