• 博弈的光刻技术面临的难题
  • 两天的先进光刻技术学术报告后,在Sematech Litho Forum举行的小组讨论会上,与会的专家们针对包括极紫外光刻技术(EUV)、双重成像技术、高折射率浸没式光刻技术、纳米压印技术以及无掩膜版电子束成像…
  • Intel:2011年前EUV无法在22nm大展拳脚
  • Intel逻辑技术研发部(Hillsboro, Ore.)工艺架构和集成主管Mark Bohr介绍说,当开始计划生产22nm的微处理器产品时,Intel Corp. (Santa Clara, Calif.)认为在2011年前极紫外(EUV)光刻技术都不会是…
  • EUV掩膜版清洗—Intel的解决之道
  • 对于极紫外(EUV)光刻技术而言,掩膜版相关的一系列问题是其发展道路上必须跨越的鸿沟,而在这些之中又以如何解决掩膜版表面多层抗反射膜的污染问题最为关键。自然界中普遍存在…
  • 光刻工艺面临量测挑战
  • 基于国际半导体技术发展路线(ITRS)的预测,如果半导体工业不断提升其产品的复杂度和密集度,那么到2022年,量测技术将面临史无前例的困难和挑战。
1
2
3
4
5
6
  • 20080826:电子中国

    TD,请不要拿老百姓说事;创毅视讯CMMB核心芯片被多家移动终端采用;坤锐电子U…

    20080814:电子中国

    中国版“瓦圣纳协议”要不得;博通集成5.8-GHz无线语音芯片累计出货1000万颗;中国电…

    20080825:IC设计

    异步DSP核心设计:更低功耗,更高性能;消费IC:可靠性设计;增强建模和仿真能力…

    20080818:检测与测量

    线宽量测从容面对32nm;ATE应对90nm及以下节点良率问题;用于先进栅叠层的在线光…
《半导体国际》是全球半导体制造技术领域最权威、发行量最大的刊物, 已拥有超过二十五年的历史, 由全球领先的锐德出版集团出版。
请在下面的输入框中输入您的邮箱地址, 您每周收到由SI给您发送的行业最新咨讯 每周二次,完全免费!
  • 确 定