zh-cnGoodspeed Rss10Tue, 02 Dec 2008 13:32:25 GMTMon, 10 Nov 2008 23:50:20 GMThttp://www.sichinamag.com/blog/bosee/40694/message.aspx<p>据8月21日的《科学》杂志报道说，一种新的电脑模拟显示了巨型星球是如何在一个巨大的黑洞周围形成，这种结果挑战了传统的看法并提供人们有关恒星形成的一种新的解释。Ian Bonnell 和 William Rice所开发出的这种电脑模拟展示了气云是如何与巨型黑洞进行相互作用并形成偏心星盘，以及它接着如何崩解成为维持偏心形状的巨型星球。他们的发现与在我们银河星系的实际观察是一致的，这些观察表明，银河星系中有一个巨大的黑洞，其四周有着巨大且偏心的星球。以前，研究人员认为，黑洞的重力和高能性力量会破坏任何如分子云一样脆弱的东西，并在它能够形成任何星球样实体之前就会遭遇彻底的毁灭。但是，这一新的电脑模拟提出了气云即使是在黑洞存在的情况下仍然可以形成星球的证据，而且，如果该气云足够巨大的话，那么，它们形成的星球可能也会是极端巨大的。一则由Philip Armitage撰写的Perspective以我们的星系作为背景对这一发现的涵义进行了讨论，并且还提出了关于气云起源的有关问题。</p>http://www.sichinamag.com/blog/bosee/40694/message.aspx 写意人生Mon, 10 Nov 2008 23:43:04 GMThttp://www.sichinamag.com/blog/bosee/40693/message.aspx<p>想要手机、笔记本电脑和数字音乐播放器有更大容量和寿命更长的电池？“花朵电池”可能是一个解决方案。化学家报告说他们开发了花朵形状的纳米颗粒，拥有比传统电池材料更优异的电性能。这组科学家在美国化学会《纳米快报》月刊上发表的一份报告中说，这些“纳米花朵”可能为下一代电子设备提供能源。</p> <p>Gaoping Cao及其同事指出，纳米花朵并不是新的。科学家利用不同的材料已经开发出了各种类型的花朵形状的纳米颗粒，包括利用氧化锰——为传统电池提供能源的关键金属成分。然而，这组科学家说上一代的纳米花朵不适合未来的电子产品，它们需要更多的能量和更长的电池寿命。</p> <p>在这项新的研究中，科学家首先生长出了碳纳米管簇，这是由纯碳构成的细线，是人的头发直径的5万分之一，已知它们具有优异的导电性能。这组科学家然后利用一种称为“电沉积”的简单、低成本的涂敷技术让碳纳米管上沉积了氧化锰，结果产生了纳米尺寸的簇，在电子显微镜下观察，它们类似于微小的蒲公英。这组科学家说，结果产生了一个高贮能能力、长寿命和比传统电池材料效率更高的电池系统。</p>http://www.sichinamag.com/blog/bosee/40693/message.aspx IC设计与软件Wed, 06 Aug 2008 18:42:42 GMThttp://www.sichinamag.com/blog/bosee/29368/message.aspx&nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp; 以现在来看，AMD相比于Intel仅有的优势就在于内存的表现和互联速度，然而Nehalem则也在这方面有所改进，可以说Intel留给AMD的空 间已经几乎没有了。Intel的设计将会让Nehalem的内存存取速度两倍于Penryn。对于AMD来说，除非其Bobcat和Bulldozer核 心有相当大的改进，否则AMD的CPU将在未来难以与Intel进行竞争。 <font color="#ffffff"></font> <p align="left">　　Intel同时为Nehalem增加了第二级TLB，这与我们前面所说的二级分支猜测器有点相似。由于一级TLB的实际效果并不是很好，然而加入第二级TLB后性能表现会有所提升，而延迟也会有所降低。 <font color="#ffffff"></font></p> <p align="left">　　TLB增强对于服务器的工作会有极端明显的效果，我们怀疑Intel正在寻求让Nehalem取代Opteron的地位。 <div class="Bek712"></div> <p></p> <p align="center">&nbsp;<a href="http://www.sichinamag.com/Upload/Blog/2008/8/6/3b644c8f-5921-4495-952b-f41f92a51d56.jpg" target=_blank><img height="266" alt="点击看大图" src="http://www.sichinamag.com/Upload/Blog/2008/8/6/3b644c8f-5921-4495-952b-f41f92a51d56.jpg" width="400"></a> <p class="Bek712"></p> <p></p> <p align="left">　　第一个高端Nehalem平台将会集成三通道DDR3内存控制，同时支持DDR3-800，1066和1333。 <div class="Bek712"></div> <p></p> <p align="center">&nbsp;<a href="http://www.sichinamag.com/Upload/Blog/2008/8/6/f22556e3-4fa4-45af-b8c3-3e54af70a14c.jpg" target=_blank><img height="266" alt="点击看大图" src="http://www.sichinamag.com/Upload/Blog/2008/8/6/f22556e3-4fa4-45af-b8c3-3e54af70a14c.jpg" width="400"></a><span class="Bek712"></span></p> <p align="left">　　在服务器方面，我们能够见到Nehalem的IMC能够提供内存的认证支持。 <div class="Bek712"></div> <p></p> <p align="left"><strong>四、英特尔32nm袭来！</strong> <font color="#ffffff"></font></p> <p align="left">　　Intel同样对32nm处理器进行了一个小升级，包括Westmere(以Nehalem为基础的32nm)和Sandy Bridge(32nm，全新的架构)。 <div class="Bek712"></div> <p></p> <p align="center">&nbsp;<a href="http://www.sichinamag.com/Upload/Blog/2008/8/6/c83aa157-4cd9-4b15-9b76-05d4c37b8e7e.jpg" target=_blank><img height="266" alt="点击看大图" src="http://www.sichinamag.com/Upload/Blog/2008/8/6/c83aa157-4cd9-4b15-9b76-05d4c37b8e7e.jpg" width="400"></a><span class="Bek712"></span></p> <p align="left">　　关于Westmere的问题开始变得清楚，而且Intel着重说明，他们打算为CPU增加新的向量指令。 <span class="Bek712"></span></p> <p align="center">&nbsp;<a href="http://www.sichinamag.com/Upload/Blog/2008/8/6/d303f60c-da7a-449e-b56c-b5aef66caeb7.jpg" target=_blank><img height="266" alt="点击看大图" src="http://www.sichinamag.com/Upload/Blog/2008/8/6/d303f60c-da7a-449e-b56c-b5aef66caeb7.jpg" width="400"></a> <p class="Bek712"></p> <p></p> <p align="left">　　英特尔高级向量扩展(AVX)将不会再Westmere中出现。但是Sandy Bridge将会提供256位向量工作支持。关于这方面的具体情况，在即将到来的中国IDF中，英特尔会具体地进行介绍。 <font color="#ffffff"></font></p> <p align="left"><strong>五、英特尔2009年要杀绝GPU市场!</strong> <font color="#ffffff"></font></p> <p align="left">　　最后讨论的主题就是Larrabee，英特尔高度并行的微型处理器结构让它能够很好地适应3D显示程序的需要： <font color="#ffffff"></font></p> <p align="center">&nbsp;<a href="http://www.sichinamag.com/Upload/Blog/2008/8/6/8efd5951-f214-4d01-87e0-e4151f89575a.jpg" target=_blank><img height="266" alt="点击看大图" src="http://www.sichinamag.com/Upload/Blog/2008/8/6/8efd5951-f214-4d01-87e0-e4151f89575a.jpg" width="400"></a><span class="Bek712"></span></p> <p align="left">　　Larrabee将会在2009年到2010年之间真正面世，它更像是一个独立的GPU，面向的竞争对手是AMD和nVidia。Larrabee将会拥有相当多的核心，同时还会有很多相当小而且相当简单的IA核心。 <span class="Bek712"></span></p> <p align="center">&nbsp;<a href="http://www.sichinamag.com/Upload/Blog/2008/8/6/02b8a6a0-913b-4bcc-8914-01d954a319c1.jpg" target=_blank><img height="266" alt="点击看大图" src="http://www.sichinamag.com/Upload/Blog/2008/8/6/02b8a6a0-913b-4bcc-8914-01d954a319c1.jpg" width="400"></a><font color="#ffffff"></font></p> <p align="left">　 　每一个核心将会支持新的向量架构系统，而这个系统现在英特尔已经与游戏的开发者一同研发。所有核心都会有相当宽广的向量处理单元，但是英特尔并没有在 Larrabee上做出很具体的介绍。我们相信，Larrabee将会同时支持DirectX和OpenGL，但是假如游戏开发者针对其ISA进行开发的 话，那么它的性能将会毫无疑问地相当强大。 <font color="#ffffff"></font></p><br> <p align="center">&nbsp;<a href="http://www.sichinamag.com/Upload/Blog/2008/8/6/467293ba-324e-4111-9e21-3fdb80b667df.jpg" target=_blank><img height="266" alt="点击看大图" src="http://www.sichinamag.com/Upload/Blog/2008/8/6/467293ba-324e-4111-9e21-3fdb80b667df.jpg" width="400"></a> <p class="Bek712"></p> <p></p> <p align="left"><strong>六、八核心十六线程！