• 光刻胶去胶难度渐增
  • 无论湿法去胶还是干法去胶，光刻胶去除工艺都需要在低k材料损伤、衬底硅材料损伤与光刻胶和其残余物去除效果之间取得平衡。无论是对于前道还是后道（BEOL）清洗工艺，业界都需要从各个角度去衡…
  • IBM提供45nm SOI晶圆代工方案
  • IBM日前宣布为晶圆代工厂客户提供45nm绝缘体上硅（SOI）技术，包括来自ARM的SOI标准芯片库。IBM在美国的SOI制造产能将得到来自特许半导体45nm SOI工艺产能的补充。
  • 离子束系统用于MRAM和CMOS金属栅极应用
  • 金属和介质薄膜被用于各种各样的半导体器件之应用，包括了电晶体栅极堆积、存储元件成形、器件内部连接之金属化和绝缘层。
  • ISMI制定450mm晶圆和下一代Fab线路图
  • 尽管目前面临经济不景气，450mm晶圆工作组仍在计划一条工艺验证线，而下一代晶圆厂(NGF)规划也正瞄准300mm晶圆厂的生产周期的改进和绿色制造，包括对12片晶圆批次的支持，在德…
降低双重图形光刻的成本
降低双重图形光刻的成本
一种低成本DP方案与采用两次光刻两次刻蚀的标准DP一样，也可以获得32nm线条和特征尺寸。新的DP…［详细］
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  • 应用材料打开薄膜太阳能电池成长空间

  • 应用材料打开薄膜太阳能电池成长空间

    两年前，应用材料收购Applied Films，成功进入太阳能电池及相关设备市场，一年前，应用材料推出薄膜太阳能电池组件生产线Sunfab，改写了薄膜太阳能电池面板的尺寸，而…

  • 20081124：光刻

    不改变光刻波长实现45nm半节距；超高数值孔径镜头面临的挑战；双重图形填补光刻技…

    20081118:晶圆工艺

    分子碳掺杂源；鼓式混合机：红外激光修复系统……

    20081117：晶圆工艺

    光刻胶去胶难度渐增；IMEC的3-D堆叠芯片和系统设计：面向特殊市场的专业化代工厂…

    20081112：精华文章

    Foundry，从垂直分工向垂直整合演进；晶圆清洗与表面预处理：从演变到革新；薄膜太…
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