• 量测推动纳米技术进步
  • 无论是利用MEMS还是碳纳米管，纳米技术的各个方面都需要高端的检测技术来实现制造工艺和器件集成。需要测量传统的CMOS性质的检测技术，但还有其它特性需要测量。比如，对于MEMS，必须利用光…
  • 快速发展的3-D互连
  • 目前有很多颇具吸引力的原因促使我们发展3-D互连结构。在这一挑战下，从晶圆自身出发，提出并采用了众多互连解决方案。从被广泛关注的穿透硅通孔（TSV）技术就可以看出对晶圆级…
  • 自对准阻挡层提高互连的可靠性
  • 一种利用锗掺杂的新型PECVD自对准阻挡层，作为低成本的简单方法，可以提高铜互连对电迁移的抵抗能力。随着摩尔定律的推进，对铜互连抵抗电迁移（EM）的要求不断提高，而满足这…
  • 当务之急是帮助大陆IC设计业走向成熟
  • 《半导体国际》（SI China）日前对话台积电中国区总经理赵应诚，围绕大陆Foundry与Fabless的协同发展话题加以探讨，现摘录TSMC对此的观点及看法与大家分享。
应用材料推出Extensa PVD系统 为存储芯片制造提供关键的铜阻挡层技术
应用材料推出Extensa PVD系统 为存储芯片制造提供关键的铜阻挡层技术
近日，应用材料公司推出Applied Endura® Extensa™ PVD（物理气相沉积）系统，这是业界唯一在…［详细］
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  • Keithley未雨绸缪

  • Keithley未雨绸缪

    创建于1946年的吉时利（Keithley）仪器公司，专注于测试和测量领域，其产品覆盖电子生产加工测试、平板显示器/光电子测试、半导体器件参数测试和晶圆工艺监控、无线…

  • 20080721：清洗

    雾状缺陷每年花费10亿美元，仍被误解；EUV掩膜版清洗—Intel的解决之道；浅结工程…

    20080714：光刻

    Intel：2011年前EUV无法在22nm大展拳脚；纳米压印光刻在CMOS HDD中的快速发展；L…

    20080707：晶圆工艺

    自对准阻挡层提高互连的可靠性；一种用于制造基于穿透硅通孔的三维集成电路之综合…

    20080702：设备与材料

    新型膜材料保护薄膜太阳能电池；Sematech关于锗材料的研究计划；磁学是实现高温超…
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《半导体国际》是全球半导体制造技术领域最权威、发行量最大的刊物, 已拥有超过二十五年的历史, 由全球领先的锐德出版集团出版。
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