Nehalem性能展示</strong> <div class="Bek712"></div> <p></p> <p align="left">　　就如一般的英特尔展览一样，现场有几个基于Nehalem和Dunnington的系统进行现场展示： <div class="Bek712"></div> <p></p> <p align="center">&nbsp;<a href="http://www.sichinamag.com/Upload/Blog/2008/8/6/6e6569a7-c308-4ad5-849e-25a717e97394.jpg" target=_blank><img height="266" alt="点击看大图" src="http://www.sichinamag.com/Upload/Blog/2008/8/6/6e6569a7-c308-4ad5-849e-25a717e97394.jpg" width="400"></a> <div class="Bek712"></div> <p></p> <p align="left">　　上图是一个4核心(8线程) Nehalem系统在运行一个制定的显示Demo。 <font color="#ffffff"></font></p> <p align="left">&nbsp;　　Intel并没有进行任何跑分相关的测试，似乎是有意不让我们知道其真正的性能。核心频率并没有说明，但是考虑到其晶体管的数量我们相信Nehalem的频率将于Penryn相似。&nbsp;&nbsp;(<strong>来源</strong>:cnbeta&nbsp;)</p>http://www.sichinamag.com/blog/bosee/29368/message.aspx 晶圆工艺Wed, 06 Aug 2008 18:36:32 GMThttp://www.sichinamag.com/blog/bosee/29367/message.aspx<p align="center"><a href="http://www.sichinamag.com/Upload/Blog/2008/8/6/eb89b2a7-27ba-477b-a993-c44b1f1be64b.jpg" target=_blank><img height="261" alt="点击看大图" src="http://www.sichinamag.com/Upload/Blog/2008/8/6/eb89b2a7-27ba-477b-a993-c44b1f1be64b.jpg" width="400"></a></p> <p align="center">图说：Intel高级副总裁Anand Chandrasekher声称，32nm Westmere处理器的每个DIE将集成大约20亿个晶体管。</p> <p>日前从TGDaily上看到一篇文章，题为“Intel to lose its lead in chip manufacturing tech in 2009, sort of ”，作者Theo Valich&nbsp;预测，虽然Intel的45nm技术领先AMD至少一年，但Intel 在芯片生产上的技术龙头宝座，恐怕是坐不久了，也许就在一年后！<br><br>近几个月以来，有如一串心一般丢出 Atom 加 Centrino 2 这些建构在 45nm 制程的新产品，可以说是让 Intel 在芯片组、处理器上面甚是风光，不过这位 Valich 则是在专栏中好心提醒 Intel，要小心后有追兵。<br><br>包括AMD、Nvidia、台积电等大厂，近来都纷纷投入 40nm 制程芯片的开发。有消息透漏，AMD、Nvidia将会在 2009 年上半年开始，丢出40nm 制程制造的GPU，其中包括了低端以及主流的产品，都有可能在在明年的CeBit 2009 中展出。<br><br>台积电方面，据说该公司大手笔烧掉的100 亿美元投资，现在也开始有所收获了，目前他们已经着手进行包括45nm 以及40nm 的处理器开发、生产；另外他们也积极将工艺延至32nm、30nm ；Samsung 目前也在研发30nm 芯片，不过多局限在 DRAM 的部份。<br><br>Intel 在45nm 的布局可以说是快要告一段落，接下来就是全力往32nm冲刺；目前推估他们最晚将会在2009 的Q3、Q4 附近大规模推出32nm 的产品。也就是说，在他们完成最新一代处理器、芯片组布局的时候，AMD和Nvidia他们家的40nm GPU 早就已经满街跑，另外台积电 32nm 处理器（GPU）的时程其实也是跟32nm 制程CPU 步伐一致的。<br><br>结论呢？在 Intel 赶出 32nm CPU 之前，人家的 GPU 可能已经搭车冲过你了；据Theo Valich&nbsp;表示，一旦GPU 在制程方面的发展，超过 CPU，那就代表着 GPU 在技术地位、重要性上超越了 CPU，到时候 Intel 可能就要等着哭鼻子了。。。</p> <p>但事情也并非如此简单，这位专栏作家也许过于简单的看待工艺技术对产品的影响，另外线宽的紧缩对性能的影响如何还未可知，更高节点的量产和成品率等都有待解决的问题，而GPU和CPU谁将更占上风，还需要拭目以待，最关键的是不要忽视了Intel产品的捆绑能力和研发能力，要扳倒Intel不是件容易的事，不过我还是挺期待这个巨人走下神坛的那天，哈哈。。。</p> <p>各位朋友又是如何看待这些呢？</p> <p>资料引用：<a href="http://www.tgdaily.com/content/view/38648/113/">http://www.tgdaily.com/content/view/38648/113/</a></p> <p>借用一篇GPU与CPU的BLOG:&nbsp; <a class="" title="GPU会取代CPU"？ href="http://www.sichinamag.com/blog/lunan/29370/message.aspx" target="">GPU会取代CPU？</a> </p>http://www.sichinamag.com/blog/bosee/29367/message.aspx 晶圆工艺Fri, 04 Jul 2008 15:17:53 GMThttp://www.sichinamag.com/blog/bosee/26862/message.aspx&nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp; 6月30日，英国石油公司首席执行长托尼·海沃德在马德里出席第19届世界石油大会时重申，高油价并非投机炒作的产物，而是由能源消费发生显著变化所致。