zh-cnGoodspeed Rss5Thu, 08 Jan 2009 22:10:19 GMTFri, 19 Dec 2008 11:58:29 GMThttp://www.sichinamag.com/blog/rainrhythm/55657/message.aspx<p class="MsoNormal">&nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp; 日前，北京微电子国际研讨会暨中国半导体行业协会集成电路设计分会年会在北京召开。此次会议从规模、参与公司、参会人数和热情度、论坛设置上都超出上届，在北京冬季来临和全球半导体产业集体过冬的双重“寒意”下，似乎让人感到了丝丝温暖。</p> <p class="MsoNormal">&nbsp;</p> <p class="MsoNormal">&nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp; 在开幕致词上，中国半导体行业协会理事长俞忠钰表示，目前中国IC产业仍显“幼弱”，还存在一些问题待解决，但中国已经在从劳动密集型向知识、智力和技术性制造中心转移，中国市场的重要性也不断凸现。虽然全球经济不景气，但中国IC仍面临很多机遇，“863”重大专项也在实施，国际产业仍在向中国转移，合作在深入，未来中国IC产业仍将保持两位数的增长率。中国半导体行业协会集成电路设计分会理事长王芹生女士介绍说，2008年中国IC设计销售总额为345亿元，同比增长23.5%。产业由初创期迈向成熟期而进行理性调整，所以去年增速有所减缓，同时由于机会成本的上升，东部和沿海发达地区的企业正考虑向其他地区转移，西部的西安、成都、重庆和东北大连等将成为设计产业转移的目标地。此外，IC设计业通过兼并优化和破产转型，促进了优胜劣汰的健康发展。她表示，与系统厂商结合，从最高端设计芯片，为整机企业提供成套芯片是国内IC设计业的发展方向；同时，需要进行产品创新，在功能性、差异化、增值性等方面开拓新市场，并结合高效重组产业链资源，与上下游建立密切互动合作，才能迎接未来的挑战。全球半导体联盟（GSA）执行理事Jodi Shelton指出，不断增加的盈利和成本压力、产量激增而平均售价不断下跌以及新品快速上市对IC设计公司都是挑战，而IP整合和验证也变得越来越复杂和昂贵。她表示，对于中国IC设计公司目前还没有大的成功模式可以复制，需要有公司站出来充当这个角色。虽然产业表现不景气，但当前状况远好于2001年，2001年全球半导体销售暴跌32%，而2009年预期平均增长3%。半导体产业已经有丰富的经验应对周期性的增长衰退，这也启发了业内公司严格管理成本结构和现金状态。许多公司表示仍会获得销售额和利润的增长。尽管终端市场减慢但却更强，在产品和地理市场上更多样化，也将吸引具有创新力的初创公司涌入。</p> <p class="MsoNormal">&nbsp;</p> <p class="MsoNormal">&nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp; 面对经济危机，产业整合成为当前的热门话题。Elpida总裁兼CEO坂本幸雄表示，未来只有2-3家DRAM公司能生存。Synopsys全球副总裁兼亚太区总裁潘建岳指出，整合越来越集中，IC企业的创新能力、执行能力和合作能力是应对关键，中国IC企业最需要加强的是执行能力，即如何能将芯片制造出来。国内IC设计业若能订好自己的策略，可以在产业冬天实现跳跃发展。芯原董事长兼总裁戴伟民指出，中国IC Fabless在2007年达到562家的峰值，在接下来的5年内存活的活跃公司将减少到200家。</p> <p class="MsoNormal">&nbsp;</p> <p class="MsoNormal">&nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp; 在全球半导体产业衰退的时候，业界都将目光投向新兴市场，如中国、印度、俄罗斯、南美和非洲。