• 使用嵌入式有源芯片克服性能瓶颈
  • 在基板的core中嵌入芯片可以将芯片上的引脚几乎扩展到电路板层次，可以帮助克服性能瓶颈，因为采用这种技术之后，从芯片到电路板的互连距离相对变得更短，可以提高信号质量以及电源噪声性能。
  • 快速发展的3-D互连
  • 目前有很多颇具吸引力的原因促使我们发展3-D互连结构。在这一挑战下，从晶圆自身出发，提出并采用了众多互连解决方案。从被广泛关注的穿透硅通孔（TSV）技术就可以看出对晶圆级…
  • 用于3D WLP和3D SIC的穿透硅通孔技术
  • 数家研究小组和公司已经展示了通过芯片叠层和穿透硅通孔（TSV）互连来实现复杂3D芯片的可行性。
  • 3-D IC受价格驱动的渐进演变
  • 尽管从器件角度来讲，3-D集成可以看作某种程度的革命性变革，但IEEE Fellow、北卡微电子咨询公司（北卡罗来纳州Research Triangle Park）的咨询师Phil Garrou所持观点是，该项技术仍是渐进…
应用材料推出Extensa PVD系统 为存储芯片制造提供关键的铜阻挡层技术
应用材料推出Extensa PVD系统 为存储芯片制造提供关键的铜阻挡层技术
近日，应用材料公司推出Applied Endura® Extensa™ PVD（物理气相沉积）系统，这是业界唯一在…［详细］
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  • Keithley未雨绸缪

  • Keithley未雨绸缪

    创建于1946年的吉时利（Keithley）仪器公司，专注于测试和测量领域，其产品覆盖电子生产加工测试、平板显示器/光电子测试、半导体器件参数测试和晶圆工艺监控、无线…

  • 20080721：清洗

    雾状缺陷每年花费10亿美元，仍被误解；EUV掩膜版清洗—Intel的解决之道；浅结工程…

    20080714：光刻

    Intel：2011年前EUV无法在22nm大展拳脚；纳米压印光刻在CMOS HDD中的快速发展；L…

    20080707：晶圆工艺

    自对准阻挡层提高互连的可靠性；一种用于制造基于穿透硅通孔的三维集成电路之综合…

    20080702：设备与材料

    新型膜材料保护薄膜太阳能电池；Sematech关于锗材料的研究计划；磁学是实现高温超…
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