• EUV掩膜版清洗—Intel的解决之道
  • 对于极紫外（EUV）光刻技术而言，掩膜版相关的一系列问题是其发展道路上必须跨越的鸿沟，而在这些之中又以如何解决掩膜版表面多层抗反射膜的污染问题最为关键。自然界中普遍存在的碳和氧元素对…
  • Intel：2011年前EUV无法在22nm大展拳脚
  • Intel逻辑技术研发部(Hillsboro, Ore.)工艺架构和集成主管Mark Bohr介绍说，当开始计划生产22nm的微处理器产品时，Intel Corp. (Santa Clara, Calif.)认为在2011年前极紫外（EUV）光刻技术都不会是…
  • 光刻工艺面临量测挑战
  • 基于国际半导体技术发展路线（ITRS）的预测，如果半导体工业不断提升其产品的复杂度和密集度，那么到2022年，量测技术将面临史无前例的困难和挑战。
  • LuAG高折射率材料获得突破性进展
  • 尽管在45nm技术节点上，绝大部分的芯片制造商都将采用浸没式光刻技术，但是对于32nm而言，哪一种技术才是最佳选择目前还没有定论。其中，一种可能的解决方案就是采用高折射率材…
应用材料推出Extensa PVD系统 为存储芯片制造提供关键的铜阻挡层技术
应用材料推出Extensa PVD系统 为存储芯片制造提供关键的铜阻挡层技术
近日，应用材料公司推出Applied Endura® Extensa™ PVD（物理气相沉积）系统，这是业界唯一在…［详细］
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  • Keithley未雨绸缪

  • Keithley未雨绸缪

    创建于1946年的吉时利（Keithley）仪器公司，专注于测试和测量领域，其产品覆盖电子生产加工测试、平板显示器/光电子测试、半导体器件参数测试和晶圆工艺监控、无线…

  • 20080721：清洗

    雾状缺陷每年花费10亿美元，仍被误解；EUV掩膜版清洗—Intel的解决之道；浅结工程…

    20080714：光刻

    Intel：2011年前EUV无法在22nm大展拳脚；纳米压印光刻在CMOS HDD中的快速发展；L…

    20080707：晶圆工艺

    自对准阻挡层提高互连的可靠性；一种用于制造基于穿透硅通孔的三维集成电路之综合…

    20080702：设备与材料

    新型膜材料保护薄膜太阳能电池；Sematech关于锗材料的研究计划；磁学是实现高温超…
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