TSMC副总经理罗镇球表示，IT业已经不是由发达国家主宰，而是转向新兴力量主导，如亚太区占据了手机销售的2/3，面对新形势，全行业产业链更要通力合作，齐心协力共创价值。戴伟民指出，中国IC市场仍将保持高速增长，2010年供需缺口将达到785亿美元，如何平衡本土需求将是公司存活的关键，Fabless+Design Foundry+Wafer Foundry的Digital 3.0模式将是中国IC产业的机会。本次研讨会“中国进军存储器市场的机会和风险”论坛上，与会专家更是探讨了中国发展DRAM的可行性。iSuppli存储器首席分析师Nam Hyung Kim指出，中国已是最大的PC市场，PC制造也从中国台湾转至大陆，加上低成本的制造和管理，大陆发展DRAM具有巨大潜力和商机，借鉴韩国和中国台湾的经验，大陆存储器供应商预期将在2012-2014年出现。Micron、Elpida和华美半导体协会表达了类似观点，而欧洲华人半导体协会会长朱琦表示，由于产业的不景气，德国DRAM产业遭遇巨大困难，中国日益成熟的技术和市场环境很有利于DRAM产业转移，这也是国内发展DRAM的良好机遇。目前的暂时性衰退，对于中国也许是个快速赶上的契机，如同2001年后的中国半导体产业。他还介绍说，近期将向政府提交DRAM的可行性报告，希望与协会共同推动中国DRAM产业链包括设计、制造的起步和发展。但从目前经济形势来看，这一愿景的实现还有漫漫长路。</p> <p class="MsoNormal">&nbsp;</p> <p class="MsoNormal">&nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp; 专题论坛之一的“半导体先进制程及工艺专场”也吸引了众多业内工程师。国际和国内领先的设备、材料供应商在此分享了技术经验和研发成果，期间多数嘉宾表示，在产业的低谷，业内公司更应该专注于技术研发，努力修炼内功，以期在产业春天来临的时候喷薄而出。的确，当前产业所有公司都感受到危机带来的压力，裁员、缩减开支、重组甚至倒闭的消息时有传出，在危机的背后，我们看到的是更多的“信心不足”；危机并不可怕，关键是我们以怎样的心态和行动去直面压力，渡过当前的难关。正如Mentor Graphics董事长兼CEO Walden C. Rhines所讲，复杂多变的市场需求为后来者提供了迎头赶上的机会，新公司的成长空间还很大，半导体一直在反整合，先进工艺的应用并未减缓，而VC在Fabless的投资也一直在增长，如果经济衰退不严重，半导体产能会严重不足。对于此，我们相信这更是一种面对困难的乐观态度和抗压信心，产业需要这样的信心加强合作、抱团取暖，这个冬天可能就不那么冷。</p></a>http://www.sichinamag.com/blog/rainrhythm/55657/message.aspx 晶圆工艺Tue, 18 Dec 2007 17:44:25 GMThttp://www.sichinamag.com/blog/rainrhythm/10978/message.aspx&nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp; 如何发展中国半导体设备业的讨论一直是近年业界的热点之一，完全自主技术是值得自豪的，与外资、外来技术合作的“借壳孵蛋”的方式也不失为一个良策。在日前召开的“北京微电子国际研讨会”半导体装备及零部件专场研讨中，如何看待本土化（Localization）和全球化（Globalization）成为大家关注的话题。<br><br>　　半导体产业链是一个高度国际化的合作过程，东电电子（上海）有限公司（TEL）总裁陈捷以东电的经验谈到了日本半导体装备业的成功之路。