随着半导体设计规则的紧缩，在65nm及更高节点，浸没式光刻和EUV被认为是获得更小节距的可选择方案，出于技术极限和成本的考量，在实现量产上光刻技术面临极大挑战，其中之一来自于光刻光源。Cymer作为光源领域的领先供应商，目前提供DUV及EUV光源。
据Cymer大中华区副总裁于镇南介绍，Cymer公司成立于1986年，专注于半导体光刻用受激准分子光源。随着线宽缩小，光刻光源向着波长更短、频率更高的方向发展。1996年半导体工业开始采用DUV光源进行量产，Cymer公司借此机会在DUV领域获得了更快速的发展。于镇南表示，Cymer公司拥有DUV波段ELS系列248nm KrF光源和XL系列193nm ArF光源，满足从半导体亚微米级制程到纳米级高端制程的各种量产需求。其中XLR 500i作为首套针对45nm节点量产用浸没式光刻设备的ArF光源于06年推出，该产品采用了先进的环流环技术，提升了Cymer双腔主控震荡功率放大器平台。
半导体进入32nm节点，业界寄希望于波长13.5nm的EUV光刻技术实现工艺量产，而未来更可能缩短至10nm。于镇南介绍，激光能量和扫描速度是光刻
机两重要因素，EUV实现量产需要达到光源200W、wafer处理速度100w/h。2004年Cymer公司在EUV 光源开发上转入了激光等离子体（LPP）技术，研制出高扫描生产能力所需功率的稳定光源。目前，100W的LPP技术EUV光源已经发货，200W光源正在研发中。于镇南表示，光源是EUV一大挑战，2012年业界或能转入EUV量产阶段。
晶圆厂设备要保证足够运转时间，零备件的供应也需要及时。于镇南说，中国半导体产业6-12寸晶圆厂、250nm-65nm工艺等并存，Fab分布散、物流复杂的特点为供应商带来困难，尤其是海关方面，希望在年内有所改善。于镇南介绍，Cymer有计划将来在中国大陆进行光源制造，但具体日程尚未确定。他表示，目前国内一手设备减少、二手设备增多成为趋势；08年上半年产业增长缓慢，但由于中国台湾技术的开放，09年将会成为转折点。他认为，中国大陆人才储备相当丰富，潜力也将超过中国台湾，但需要在培养实用型人才上下功夫。