• 光刻胶去胶难度渐增
  • 无论湿法去胶还是干法去胶,光刻胶去除工艺都需要在低k材料损伤、衬底硅材料损伤与光刻胶和其残余物去除效果之间取得平衡。无论是对于前道还是后道(BEOL)清洗工艺,业界都需要从各个角度去衡…
  • FSI进入单晶圆湿法清洗市场
  • FSI International 宣布将以Orion设备进军单晶圆清洗市场,在32nm及更高节点单晶圆清洗技术的需求将快速增加。单晶圆清洗方案能够减少超浅结离子注入后光刻胶去胶工艺中的材料损失,消…
  • 用于注入后光阻全湿法去除的注入蒸汽的SPM工艺
  • 在集成电路制造中随着光阻层数的增加和可允许的材料损失和表面损伤数的下降, 光阻剥离变得越来越具有挑战性。
  • 一种改善CoSi2簇状缺陷的方法
  • 在高阶制程中,CoSi2工艺已经被广泛应用以形成自对准硅化物.在 CoSi2工艺中,为了形成自对准硅化物,氧化硅先被沉积,然后在需要形成硅化物的地方再被通过蚀刻的方式去除,以漏出用…

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  • 应用材料打开薄膜太阳能电池成长空间
  • 应用材料打开薄膜太阳能电池成长空间

    两年前,应用材料收购Applied Films,成功进入太阳能电池及相关设备市场,一年前,应用材料推出薄膜太阳能电池组件生产线Sunfab,改写了薄膜太阳能电池面板的尺寸,而…
  • 20081118:晶圆工艺

    分子碳掺杂源;鼓式混合机:红外激光修复系统……

    20081117:晶圆工艺

    光刻胶去胶难度渐增;IMEC的3-D堆叠芯片和系统设计:面向特殊市场的专业化代工厂…

    20081112:精华文章

    Foundry,从垂直分工向垂直整合演进;晶圆清洗与表面预处理:从演变到革新;薄膜太…

    20081110:太阳能光伏

    SPM测出太阳能电池的杂质分布;IMEC新发现延长有机太阳能电池寿命;新型膜材料…
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