他介绍说，上世纪70年代末至80年代，日本本土的半导体产业开始迅速走上世界舞台，政策的扶持和本土制造厂对国产设备的支持，使得日本半导体设备商借此机会快速发展起来。TEL的成功一方面得益于技术的研发创新，另一方面也来自全球半导体的平稳环境。如今，对于中国市场，产业处于高速发展阶段，技术又将达到摩尔极限，本土厂商此时进入设备材料领域，将面临诸多竞争和挑战。半导体业大者恒强的局面很难改变，而晶圆厂从8寸转入12寸，产能迅速提高导致设备需求下降，同时8寸折旧设备的释放也加大了新设备进入的难度。<br><br>　　由于技术的管制、关键工艺设备的价格变得更加高昂和本土市场的巨大 <table align="left"> <tbody> <tr> <td id="Adimg"></td></tr></tbody></table>商机，中国需要发展自己的设备产业，来完善本土半导体产业链。陈捷指出，本土设备需要有开放的胸怀去接纳国外先进设备商，国产化不是狭义的，本土化不等于100%的中国制造和技术开发，能够自主创新是很好的，而对于先进技术的吸收和借鉴也很重要。他认为，本土厂商可以通过与国外领先公司合资的渠道获得技术与品牌效应，从而快速提升竞争力，以确保在进入设备业的初期就可以达到一定的成功，而关键的零组件将会是比较好的切入点；或者在行业低谷之时，收购一些技术Know-how和自主IP的国外公司，转到中国制造，从而跃上技术高点；或者走单机台多用途的mini-line等道路，避开与其他品牌竞争。同时，他指出，“18号文件”的出台已经使IC和FPD产业从中获利，政府需要制定更稳固和连贯的政策，扶持本土业者， IP保护也将是一个重点。陈捷认为，“以全球化的观念去吸收和学习领先地区和国家的半导体成功经验和技术，吸引更多全球的行业领先者植根于中国半导体业，使之制造和研发能力转移至中国，加强技术互动和合作，本土化和全球化应该很好地融合。”<br><br>　　低成本和市场驱动全球IC制造业向中国转移，同时带动了装备产业和技术的转移，目前国内主流IC装备领域的能力大为增强，建立了配套的高水平研发平台和团队。中国科学院微电子研究所所长叶甜春指出，从自主创新能力的角度看，核心技术和关键部件是创新体系的基础，目前国内有不少海外团队创业企业，他们的核心团队来自专业公司，掌握最新技术与理念，具有很强的行业背景和产品经验，这些公司成为了中国本土装备业的萌芽之一，也为国内企业的发展提供了很好的借鉴模式。这种模式在国内半导体设备业中比较盛行，并且取得了不少突破性进展，同时设备工艺也延伸到了芯片制造的一些核心制程中，例如离子注入、CVD甚至光刻机。他说道，“海外团队、国企改造、一流的平台和产业运作的结合，是一个迅速提高国内企业水平、层次和实力的快捷有效途径，如何利用全球化的资源实现本土化的制造是一个很有意义的课题。”<br><br>　　作为本土供应商代表，中微半导体设备公司材料运营总监Vic Meksavan认为，“本土化”就是设备和零部件的制造在中国完成，而这只是本土化的第一步；完成中国制造更需要优良的品质和过硬的技术，其中本土零部件产业的发展具有深远的意义。回顾中国台湾地区半导体设备业的发展，就是在研发先进工艺设备的同时抓住基础的零部件产业。半导体供应链是一个全球性的供应链，设备公司必须从国内外第一流的供应商采购最高质量的零部件来保证产品性能。Vic指出，产品质量和稳定性成为零部件本土化的关键，中国特别是长三角地区有开发高质量供应商的充分条件，中微在国内采购的高质量零部件的比例也在不断增长中。他表示，任何国家都不可能实现100%的纯本土化制造，加强业界协作将有利于提高效率和获益能力。<br><br>　　目前可以看到，本土设备商在技术上已经达到一定水平，但是如何把技术转化为市场，进而形成像领先国家那样的集团优势，还是值得探讨的问题。主流的半导体制造线较难看到本土设备商的身影，如何让他们认同并接纳，我们还有很长的路要走。