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·ASML宣布Klaus Fuchs辞去EVP Operations　[10-31]
·光刻新技术将摩尔定律延至5nm　[10-28]
·台积电28nm工艺仍将采用液浸ArF曝光，EUV将用于22nm以下工艺　[10-23]
·ASML介绍更快的ArF扫描机，EUV光刻2010年实现量产　[10-22]
·Cadence推出22纳米客制化显影光源优化软件　[10-20]
·IMEC将在2010年上半年制预投产EUV光刻机　[10-20]
·ASML第三季度订单减少低于分析师预测的平均值　[10-17]
·KLA-TENCOR 将WPI技术优势推广到所有光掩膜类型　[10-16]
·Mapper向台积电发货电子束光刻系统用于22nm节点　[10-14]
·KLA-TENCOR推出专门解决EUV光刻挑战的计算光刻工具PROLITHT…　[10-13]
·IBM、Mentor和Toppan共同开发22纳米光源-掩膜版优化　[10-10]
·KLA-TENCOR推出解决EUV光刻挑战的计算光刻工具　[10-10]
·ASML发布NXE系列EUV光刻设备　[10-03]
·IBM, Mentor和Toppan共同开发22纳米光源-掩膜版优化　[09-26]
·关注应特格2008亚洲光刻应用技术研讨会　[09-11]
·台积电揭露32纳米制程时间表盼明年完成核心研发　[09-09]
·德国建立32nm光刻掩膜研发项目　[09-09]
·Sematech EUV光刻胶研发获得22nm分辨率　[09-04]
·IMEC缩减双重图形光刻技术成本　[08-14]
·预计2010年光刻掩膜市场可达38.9亿美元　[08-14]
·日本开发出波长极短的半导体激光　[07-29]
·Heptagon采用EV Group 300mm晶圆光刻机制造MEMS透镜　[07-24]
·Numonyx将65纳米StrataFlash®技术融入嵌入式NOR市场　[07-22]
·芯片设备商ASML第二季订单量反弹　[07-17]
·ASML快速提升浸没式光刻机能力至38nm　[07-17]
·Cymer发布第二代GLX2™控制系统大大缩短了光刻光源气体交换…　[07-16]
·MIT突破光刻技术极限制造出25nm工艺沟道　[07-16]
·美国研究人员极紫外光刻技术研发取得突破　[07-11]
·KLA-Tencor 推出可解决二次成像挑战的首款计算光刻机　[07-11]
·罗门哈斯浸没式光刻材料研发设施投入使用　[07-10]

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