• 博弈的光刻技术面临的难题
  • 两天的先进光刻技术学术报告后,在Sematech Litho Forum举行的小组讨论会上,与会的专家们针对包括极紫外光刻技术(EUV)、双重成像技术、高折射率浸没式光刻技术、纳米压印技术以及无掩膜版电子束成像…
  • ASML介绍更快的ArF扫描机,EUV光刻2010年实现量…
  • 近日在荷兰Veldhoven举办的研究回顾会议上,ASML公司表示,相对于上代光刻扫描机,Twinscan浸没式光刻系统在性能和产能上获得了极大的提升。通过结合更快的平台技术和更强的光源…
  • Intel:2011年前EUV无法在22nm大展拳脚
  • Intel逻辑技术研发部(Hillsboro, Ore.)工艺架构和集成主管Mark Bohr介绍说,当开始计划生产22nm的微处理器产品时,Intel Corp. (Santa Clara, Calif.)认为在2011年前极紫外(EUV)光刻技术都不会是…
  • EUV掩膜版清洗—Intel的解决之道
  • 对于极紫外(EUV)光刻技术而言,掩膜版相关的一系列问题是其发展道路上必须跨越的鸿沟,而在这些之中又以如何解决掩膜版表面多层抗反射膜的污染问题最为关键。自然界中普遍存在…
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  • 应用材料打开薄膜太阳能电池成长空间
  • 应用材料打开薄膜太阳能电池成长空间

    两年前,应用材料收购Applied Films,成功进入太阳能电池及相关设备市场,一年前,应用材料推出薄膜太阳能电池组件生产线Sunfab,改写了薄膜太阳能电池面板的尺寸,而…
  • 20081118:晶圆工艺

    分子碳掺杂源;鼓式混合机:红外激光修复系统……

    20081117:晶圆工艺

    光刻胶去胶难度渐增;IMEC的3-D堆叠芯片和系统设计:面向特殊市场的专业化代工厂…

    20081112:精华文章

    Foundry,从垂直分工向垂直整合演进;晶圆清洗与表面预处理:从演变到革新;薄膜太…

    20081110:太阳能光伏

    SPM测出太阳能电池的杂质分布;IMEC新发现延长有机太阳能电池寿命;新型膜材料…
《半导体国际》是全球半导体制造技术领域最权威、发行量最大的刊物, 已拥有超过二十五年的历史, 由全球领先的锐德出版集团出版。
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