http://www.sichinamag.com/blog/rainrhythm/10978/message.aspx 设备材料Tue, 04 Sep 2007 14:51:15 GMThttp://www.sichinamag.com/blog/rainrhythm/3036/message.aspx<p>随着硅片关键尺寸的持续缩小，对晶圆表面质量的要求也越来越高；表面的颗粒、金属沾污、有机物和自然氧化层、微粗糙度等都将会严重影响器件的成品率和进入下一步工艺的品质。在制造过程中，几乎每道工序都涉及到清洗；集成度越高，制造工序越多，所需的清洗工序也越多。贯穿整个ULSI制造工艺，单个硅晶圆需要清洗上百次，晶圆表面的清洗就成为了半导体生产中至关重要的环节。2007年8月9日，《半导体国际》第四届晶圆清洗研讨会在上海张江集电港龙东商务酒店圆满闭幕。会议吸引了200多名经理人和工程师，其中来自SMIC、TSMC、HHNEC、GSMC、Hynix-ST、ASMC、和舰、无锡华润、杭州海纳、深爱半导体等晶圆厂，另外还有TFT-LCD制造厂的工程师也积极参与了此次研讨会。针对制造工艺中的清洗案例和解决方案，晶圆厂和设备材料供应商的专家及经理人作了精彩的演讲，包括单晶圆清洗、兆声波清洗、喷淋法、浸泡法等各种清洗技术的应用等。听众和嘉宾的进行了积极的现场互动，气氛相当热烈。</p> <p>清洗领域目前占统治地位的硅片表面清洗方法是湿法工艺，工业标准湿法清洗工艺是RCA清洗工艺，由SC-1和SC-2化学溶液组成。在结合RCA溶液清洗产生了新的湿法工艺，兆声波清洗是其中之一。兆声清洗采用接近MHz的超声能量，利用气穴现象和声流，在更低的温度下（30°C）实现了更有效的颗粒去除。来自Crest Ultrasonics的R. Nagarajan博士介绍了兆声清洗的频率范围、不同频段下气穴和声流对清洗效果的影响，以及评估了高频兆声清洗效果的试验结果。他指出，兆声清洗可以清除亚微米的污染且不会出现超声清洗因成穴诱生的蚀损斑；通过图表比较430KHz的振荡频率，MSI 470KHz可达到更一致的清洗效果，而多重萃取法可同时量化清洗效率和潜在的侵蚀现象。</p> <p>SEZ亚太区技术营销经理洪连发介绍了铜工艺后段清洗解决方案。带背面喷嘴的双面卡盘可用于原位正面/斜面聚合物去除；只清洗斜面（BCO）工艺单元适用于正面/斜面聚合物去除和斜面薄膜刻蚀；结合兆声清洗系统可增强聚合物移除工艺的清洗效率，采用低RPM卡盘的更宽工艺窗口适应各种不同反应速率的化学品。</p> <p>华虹NEC湿法在线部Fab1工程3部经理柯炼从CD测试的角度分析了Al线刻蚀后湿法清除聚合物过程带来的影响。他指出，药液的刻蚀作用会改变CD的测试波形，由于处理时间短，单片式机台的刻蚀作用小；为减小刻蚀作用，在工艺条件上可追加干燥程序，而在设备相关管路中增加监控系统可降低机台不稳定导致CD测试波形变化的可能性。</p> <p><br>随着新材料如高K介质和金属栅电极的引入，以及关键尺寸的紧缩，需要多重选择性刻蚀的化学溶液，在大批量生产的湿法制程中需要对高稀释的多组分清洗化学剂进行实时监控，精确、快速地分析各组分成分和浓度以达到更好的成品率控制。ECI Technology大中国区业务拓展经理Chenting Lin指出了目前一些In-Situ监控方法的局限性，光谱法和电阻分析法多用于单组分解决方案，而滴定法具有高精度和稳定性，但对于实时监控却显得过于缓慢；他介绍了近红外光谱法（NIR）分析的多种优势，展示了对SC1、DSP+等溶液的分析应用，指出超低噪音的NIR分析法可以探测高稀释溶液光谱变化，采用的多通道技术可吸收多个组分光谱，并解析多个方程式以得到准确的结果，分析仪可同时监控组分浓度和工艺参数。