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博弈的光刻技术面临的难题
两天的先进光刻技术学术报告后,在Sematech Litho Forum举行的小组讨论会上,与会的专家们针对包括极紫外光刻技术(EUV)、双重成像技术、高折射率浸没式光刻技术、纳米压印技术以及无掩膜版电子束成像…
技术文章
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ASML介绍更快的ArF扫描机,EUV光刻2010年实现量…
近日在荷兰Veldhoven举办的研究回顾会议上,ASML公司表示,相对于上代光刻扫描机,Twinscan浸没式光刻系统在性能和产能上获得了极大的提升。通过结合更快的平台技术和更强的光源…
Intel:2011年前EUV无法在22nm大展拳脚
Intel逻辑技术研发部(Hillsboro, Ore.)工艺架构和集成主管Mark Bohr介绍说,当开始计划生产22nm的微处理器产品时,Intel Corp. (Santa Clara, Calif.)认为在2011年前极紫外(EUV)光刻技术都不会是…
EUV掩膜版清洗—Intel的解决之道
对于极紫外(EUV)光刻技术而言,掩膜版相关的一系列问题是其发展道路上必须跨越的鸿沟,而在这些之中又以如何解决掩膜版表面多层抗反射膜的污染问题最为关键。自然界中普遍存在…
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价格暴跌金融危机冲击 台湾存储芯片业危在旦夕
台湾地区存储芯片行业曾经傲视全球,但在价格暴跌、全球金融危机冲击下,已处于极度危险之中。[
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台积公司领先量产40纳米制程 促进客户创新
台积公司(17)日表示,40纳米泛用型(40G)及40纳米低耗电(40LP)制程正式进入量产,成为专业…[
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普华永道调查显示中国大陆消费世界三分之一的半导体
2008年11月18日 ---- 普华永道今日发布的《中国对半导体行业的影响:2008最新分析》报告表明,中国市…[
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iSuppli指出2009年光伏原材料价格将骤降
iSuppli Corp.日前指出,由于太阳能电池供应链供需不平衡,在2009年及随后几年内,太阳能电池用多晶…[
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面对产业低迷,要有化危机为转机的信心
11月6日,SEMI China举办了媒体沙龙,邀请了应用材料市场部高级顾问莫大康、上海市集成电路行业协…[
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特许半导体CEO将低调访台 或与联电合并
新加坡特许半导体CEO谢松辉(Chia Song Hwee)将于下周低调访问台湾同行,而此行的目的据称是与当地晶…[
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IMEC将在2010年上半年制预投产EUV光刻机
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New:杂志及网站读者调查(有奖)
为答谢您对我们调查工作的支持与帮助,我们特为前100名完整答题的读者提供一份价…
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ASML快速提升浸没式光刻机能力至38nm
针对38nm存储器和32nm逻辑芯片产品的量产化制造,荷兰光刻巨头ASML日前展示了其Twinscan XT:1950i光刻系统,采用1.35NA(数值孔径)的镜头,通过提高套刻精度、分…
电子束光刻工具
nB3是一款高性能电子束光刻工具,主要用于满足小规模产量的200 mm晶圆半导体器件。该工具融合了55 MHz束偏转、快速束设置、杰出的机械刚度和快速机台移动功能,能…
涂胶/显影系统
RF3T是一款转速可达200 wph的涂胶/显影轨道系统,主要用于全程光刻应用。该系统的特征是额外的平行工艺模块以及更高的晶圆周转效率。
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在线研讨会:后道互连工艺技术…
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封装与材料技术研讨会2007
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第五届晶圆清洗技术研讨会
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《半导体国际》2008年研讨会预…
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封装与材料技术研讨会现场视频
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德技和Kureha公司合资成立Krefine,提供静…
Kureha公司与台湾德技股份有限公司携手在东京成立了新的公司Krefine于今日宣布正式开始营业。它们的结合,大幅度提高了技术服务的应对能力,也加快了在电子设备生产…
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应用材料打开薄膜太阳能电池成长空间
两年前,应用材料收购Applied Films,成功进入太阳能电池及相关设备市场,一年前,应用材料推出薄膜太阳能电池组件生产线Sunfab,改写了薄膜太阳能电池面板的尺寸,而…
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20081118:晶圆工艺
分子碳掺杂源;鼓式混合机:红外激光修复系统……
20081117:晶圆工艺
光刻胶去胶难度渐增;IMEC的3-D堆叠芯片和系统设计:面向特殊市场的专业化代工厂…
20081112:精华文章
Foundry,从垂直分工向垂直整合演进;晶圆清洗与表面预处理:从演变到革新;薄膜太…
20081110:太阳能光伏
SPM测出太阳能电池的杂质分布;IMEC新发现延长有机太阳能电池寿命;新型膜材料…
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