• 处理未来器件波动问题
  • 集成电路设计与技术国际会议（ICICDT）的核心议题包括：晶体管波动的影响，可供选择的器件结构以及设计和制造方面的优化方法。
  • 设计信息提高SEM缺陷检测取样效率
  • 基于设计的分级将来自设计数据的版图信息与检测到的每个缺陷的相对位置结合起来，利用这种方法可提高缺陷帕雷托质量。通过对系统缺陷和有害缺陷进行分级，可以改进SEM检测。
  • 22nm技术节点的成品率目标
  • 半导体行业正在开发必要的缺陷量测和薄膜量测解决方案，但22 nm技术节点的监测还需开发新的成像套刻目标结构。
  • 纳米器件的表面预处理和成品率
  • 近来，各种“后CMOS时代”的器件不断涌现，它们的用途广泛且发展潜力巨大。1针对这些器件的性能、表现学术界已经进行了大量的研讨，但是在器件生产制造以及提升成品率方面的研究却…
降低双重图形光刻的成本
降低双重图形光刻的成本
一种低成本DP方案与采用两次光刻两次刻蚀的标准DP一样，也可以获得32nm线条和特征尺寸。新的DP…［详细］
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  • 应用材料打开薄膜太阳能电池成长空间

  • 应用材料打开薄膜太阳能电池成长空间

    两年前，应用材料收购Applied Films，成功进入太阳能电池及相关设备市场，一年前，应用材料推出薄膜太阳能电池组件生产线Sunfab，改写了薄膜太阳能电池面板的尺寸，而…

  • 20081124：光刻

    不改变光刻波长实现45nm半节距；超高数值孔径镜头面临的挑战；双重图形填补光刻技…

    20081118:晶圆工艺

    分子碳掺杂源；鼓式混合机：红外激光修复系统……

    20081117：晶圆工艺

    光刻胶去胶难度渐增；IMEC的3-D堆叠芯片和系统设计：面向特殊市场的专业化代工厂…

    20081112：精华文章

    Foundry，从垂直分工向垂直整合演进；晶圆清洗与表面预处理：从演变到革新；薄膜太…
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