</p> <p>借用ITRS线路图，Entegris液体微污染控制部门的全球产品支持经理陈柏嘉指出，随着更高制程技术的引进，关键颗粒变小，对于纳米级颗粒和金属离子污染的控制变得越发关键，而不同工艺状况下对于颗粒和金属污染控制的需求也不同，在不同的技术节点需要使用不同的过滤器；为了更好的清洗表面和避免污染，必须要使用高流量和高过滤效率的过滤器。通过一系列实验数据分析，他指出新研发的特殊结构滤膜的小孔径过滤器也可以实现高流量，从而兼顾了过滤更小关键颗粒和实现高效清洗。</p> <p>来自宏力半导体公司的孙震海博士分享了微滴喷雾方法进行微粒去除的计算和研究。微粒particle因为各种力的作用（静电力、范德瓦尔茨力等）落在wafer表面，针对喷淋清洗中最基本的液滴撞击想象，建立模型观察微粒和液滴之间的撞击情况，他指出在同样大小的液滴尺寸和表面条件下，撞击速度越大，去除作用力越大；在液滴以同样的速度撞击晶圆上微粒的瞬间，干的wafe表面和湿的wafe表面相比较，干表面wafer上的微粒形成压力梯度，上边压力大于下边，更有利于晶圆表面微粒的去除。</p> <p>光阻的去除是困扰晶圆制造的问题之一，与微粒去除相较并不轻松，甚至于去除的效率也严重的影响了制程的成品率与速度。减少光阻去除时间，相信就能对整个晶圆厂带来更大的效益，这也是全湿法光阻去除法能够取代灰化步骤的原因之一。FSI国际东南亚和大中华区应用经理楚明茂指出，随着制程的细微化前进到65nm及更高节点，在晶圆的蚀刻清洗方面，如何满足客户在技术与制程的支持、制造成本和产品质量的要求也是重要的课题。他介绍了FSI喷雾清洗平台——ZETA系统清洗解决方案在减少表面损害、材料损失、制造周期时间和资金投入的帮助。随着已注入光刻胶的应用不断上升，可允许的材料损失和表面损坏水平程度不断下降，以及不断提升的制造效率需求，IC制造过程中的光刻胶去除已经成为业界的挑战。</p> <p><br>半导体器件尤其是先进的存储器件尺寸的紧缩，要求更有效的表面预处理工艺实现高的纵横比接触，刻蚀后残渣的去除工艺以避免接触和通孔内光阻残留问题，另外金属层间绝缘层使用混合电介质，需采取适当的刻蚀速率避免氧化物层出现“凹槽”或“阶梯”。SACHEM业务拓展部经理Russell Stevens介绍，传统的刻蚀后与金属沉积前表面预处理工艺包括BOE刻蚀等，但这些都存在预处理能力（选择比）的局限；通过实验，采用新型的非水溶媒的混合化学溶液对于掺杂和非掺杂氧化物膜来说，都被证明有较好的处理效果。</p> <p><br>在半导体生产工艺中，需要大量的超纯水来清洗晶片。保证水纯度的高质量对制造厂来说非常重要，可以防止晶片上的超微结构被损坏。瑞士SWAN公司亚太区总经理Lukas Staub与晶圆厂的工程师分享了SWAN在水质分析和监控方面的经验：为获得可靠的准确的检测报告，需要获得工艺参数值、采样流体的速度和温度，另外传感器电极的检查以及反应剂和电解液的使用情况也将影响检测结果。</p> <p><br>ITRS前道清洗工艺线路图上指出，至2008年DRAM半节距达到57nm，晶圆表面关键微粒尺寸达到28.4nm、数目为94.8个，更高节点需要更有效的工艺和污染控制方案。Semitool东南亚区制程经理Timothy Stolt介绍了传统的Wet Batch工艺方法，指出了其在300mm应用的一些不足，比如氧化物损失、栅结构的破坏、较差的晶圆间控制和批次可重复性等。同时，他提出了Semitool单晶圆清洗的解决方法，采用不同于传统WET BENCH的清洗液配比，结合臭氧和兆声清洗等，发挥单晶圆清洗制程的最大效益。</p> <p>中芯国际扩散与湿法清洗部门经理朴松源介绍了对使用单晶圆清洗平台进行全湿法光阻去除工艺的评估。他指出，超大规模CMOS制造技术发展到65nm及更高技术节点，LDD（轻掺杂漏区）结变得越来越窄。LDD区域中的杂质分布越来越靠近衬底表面。由于杂质丢失带来的表现将影响到器件的性能，LDD离子注入PR去除后工艺正变得越来越重要。灰化和后清洗工艺需要仔细的研究以在剂量损失和缺陷表现上取得满意的结果。