
光刻作为推动半导体制造技术的关键工艺一直以来备受业界的关注。近年来,随着器件尺寸的不断缩小,作为现有光学光刻技术的延伸,浸没式光刻因其能获得更高的数值孔径而实现更高的分辨率为业界所追捧,然而在以0.15微米以上技术为主流的中国半导体制造业,在引进海外技术先进技术的同时,我们更加关注如何推动国内光刻技术水平的发展,如何加快国产光刻设备业的研发创新,促进中国半导体制造业的持续快速发展。2007年10月25日,《半导体国际》第三届光刻技术研讨会于上海龙东商务酒店圆满结束,来自中芯国际和特许半导体,以及Applied Materials、Entegris、ASML、苏州华飞微电子材料公司的资深专家针对光刻技术的发展及应用和案例做了精彩的演讲,会议吸引了SMIC、HHNEC、TSMC、GSMC、Belling、ASMC等晶圆厂的众多工程师,互动气氛尤为热烈。会后,针对光刻经理人《半导体国际》举办了Pannel Discussion论坛,各位嘉宾竞相发言,探讨了光刻技术以及中国半导体产业现状和发展观,让我们在严峻的形势下看到未来的希望。

| 演讲嘉宾 |
演讲题目 |
资料下载 |
Erez Ravid,Director of Marketing Inspection Division, PDC Applied Materials |
光刻缺陷的控制 The Fight for Light
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| Zhang Xue Song,Field Application Supervisor,Entegris China. | 193nm掩膜版雾状缺陷解决方案 |
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| Chi-Yuan Hung ,Member of Technical Staff of CTO office, Chartered Semiconductor Manufacturing | 国内先进光刻胶的发展与应用
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| Ran Ruicheng, GM/General Engineer, Suzhou HuaFei Micro-electronic Materials, Inc. |
The Development and Application of Domestic Advanced Photoresist |
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| Oliver Li,Senior Technical Manager,Logic Technology Development Center Litho Department,SMIC |
光刻技术的发展趋势 |
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| Wu Qiang, ASML | A summary of photolithography in march 2007 |
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