半导体产业发展至今，大部分时间内Al互连技术都扮演了极为重要的角色，铝材料和SiO2一直作为制造集成电路中的微连线或配线；0.13微米以下的设计标准中，采用铝微连线制造的器件开始在可靠性方面出现问题，铜互连工艺应运而生。基于双大马士革的Cu工艺、高/低K介质材料等已成为业界热门话题，进一步改善互连性能的需求，推动今后互连技术的发展。
集成电路技术的进一步发展对互连性能提出更高的要求，不仅要求材料方面的进一步改进，还要求在互连的结构和设计方面进行革新，这些要求将加快互连技术的发展速度，使得各种新型互连技术趋于成熟，取代目前Al互连技术的主导地位。同时，在现有Al制程中通过工艺优化改善互连可靠性以提升成品率。《半导体国际》2008互连技术研讨会将邀请业内知名专家，与您共同探讨互连技术的发展与实际解决方案。
内容将涉及（不限于）：
- 集成电路互连技术的发展趋势、应用以及挑战
- 互连结构的设计
- Al/Cu制程互连工艺的实际案例分析（包括刻蚀、电镀、CMP等工艺点）
- 新型材料的应用及对互连可靠性的影响
- 新型互连工艺的研发及应用
时 间：2008年6月26日
地 点：上海龙东商务酒店
（上海市浦东龙东大道3000号龙东商务酒店二层多功能厅）
酒店电话：021-58969966
* 敬请关注研讨会最新信息更新（会议议程、演讲嘉宾和演讲主题
等）。
我们盛情邀请您的参与，您将有机会与业界专家面对面的交流，共同探讨成品率提升的解决方案。
会议须知：
* 《半导体国际》杂志有权拒绝非相关人士参与；
* 设备、材料供应商收费RMB300/人（资料等费用），现场交费；
商务咨询：
孙小雨
E-mail: sunxiaoyu@idg-rbi.com.cn
电话：021-52415745
参会咨询：
孟宇
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电话：010-66422042-229
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