海沃德认为，近年来亚洲及美国能源消费的快速增长才是高油价的幕后推手。<br><br>　　海沃德这一表态代表了一部分人士的观点，他们认为新兴国家工业化进程对于石油的强劲需求推高了油价。而一些西方人士甚至将油价高企的责任推在中国经济发展需要大量能源之上。<br><br>　　对于这种不负责任的推断，厦门大学中国能源经济研究中心主任林伯强向记者表示：“中国能源需求很大这句话本身没有错，这只是陈述了一个事实，但是那些讲出这个客观事实的人的动机是值得商榷的。”<br><br>　　据国家统计局及中国石油和化学工业协会发布的数据显示：2008年第一季度，我国原油消费量约为9180万吨，同比增长8%；同期，我国生产原油4684.97万吨，同比增长2.2%。也就是说，中国一半的原油需通过进口来解决。<br><br>　　林伯强向记者表示：“中国正处在经济发展的必然阶段，对能源的需求是刚性的，但是其他国家不能因此来责怪中国经济高增长。”<br><br>　　美国在1970年已经步入后工业化时代，但当时它日耗油量高达1471万桶。中国目前正处于工业化中期，是工业化推进速度最快的时期，因此，中国对石油的需求增长呈不断加速状。林伯强认为：“中国只是在发展阶段没有遇上个好时机。但是不能因为发达国家已经完成工业化，就阻断发展中国家的发展。”<br><br>　　中国现代关系研究院世界经济研究所所长陈凤英表示：“中国石油需求旺盛对世界石油需求与价格有一定影响，但这被国际舆论放大了，更被对冲基金等炒作。当前超过140美元/桶的超高油价，绝对不是中国700余万桶/天的需求所能抬起来的，何况我们石油消费的一半是国内生产的。”<br><br>　　其实，从人均的角度来说，中国的能耗并不高。中国人均耗油在300公斤左右，而世界的平均水平在600公斤，美国人均最高达到3吨。美国作为世界最大的用油国，每天的耗油量相当于其他前五大耗油国的总和。美国的日耗油量差不多是中国的3倍，是日本的4倍，是印度的7.5倍。美国每天耗油量占全球总量的1/4。美国石油进口依存度高达67%。<br><br>　　陈凤英表示：“我做过一个统计，能耗与GDP相比，中国的数值与世界平均水平相当。所以不能说中国的需求是推高油价的主因。”<br><br>　　需求的增长其实也是相对的，林伯强说：“能源供应的稀缺性是一直存在的，只不过当石油很多时，它并不以价格形式来表现。在供给进入最后阶段时，价格问题才会日益突出。一方面，石油国家已经靠出售石油资源攒够了钱。另一方面，由于油价不断攀升，石油国家开始惜售。供给不增长就更凸显了需求。”<br><br>　　林伯强认为，中国能源需求虽然庞大，但是在世界经济发展的必然阶段中，发达国家需要正确面对发展中国家的需求。此外，发达国家可以帮助发展中国家提高能源利用效率，同时也需要做好自身消费能源的节能。（<font color="#0000ff">国际金融报</font>）http://www.sichinamag.com/blog/bosee/26862/message.aspx 太阳能光伏Fri, 04 Jul 2008 15:16:04 GMThttp://www.sichinamag.com/blog/bosee/26861/message.aspx&nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp; 在利用太阳能发电方面，槽式聚光热发电系统是迄今为止世界上唯一经过20年商业化运行的成熟技术，其造价远低于光伏发电。它的储能系统或者燃烧系统可以实现24小时运行，度电成本也很有竞争力。目前，欧洲和美国正在建设一批改进的槽式太阳能热发电系统，其性能更加优越。<br><br>　　槽式聚光热发电系统是通过抛物面槽式聚光镜面将太阳光汇聚在焦线上，在焦线上安装管状集热器，以吸收聚焦后的太阳辐射能。管内的流体被加热后，流经换热器加热水产生蒸汽，借助于蒸汽动力循环来发电。该装置从早到晚由西向东跟踪太阳连续运转，集热器轴线与焦线平行呈南北向布置，这是一种一维跟踪太阳的模式，跟踪简易，且光学效率较高。聚光比在30―80之间，温度范围可达400℃。<br><br>　　上世纪80年代，美国Luz公司在加州莫哈维沙漠陆续建成了9座槽式聚光热发电站（SEGS），总装机容量为354兆瓦，年发电总量10.8亿千瓦时，发出的电力可供50万人使用。管状集热器内工作介质为导热油，导热油通过换热器可以产生390℃的过热蒸汽以驱动蒸汽轮机发电。随着技术不断发展，系统效率由起初的11．5％提高到13．6％。每千瓦电能装机容量的投资己由6000美元降至2000多美元；电费由每度24美分降至7.5美分―8.5美分。<br><br>　　自1984年以来，Luz公司先后开发了14兆瓦、30兆瓦和80兆瓦多种系统，由太阳辐射能至电能的最高瞬时效率为24%，年平均效率最高为15%。由于太阳能是随机的，在工作介质的回路中增设一个使用常规燃料（通常为天然气）的辅助锅炉，以备急需。<br><br>　　该系统具有以下优点：第一，安装维修比较方便；第二，多聚光器集热器可以同步跟踪，故跟踪控制代价大为降低；第三，吸收器为管状，使得工作介质加热流动的同时，也是能量集中的过程，故其总体代价相对最小，经济效益最高，这正是该系统最先在世界上实现商业化的原因所在。<br><br>　　目前，直接产生高温高压水蒸汽的新型吸收管业已研制成功，可以取消传热油的回路，从而降低系统和运行的成本，增加运行的安全性。<br><br>　　掌握槽式太阳热发电先进技术的国外企业主要分布在美国、以色列和德国。集热管（HCE）是该系统的核心技术之一。目前，全世界仅有以色列的Solel公司和德国的Schott公司可以制造并提供。每个集热器单元长度12米，纵向由7块抛物形玻璃镜面组成，横向由4块玻璃镜面组成。玻璃镜面对称布置，总共28块。集热器组件SKAL―ET150由位于中部的驱动装置来驱动。<br><br>　　中国光伏标准化技术委员会委员、中国科学院电工研究所高级工程师马胜红说，在我国太阳能资源每年每平方米超过1900千瓦时的地区，建立30兆瓦―100兆瓦的槽式聚光热发电站，前景将十分广阔。