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看到了一篇关于45纳米处理器测试封装要求的文章，拷贝在下边，和大家分享一下。
英特尔基于45纳米制程的处理器已经发布已经有些日子了，相信大家对45纳米技术都有了一个简单的了解，最近有些热心的网友在问还没有看到45纳米的至强处理器上市，是不是在产能方面出现了问题？在测试和封装时又有哪些要求呢？
借此问题笔者咨询了英特尔的相关技术专家。得到的答案是：首先在产能方面，当研发出来以后，摆在眼前的最大问题就是如何大幅度的量产。要建造这样一个新工厂所需要的花费平均是30亿美金。投资成本相对较高，当然也有的工厂是旧厂改造的。
按照改造成本来计算，例：从90纳米到65纳米如果盖全新的厂房是20亿美金，但是从旧厂到新厂大概是10至15亿美金，从表面上看是投资成本节约了，但是有一定的风险。上述两种方法，目前英特尔都会采用，旧厂有的是更新设备、更新标准，还有一方法就是重新盖新厂。现在，Intel计划以3座晶圆厂生产45nm产品，位于美国奥勒岗洲(Oregon, USA)的D1D晶圆厂及美国亚利桑那洲(Arizona, USA)的Fab32晶圆厂，将率先于2007年下半年导入45nm制程，还有就是以色列(Israel)的Fab 28则，预定于2008年上半年投入45nm生产行列。
对于测试和封装的要求
众所周知，45纳米工艺采用了新的hi-K材料。采用新材料就是为周长要缩小到原来的一半，使各个地方都变薄了，让联线的线宽也变成45纳米了。线宽短了会造成联线不稳，这也是45纳米在成功量产前需要克服的一个难点。早在90年代后半段，在半导体领域科学家们在寻找一种替代二氧化硅的材料。对于英特尔采用的这种材料目前还没有申请专利，这种材料要不是排斥电子，要不是吸附电子，金属鉿这种材料K值很好，当然也需要粘剂好才可以。以前处理器在加电后，在一秒钟时间内可以吸附10个电荷，现在鉿这种材料如果加电后需要两秒或十秒就不能用了。有的材料与硅不兼容，在制造过程中就会存在问题。因此最终选定鉿这中金属是在，多宽、多高、反复实验才得来的。由此可见，这种材料在英特尔研发和设计的过程中也经过了不少周折。
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