他介绍道，“因为O2等离子灰化（高能量）和湿槽工艺（高材料损失和低PRE）的本性使然，一些 LDD回路PR去除清洗的新方法开始被评估。在满足令人满意的COO和产能前提下，根据缺陷、材料损失、周期时间的减少等方面的表现，在单晶圆全湿法PR去除清洗工艺中评估结果表现良好，但器件性能的认证将要继续深入研究。”</p> <p><br>目前，国内晶圆厂不断增加，而技术上也将导入更先进的工艺，如何面对晶圆越来越苛刻的表面质量要求并提升成品率，将是众多晶圆制造厂的经理人及工程师面对的课题，清洗这一焦点话题将持续引起广泛兴趣，依托《半导体国际》这一平台，越来越多的工程师可以此分享清洗领域的经验和先进技术。<br></p>http://www.sichinamag.com/blog/rainrhythm/3036/message.aspx 清洗Mon, 03 Sep 2007 11:56:47 GMThttp://www.sichinamag.com/blog/rainrhythm/3015/message.aspx<p align="left">&nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp; (发表于2007-06）</p> <p align="left">&nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp; 半导体制造业如何降低成本、缩短交期、提升成品率，都成为面对全球竞争的关键。由于成品率的损失造成成本的提升，因此各半导体厂莫不急于藉由各种分析手法,针对生产过程进行严格监控，以达到成品率提升的最终目的。2007年5月24日，《半导体国际》第三届成品率提升研讨会延续了其系列研讨会一贯的技术风格和高品质，在上海龙东商务酒店成功举办。本次成品率提升研讨会汇聚了来自主要的晶圆厂和设备及软件供应商的成品率提升技术方面的专家和经理人，针对90nm及以下工艺节点成品率提升解决方案和实际案例进行了精彩的演讲，与到会的200多位工程师共同分享了宝贵的经验和技术，互动气氛尤为热烈。<br><br>　　随着半导体制造工艺向90nm及更高技术节点发展，对晶圆边缘和背面缺陷的检测要求变得越来越重要，晶圆边缘缺陷检测就会占30％的比重；而不断增加的正面缺陷追溯其源头可能是来自晶圆的背部和边缘缺陷。针对传统的大缺陷检测和微缺陷检测之间被忽略的部分，Rudolph Technologies公司提出了先进的大缺陷检测（Advanced Macro Defect Inspection）解决方案。Rudolph Technologies中国分公司的应用经理戴弘毅介绍，大缺陷检测主要应用于光刻工艺中，检测20um至50um的晶圆正面缺陷；微缺陷检测可适用所有前道工艺流程，可提供0.01um及更高分辨率的检测，但有些工艺中却无须如此高分辨率检测，并且检测取样带来低产量和高用户成本。先进的大缺陷检测可以检测0.5um至10um的晶圆正面、背部和边缘缺陷，搭建了大缺陷和微缺陷检测间的桥梁。<br></p> <p align="left"><br>　　KLA-Tencor中国公司战略营销二部总经理张赞彬指出，在90nm以及更高节点由于新材料的引入、新工艺的研发和未来光刻技术的使用，将带来更多缺陷问题，制造厂也将面临更大的经济性和技术性挑战；在0.13um缺陷问题主要集中于后段工艺，半导体发展到90和65nm时缺陷问题集中于前段工艺，电子束扫描是其中一种有效检测手段。张赞彬介绍了电子束左右扫描方法（E-beam Swathing Scan），该方法1-2小时可以得到检测结果，相比其他扫描速度更快，更加适合量产要求；同时，他介绍了电子束扫描中电压对比方法的使用，以及DRAM、Flash以及Logic产品中采用电子束扫描方法关键缺陷检测的应用。<br><br>　　通常造成IC成品率损失最主要的原因之一是晶圆上的缺陷，一般缺陷空间图样主要可分两类，分别为系统性缺陷(Systematic defect)及随机性缺陷(Random defect)。