• 纳米器件的表面预处理和成品率
  • 近来,各种“后CMOS时代”的器件不断涌现,它们的用途广泛且发展潜力巨大。1针对这些器件的性能、表现学术界已经进行了大量的研讨,但是在器件生产制造以及提升成品率方面的研究却没有得到应有的…
  • 22nm技术节点的成品率目标
  • 半导体行业正在开发必要的缺陷量测和薄膜量测解决方案,但22 nm技术节点的监测还需开发新的成像套刻目标结构。
  • 雾状缺陷每年花费10亿美元,仍被误解
  • 在半导体行业有据可查的范围中,微污染是对产率影响最大的因素,它让业界每年耗费约10亿美元,但半导体fab对其仍然知之甚少。“尽管半导体产业是一个成熟的产业,但在理解微污染方…
  • 闪光退火必须控制界面
  • 闪光退火是工艺工程师工具箱中的最新工具。尖峰快速热退火(RTA)方法已经付诸实用,但RTA在限制掺杂物扩散的同时对掺杂物进行活化,闪光退火可以弥补这一缺陷。闪光退火更为精…
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  • 20080826:电子中国

    TD,请不要拿老百姓说事;创毅视讯CMMB核心芯片被多家移动终端采用;坤锐电子U…

    20080814:电子中国

    中国版“瓦圣纳协议”要不得;博通集成5.8-GHz无线语音芯片累计出货1000万颗;中国电…

    20080825:IC设计

    异步DSP核心设计:更低功耗,更高性能;消费IC:可靠性设计;增强建模和仿真能力…

    20080818:检测与测量

    线宽量测从容面对32nm;ATE应对90nm及以下节点良率问题;用于先进栅叠层的在线光…
《半导体国际》是全球半导体制造技术领域最权威、发行量最大的刊物, 已拥有超过二十五年的历史, 由全球领先的锐德出版集团出版。
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