为了进一步提高芯片整合度，3D封装成为近来业者积极投入的重点。AVIZA以其深层蚀刻技术为基础，已开发出完整的制程方案，并将新兴的TSV（Through-Silicon Via，穿透硅通孔）先进封装技术作为公司多元化战略的一个方向。
AVIZA全球企业营销副总裁Michael Martinez指出，由于制程技术节点的进一步缩小以及低介电值材料的限制，3D堆栈式封装技术已被视为能否以较小尺寸来制造高效能芯片的关键。而TSV技术是透过以垂直导通来整合晶圆堆栈的方式，以内部导线传导来实现芯片间的电气互连，此技术能更有效提高系统的整合度与效能。据悉，目前AVIZA是唯一能提供经集成整合的TSV工艺解决方案供应商，Michael Martinez认为，“3D封装技术是一个新兴市场，而在市场起步阶段，机会往往最大。”
AVIZA市场总监David Butler表示，以AVIZA在蚀刻以及薄膜沉积系统产品为基础，AVIZA能够提供除电镀外的完整3D封装制程技术，包括电浆蚀刻、化学气相沉积介电值辅助层（dielectric CVD liner）、金属阻层、以及种子层（seed lay
er）沉积，以帮助用户降低采用此技术的难度。针对蚀刻技术，David Butler表示，由于TSV需要有贯穿晶圆厚度的导孔，因此只有采用深层硅蚀刻技术（deep Si etching，DSi），才能产生长宽比高以及平坦的导孔尺寸。而目前采用的Bosh蚀刻制程，虽然有高速率、高产出的优点，但由于会产生扇形（scallop）的沟槽外形使沉积的难度增加。而AVIZA以其在沟槽式DRAM制造中采用的深层硅蚀刻技术，将在TSV的蚀刻制程中占据优势。
深硅蚀刻实现3D封装技术，要求刻蚀、氧化淀积及金属种子层生长与填充等设备供应商展开密切的合作。据悉，目前包括日月光、硅品、台积电等已开始TSV技术的研发，但因成熟度尚不理想，估计还要2-3年时间才有可能进入量产阶段。不过，日月光去年已宣布将采用AVIZA的Omega i2L蚀刻系统展开先进封装制程技术的研发。