随机性缺陷图样主要为随机落于晶圆上的空气中微粒所造成；系统性缺陷图样主要成因则如刮伤、光罩未对准或化学物质污损甚至过度蚀刻等诸多因素所造成的。引入影响成品率因素的关系式Y=Y_sY_R，HHNEC Fab1 YE部门经理殷建斐介绍了HHNEC公司控制随机缺陷进而提升成品率的工艺流程和方法。通过众多图表的分析，殷建斐指出在该流程中HHNEC将随机缺陷损失分割成与工艺相关的缺陷模式，分析选择其中影响成品率的重要的3-5个关键缺陷，明确所有者关系并设定目标，追溯其根源，通过不断的循环优化和过程控制，达到成品率提升的目的，该流程在加速HHNEC 0.18um工艺成品率提升上起到了相当有效的作用。</p> <p align="left"><br>　　应用材料的萧思群博士分析了半导体工业发展的一些工艺趋势，以及工艺延伸至32nm技术节点时更紧密设计规则下缺陷检测面临的挑战。他指出在32nm节点由于新材料、新设计和浸没式光刻等技术使得工艺更加复杂，亮场检测的分辨率限制和检测最小缺陷的尺寸受波长限制使得检测技术存在局限性；同时介绍了亮场检测、暗场检测和电子束扫描检测方法，指出通过使用偏振光可以检测更深的缺陷问题。<br><br>　　针对在实际制造中遇到的成品率损失的案例，通过剖析具体问题、找出根源和提出解决方案的过程，来自TSMC的黄启伦对混合信号产品中器件漂移和特征作了深入分析。他指出，基于Layout研究，器件的失配是失效的因素，通过Layout和工艺的优化提高NBTI测试工具的作用，在线的NBTI监测工具对消除这些实际问题十分及时有效。<br><br>　　基于国内Fab厂的制造经验，中芯国际的彭家成从成品率管理的的角度介绍了在成品率提升过程中产品工程组的功能以及EDA成品率分析流程和PFA流程及相关方法的使用，他指出一个良好的产品工程组需要结合工艺整合师、Module、测试工程师和FA专家进行成品率分析和FA诊断；多年的经验累积，他告诫国内的工程师需要脚踏实地做好产品工程师，并要有一种务实求知的态度，而这正是所有半导体工程师需要的一种精神。<br><br>　　通过将统计知识和半导体工艺的结合，来自六西格玛领域的黑带大师、JMP公司的中国区高级咨询经理William Zhou从与众不同的角度介绍了成品率管理的方法。有效的数据管理和分析可以帮助工程师在半导体产品整个生命周期洞察问题的关键，他指出中国半导体企业与发达国家相比的软肋之一也在于此。<br><br>　　半导体业界专家和经理人的演讲给与会者带来了各种提升良率的经验和技术，在随后的成品率提升论坛上，台上台下互动的气氛更加热烈，讨论更加开放和多元化，其中涉及：如何平衡Fab产能与成品率之间的关系；Fab厂一些快速提升成品率的成功经验分享；Fab与Fabless在成品率提升上该如何协作；在先进工艺情况的低成品率下，领先半导体公司制造芯片的出发点；Fab厂在人才引进和培养方面如何应对半导体产业越来越苛刻的挑战，以及公司研发力度和国家政策对半导体产业的影响。众多极具吸引力的话题把研讨会推向了高潮。<br></p> <p align="center"><a href="http://www.sichinamag.com/images/article/effa1df7-c2a2-422d-a0a9-fa5f8cc9f253/21.jpg" target=_blank><img height="276" alt="点击看大图" src="http://www.sichinamag.com/images/article/effa1df7-c2a2-422d-a0a9-fa5f8cc9f253/21.jpg" width="400"></a></p>http://www.sichinamag.com/blog/rainrhythm/3015/message.aspx 成品率管理Thu, 02 Aug 2007 18:21:02 GMThttp://www.sichinamag.com/blog/rainrhythm/1252/message.aspx<p class="MsoNormal">&nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp; 台湾“经济部”近日在“投资审查会议”上通过了日月光、硅品、超丰、华东四家公司赴中国大陆投资半导体封装测试厂的申请。