如果该系统能在中国本土化生产制造，造价降低的潜力是很大的，该系统最适宜大规模发展。（<font color="#800080">科技日报</font>）http://www.sichinamag.com/blog/bosee/26861/message.aspx 太阳能光伏Fri, 04 Jul 2008 15:09:18 GMThttp://www.sichinamag.com/blog/bosee/26859/message.aspx<p align="center">&nbsp;<img src="http://www.sichinamag.com/Upload/Blog/2008/7/4/0a8ec3dc-26a1-46d1-8003-5fafcc2e69d7.jpg">&nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp; <a href="http://www.sichinamag.com/Upload/Blog/2008/7/4/1bc32583-d2f2-4029-9e82-8325bd9738a4.jpg" target=_blank><img height="394" alt="点击看大图" src="http://www.sichinamag.com/Upload/Blog/2008/7/4/1bc32583-d2f2-4029-9e82-8325bd9738a4.jpg" width="400"></a></p> <p>据美国生活科学网报道，在美国西南部未来有可能出现一座“太阳能塔”，这是一种最新的能源生产概念，看上去它就像一个巨大的烟囱，但并不释放有害浓烟气体，而是通过太阳能加热空气，并转换成为电能，可以20万户居民使用。 </p> <p><strong><font color="#0000ff">&nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp;太阳能塔高达1000米</font></strong> <p>&nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp;类似的太阳能装置设计的提出已有20多年，原型基础设计叫做“太阳能收集器”，用于加热地球表面附近的空气，将加热的空气引导进入高中枢塔，位于塔底部的涡轮通过上升气流制造出电能。澳大利亚能源任务有限公司的吉姆·福特说，“太阳能塔的设计结合了烟囱、旋转涡轮和温室，最终实现了电能生产。” <p>&nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp;由澳大利亚能源任务有限公司设计高达1千米的太阳能塔，美国政府很可能会接受这项设计理念，并计划在美国西南部建造。太阳能塔是升级版的太阳能烟囱，太阳能烟囱是一项历史悠久的技术，利用太阳能加热空气形成自然上升气流，进而制造电能。 <p>&nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp;福特称，太阳能塔的物理设计非常类似于大气层旋涡发动机，一种人造旋涡烟囱装置加热空气进入空中，即使该涡旋将延伸超过一个固体结构，但太阳能塔的结构设计能够实现电能转换生成。 <p><strong><font color="#0000ff">&nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp;20年前曾出现类似太阳能电站</font></strong> <p>&nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp;1982年，一个小型太阳能塔建造在西班牙曼沙那列士地区，这座塔高度为195米，被一个透明温室遮篷围绕着，该透明遮篷覆盖直径为244米。它起初是作为一个测试原型，最大输出电能仅50千瓦。这个小型太阳能塔采用便宜的材料建成，目的是利用最低的建造成本，但是1989年在一场暴风中这座太阳能塔最终被吹垮。福特告诉美国生活科学网说，“与之对比，澳大利亚能源任务公司设计的太阳能塔采用混凝土结构，可持续使用至少50年。” <p>&nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp;目前，能源任务公司不仅计划建造更坚固结实的太阳能塔，还计划将太阳能塔建的更高，这可以实现地面和塔顶部产生更大的温差，温差较大可提供烟囱结构更强大的抽吸能力。最理想的设计是太阳能塔的高度为800-1000米，其周围围绕一个直径1.5英里的温室遮篷。福特说，“这才是理想的太阳能塔结构，随着碳燃料的价格上涨，太阳能塔将更具商业化优势。” <p><strong><font color="#0000ff">&nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp;加热空气上升时速达55公里</font></strong> <p>&nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp;在一个阳光充足的日子里，太阳能塔顶部空气可达到20摄氏度，在地面温室遮篷的空气可达到70摄氏度，当热空气以34英里/小时(约55公里/小时)速度沿着太阳能塔上升时，32个旋转的涡轮将生产出最大200兆瓦特电能。尽管在这种工作状态下，太阳能塔转换太阳能为电能的效率仅不足太阳能电池板的十分之一。但是太阳能塔的优势是更易维持，成本更低。 <p>&nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp;依据2005年产业报告，具有200兆瓦特电能生产能力的太阳能塔的建造需要10亿美元，这意味着每千瓦小时的成本仅20美分，这仅是当前太阳能电池板生产电能价格的三分之一。然而，太阳能塔必须建造得相当大，才能发挥电能生产效力。能源任务公司近期研制一个稍微小一些的太阳能塔设计方案，其最大输出电能为50兆瓦特，可适用于一些市场和领域。 <p>&nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp;由于澳大利亚政府缺乏财政支持，能源任务公司目前与美国太阳能任务技术公司协商计划在美国境内建造太阳能塔，该公司现已评估美国4个地点的气候适合于建造太阳能塔。据了解，虽然太阳能塔在夜晚很少输出电能，但在夜间该装置仍处于工作状态。 <p>&nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp;与煤、天然气和核发电等传统电能制造技术相比，太阳能塔是未来最理想的电能生产途径。毕竟太阳每天都会升起落下，人们能够持续利用这种资源。</p>http://www.sichinamag.com/blog/bosee/26859/message.aspx 太阳能光伏Fri, 04 Jul 2008 15:01:53 GMThttp://www.sichinamag.com/blog/bosee/26858/message.aspx&nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp; “这也许不是北京最昂贵的建筑，也不是最气派的建筑，但却是这里最独一无二的建筑。”当意大利设计师西蒙先生说着这些话时，无锡尚德电力(NYSE：STP)董事长兼首席执行官施正荣在不远处负手而立，面带微笑。6月24日晚上，他们一起为世界上最大的太阳能多媒体幕墙揭幕。 <p>　　夜色中，闪耀着不同图像的幕墙熠熠生辉，光影交错。这个位于长安街的西侧，与北京奥运会篮球馆隔路相望的建筑，是由尚德电力为北京辉煌净雅大酒店定身打造的，面积2200平米，由2300块、9种不同规格的光电板组成。</p> <p>　　不过，施正荣兴奋之余，心中也略带遗憾。因为在这片夺目的光彩背后，无法掩盖成本居高不下的尴尬难题——他眼前这面幕墙造价高达2000万元，1平方米的造价达1万多元。这样的价格显然很难为国内大多数客户所接受。</p> <p>　　“我的目标是，在5年内争取将太阳能发电价与火力电价持平，1度电1元钱。”施正荣对《财经时报》说，只有降到1元钱左右，光伏产业才能迎来更大规模的应用。</p> <p><strong>　　新能源的机会</strong></p> <p>　　6月24日深夜，参加完幕墙揭幕式和短暂采访的施正荣，又不远千里回到家乡镇江。第二天，他现身镇江华侨华人专业人士创业发展洽谈会上，再次阐述了他对于全球能源的忧虑，以及对于太阳能发电成本的乐观预测。</p> <p>　　饶有趣味的是，施正荣在自己制作的幻灯片里，居然向现场的“海归”们讲解起了“宇宙能源运转史”，俨然大学天文课堂。不过，他话锋很快就转向了地球能源危机和越来越严重的“温室效应”——“地球温度再高三度，人类可能难以为继……喜马拉雅山、唐古拉山在30年、50年后冰雪消融殆尽，母亲河长江失去源泉，依靠长江生活的人们如何生存”。</p> <p>　　言外之意其实很明显，而这也是施正荣想阐述的主题：全球能源危机迫在眉睫，惟有太阳能源取之不尽，用之不完。</p> <p>　　施正荣一直是太阳能源的“鼓吹者”。7年前，正是基于对太阳能源的乐观判断，施正荣回国创办了无锡尚德电力控股有限公司，从事晶体硅太阳电池、组件、硅薄膜太阳电池、光伏发电系统研发、制造和销售。2005年，尚德电力在美国上市，融资4亿美元，施正荣当年以23.13亿美元的身价成为“中国大陆首富”。</p> <p>　　也正是在施正荣带动下，江苏一举成为全球光伏产业集群中心。2007年江苏的光伏产业产能超过1000兆瓦，占全球总量的1/4.其中，尚德电力产能就达540兆瓦，销售收入超百亿美元，跻身世界光伏行业前三强。</p> <p>　　随着全球能源短缺日益严重以及原料煤炭价格持续攀升，施正荣和他周围的产业集群的光环还在越来越受世人瞩目。</p> <p>　　今年年初，英国著名的《卫报》评选出了“可以拯救地球的50人”，施正荣名列四位华人名单之首。其理由就是，施正荣身体力行的太阳能发电，将可能改变全球能源的应用模式。</p> <p><strong>成本五年内降至一元</strong></p> <p>　　太阳能源的优点确实很明显：它不受煤油影响，没有枯竭危险；绝对环保，不会破坏环境；不受地的限制，随处可应用；应用范围广，从汽车到住宅无所不包。</p> <p>　　不过，太阳能发电的缺点也同样显而易见，成本(尤其是一次性投资成本)的高昂就是致命门槛之一。目前，太阳能发电成本在3-5元左右，接近常规电力价格的10倍。即使有国家的政策倾斜和价格补贴，太阳能发电的普及也不是一个容易的事情。</p> <p>　　但在施正荣看来，降低成本门槛只是时间问题。在过去7年，太阳能发电成本已经得到大幅降低。他相信，未来5年内成本降低到1元钱左右时，太阳能将成为全球能源的“主力军”。而到本世纪末，太阳能发电量将占据所有发电量的70%左右。</p> <p>　　尚德电力计划在2008年将产能翻番，实现产能1000兆瓦。“到2010年，我们力争实现产能2000兆瓦，相当于4个火力发电站的威力，2012年力争实现产能5000兆瓦，相当于10个火力发电站威力。”施正荣透露说。</p> <p>　　同时，由于能源短缺和电煤价格飙升所带来的常规发电价格上涨，也相应降低了业界对于太阳能发电成本的担忧。尤其最近两个月，国内各大城市电价涨幅从4%到7%不等，部分省份电价甚至上涨5%到10%。更有专家预计，如果能源问题不能解决，未来国内常规发电价格将可能飙升至1元左右。</p> <p>　　“这种形势下，如果太阳能发电和火力发电的成本持平了，为什么我们还要制造火力发电站？太阳能发电能达到1元人民币1度电的话，这个市场一定无限大。”施正荣如是表示。</p> <p><strong>　　资本蜂拥现象堪忧</strong></p> <p>　　新旧能源的地位转换，也成为最近国内外资本疯狂进军光伏市场的一个诱因。</p> <p>　　无锡尚德3年前的创富神话早已激发了国内资本的热情，它们纷纷涌向这个产业，并且在这两年创造了资本市场的奇迹。截至2008年初，中国光伏产业总计有10家企业实现海外上市，IPO融资总额超过20亿美元。</p> <p>　　就在施正荣准备继续做大光伏产业的同时，其他资本依然在不断涌入。其中，江西赛维LDK宣布投资100亿元开工建设2000兆瓦的硅片扩改工程；福建泉州斥资18亿元打造南安太阳能产业园；生产多晶硅“鼻祖”的峨嵋半导体材料厂和东汽投资发展公司共同投资25亿元在乐山兴建240兆瓦光伏项目……</p> <p>　　众多企业涌入光伏产业，尤其是向上游多晶硅产业的拥挤，更是引起了施正荣的担心。