7月4日，四家台湾地区半导体封装测试企业公开了在中国</a>大陆投资的最新计划，总投资额达1亿美元。目前全球半导体制造业向中国大陆转移已经成为不可逆转的趋势，中国台湾当局也开始顺应这一潮流。台当局在封测投资上的“规模性开放”，对大陆来说，或许是市场换技术的又一次上演，但是否真能换来先进封测技术呢？</p> <p class="MsoNormal">&nbsp;</p> <p class="MsoNormal">&nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp; 纵观目前大陆的半导体封测市场，国际领先IDM大厂在国内皆有封测布局，台湾厂商进入步伐似乎稍显迟缓，甚至显得落后。已经登陆的部分企业，也因为核心技术无法用于大陆生产基地，因此，至今仍维持着低端产品的生产。但是，从发展的观点看，台湾封测厂西进以低阶封测技术为主，高端的封装产品仍将放在台湾本土进行生产，这种制造上的转移对于目前的大陆封测业来说，在技术上没有太大亮点。</p> <p class="MsoNormal">&nbsp;</p> <p class="MsoNormal">&nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp; 从产业布局上来看，台湾封测公司的迁移可以带动尚处于起步阶段的国内封测业，对国内半导体产业链的完善和发展起着促进作用。而且，素以低成本和精细化管理著称的台湾地区封测企业的涌入，也势必对大陆封测厂的经营提出更高的挑战。目前本土封测厂为数不少，多点开花的局面和不断增长的销售额显示出国内封测市场的蓬勃生机，但真正形成规模、拥有核心技术和高附加值生产的本土企业却屈指可数。</p> <p class="MsoNormal">&nbsp;</p> <p class="MsoNormal">&nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp; 随着数字电视、信息家电和3G应用等消费及通信领域技术的迅猛发展，国内IC市场对高端电路产品的需求不断增加，中高端封装产品的市场需求已呈现出较大的增长态势。根据市场</a>研究公司Gartner所发表的最新调查报告，2006年全球半导体合约封测</a>服务(SATS)市场成长</a>26.5%，达到192亿美元的规模；成长速度在2006年再度超过整体半导体市场，充分反映出芯片级封装(CSP)、覆晶封装、系统封装(SiP)和3D封装需求强劲成长，所带来的委外代工服务成长。</p> <p class="MsoNormal">&nbsp;</p>&nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp; 先进的封装技术将在越来越广泛的领域受到重视，其所占市场份额和高附加利润值驱使更多厂商加大该领域的研发力量。硅品精密董事长林文伯曾预测，“即使大陆</a>地区开始重视高阶封装技术</a>，大陆高阶封装技术可能得等到2010年才会赶上台湾。”摆在眼前的是，大陆的封测厂如何在本就落后的工艺技术上逐步缩小与国际先进封装测试技术间的差距，加快导入高附加价值技术，进而提升毛利率。http://www.sichinamag.com/blog/rainrhythm/1252/message.aspx 封装测试