</p> <p>　　施正荣透露说，目前国际的多晶硅价格已经由2003年的每公斤30美元升值500美元，这将严重牵制下游企业的发展。目前，中国已经有70多家上市企业“一哄而上”进入这个领域，“这种短期行为风险很大”。</p> <p>　　此前，中科院院士、国家973计划科学家王占国也公开呼吁过：“国内所有已经投产和正在规划准备投产的多晶硅产能加在一起有10多万吨。所有想干的人都干了，设计规划的产能高于全球的需求，显然是供过于求，很危险。”</p> <p>　　施正荣预测说，随着市场的发展，2009年底到2010年上半年，硅材料的供应情况可能会缓和。“这段时间，光伏产业也将经历一次大的洗牌。”&nbsp;&nbsp; (<font color="#a20010">财经时报)</font></p> <style type="text/css"> .pb{} .pb textarea{font-size:14px; margin:10px; font-family:"宋体"; background:#FFFFEE; color:#000066} .pb_t{line-height:30px; font-size:14px; color:#000; text-align:center;} /* 分页 */ .pagebox{overflow:hidden; zoom:1; font-size:12px; font-family:"宋体",sans-serif;} .pagebox span{float:left; margin-right:2px; overflow:hidden; text-align:center; background:#fff;} .pagebox span a{display:block; overflow:hidden; zoom:1; _float:left;} .pagebox span.pagebox_pre_nolink{border:1px #ddd solid; width:53px; height:21px; *height:23px; line-height:21px; text-align:center; color:#999; cursor:default;} .pagebox span.pagebox_pre{color:#3568b9; height:23px;} .pagebox span.pagebox_pre a,.pagebox span.pagebox_pre a:visited,.pagebox span.pagebox_next a,.pagebox span.pagebox_next a:visited{border:1px #9aafe5 solid; color:#3568b9; text-decoration:none; text-align:center; width:53px; cursor:pointer; height:21px; *height:23px; line-height:21px;} .pagebox span.pagebox_pre a:hover,.pagebox span.pagebox_pre a:active,.pagebox span.pagebox_next a:hover,.pagebox span.pagebox_next a:active{color:#363636; border:1px #2e6ab1 solid;} .pagebox span.pagebox_num_nonce{padding:0 8px; height:23px; line-height:23px; color:#fff; cursor:default; background:#296cb3; font-weight:bold;} .pagebox span.pagebox_num{color:#3568b9; height:23px;} .pagebox 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<div>首先，你投篮有没有SPEC？如果有的话，SPEC上怎么定义以下这些process的？<br>左侧几度角？右侧几度？距离篮筐多远？<br>你投篮习惯打板么？<br>投篮的发力方式如何，姿势怎么样？</div> <div>然后是调查相关的设备：<br>篮架，篮筐，篮球，衣服，鞋子，指甲，眼镜。<br>每一个设备有没有做好buy off和PM。</div> <div>接下来是report了：<br>命中率多少？<br>投短了多少？长了多少？偏左的多少？偏右的多少？<br>你一般是什么时间去投篮的，每个时间段的命中率？<br>。。。。。。</div> <div>仔细分析一下吧，如果实在没办法解决，推荐我们公司的绝招：<br>---------------------你可以打电话向父母求助（call vendor ）。<br></div>http://www.sichinamag.com/blog/bosee/19087/message.aspx 检测与测量Tue, 01 Apr 2008 15:38:39 GMThttp://www.sichinamag.com/blog/bosee/17181/message.aspx<p>LED芯片的制造过程可概分为晶圆处理工序（Wafer Fabrication）、晶圆针测工序（Wafer Probe）、构装工序（Packaging）、测试工序（Initial Test and Final Test）等几个步骤。其中晶圆处理工序和晶圆针测工序为前段（Front End）工序，而构装工序、测试工序为后段（Back End）工序。&nbsp;&nbsp;&nbsp; </p> <p>1、晶圆处理工序：本工序的主要工作是在晶圆上制作电路及电子元件（如晶体管、电容、逻辑开关等），其处理程序通常与产品种类和所使用的技术有关，但一般基本步骤是先将晶圆适当清洗，再在其表面进行氧化及化学气相沉积，然后进行涂膜、曝光、显影、蚀刻、离子植入、金属溅镀等反复步骤，最终在晶圆上完成数层电路及元件加工与制作。 &nbsp;&nbsp;&nbsp;</p> <p>&nbsp;2、晶圆针测工序：经过上道工序后，晶圆上就形成了一个个的小格，即晶粒，一般情况下，为便于测试，提高效率，同一片晶圆上制作同一品种、规格的产品；但也可根据需要制作几种不同品种、规格的产品。在用针测（Probe）仪对每个晶粒检测其电气特性，并将不合格的晶粒标上记号后，将晶圆切开，分割成一颗颗单独的晶粒，再按其电气特性分类，装入不同的托盘中，不合格的晶粒则舍弃。 &nbsp;&nbsp;&nbsp; </p> <p>3、构装工序：就是将单个的晶粒固定在塑胶或陶瓷制的芯片基座上，并把晶粒上蚀刻出的一些引接线端与基座底部伸出的插脚连接，以作为与外界电路板连接之用，最后盖上塑胶盖板，用胶水封死。其目的是用以保护晶粒避免受到机械刮伤或高温破坏。到此才算制成了一块集成电路芯片（即我们在电脑里可以看到的那些黑色或褐色，两边或四边带有许多插脚或引线的矩形小块）。 &nbsp;&nbsp;&nbsp;</p> <p>&nbsp;4、测试工序：芯片制造的最后一道工序为测试，其又可分为一般测试和特殊测试，前者是将封装后的芯片置于各种环境下测试其电气特性，如消耗功率、运行速度、耐压度等。经测试后的芯片，依其电气特性划分为不同等级。而特殊测试则是根据客户特殊需求的技术参数，从相近参数规格、品种中拿出部分芯片，做有针对性的专门测试，看是否能满足客户的特殊需求，以决定是否须为客户设计专用芯片。经一般测试合格的产品贴上规格、型号及出厂日期等标识的标签并加以包装后即可出厂。而未通过测试的芯片则视其达到的参数情况定作降级品或废品。&nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp; </p> <p>LED芯片的制造工艺流程：&nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp; </p> <p>外延片→清洗→镀透明电极层→透明电极图形光刻→腐蚀→去胶→平台图形光刻→干法刻蚀→去胶→退火→SiO2沉积→窗口图形光刻→SiO2腐蚀→去胶→N极图形光刻→预清洗→镀膜→剥离→退火→P极图形光刻→镀膜→剥离→研磨→切割→芯片→成品测试。&nbsp;&nbsp;&nbsp;</p> <p>外延生长的基本原理是：在一块加热至适当温度的衬底基片（主要有蓝宝石和、SiC、Si）上，气态物质InGaAlP有控制的输送到衬底表面，生长出特定单晶薄膜。目前LED外延片生长技术主要采用有机金属化学气相沉积方法。&nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp;</p> <p>MOCVD介绍：金属有机物化学气相淀积（Metal-Organic Chemical Vapor Deposition，简称 MOCVD），1968年由美国洛克威尔公司提出来的一项制备化合物半导体单品薄膜的新技术。该设备集精密机械、半导体材料、真空电子、流体力学、光学、化学、计算机多学科为一体，是一种自动化程度高、价格昂贵、技术集成度高的尖端光电子专用设备，主要用于GaN（氮化镓）系半导体材料的外延生长和蓝色、绿色或紫外发光二极管芯片的制造，也是光电子行业最有发展前途的专用设备之一。&nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp; </p> <p>其实外延片的生产制作过程是非常复杂的，在展完外延片后，下一步就开始对LED外延片做电极（P极，N极），接着就开始用激光机切割LED外延片（以前切割LED外延片主要用钻石刀），制造成芯片后，在晶圆上的不同位置抽取九个点做参数测试。&nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp;</p> <p>&nbsp;1、&nbsp;&nbsp;主要对电压、波长、亮度进行测试，能符合正常出货标准参数的晶圆片再继续做下一步的操作，如果这九点测试不符合相关要求的晶圆片，就放在一边另外处理。&nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp; </p> <p>2、&nbsp;&nbsp; 晶圆切割成芯片后，100%的目检（VI/VC），操作者要使用放大30倍数的显微镜下进行目测。&nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp; </p> <p>3、&nbsp;&nbsp; 接着使用全自动分类机根据不同的电压，波长，亮度的预测参数对芯片进行全自动化挑选、测试和分类。&nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp;</p> <p>4、&nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp;最后对LED芯片进行检查（VC）和贴标签。芯片区域要在蓝膜的中心，蓝膜上最多有5000粒芯片，但必须保证每张蓝膜上芯片的数量不得少于1000粒，芯片类型、批号、数量和光电测量统计数据记录在标签上，附在蜡光纸的背面。蓝膜上的芯片将做最后的目检测试与第一次目检标准相同，确保芯片排列整齐和质量合格。这样就制成LED芯片（目前市场上统称方片）。&nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp;</p> <p>在LED芯片制作过程中，把一些有缺陷的或者电极有磨损的芯片，分捡出来，这些就是后面的散晶，此时在蓝膜上有一些不符合正常出货要求的晶片，也就自然成了边片或毛片等。&nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp;</p> <p>&nbsp;刚才谈到在晶圆上的不同位置抽取九个点做参数测试，对于不符合相关要求的晶圆片作另外处理，这些晶圆片是不能直接用来做LED方片，也就不做任何分检了，直接卖给客户了，也就是目前市场上的LED大圆片（但是大圆片里也有好东西，如方片）。</p>http://www.sichinamag.com/blog/bosee/17181/message.aspx 晶圆工艺