1 本 周 专 题：设备与材料
责任编辑：贾秀华| 2008年7月2日 星期三
2 专题文章
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作者：Aaron Hand, Executive Editor -- Semiconductor International 来自新加坡材料研究和工程研究所（IMRE）的科学家开发了一种阻挡层薄膜，可用于像低成本太阳能电池、柔性显示器和有机发光二极管（OLED）中，显著提高这类塑料电子器件的寿命。同当前其他方案相比，这种新技术可将器件抵抗潮湿的能力提高1000倍…… |
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作者：Peter Singer, Semiconductor International主编 Sematech公司制定了一项计划，研究MOSFET沟道Si（硅）的替代材料。Sematech公司前道工艺（FEP）部门将重点研究SiGe和Ge作为沟道材料的可用性，并重视工艺技术的开发，希望在不牺牲可靠性的前提下增强迁移率…… |
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作者：Peter Singer, Semiconductor International 主编 工作于美国商务部国家标准和科技机构(National Institute of Standards and Technology， NIST) 中子研究中心 (NCNR)科学家联合田纳西大学 (UT) 和橡树岭国家实验室（Oak Ridge National Laboratory，ORNL)的物理学家们发表报告，有力证明了磁的波动是配对电子通用机理的关键，能使高温超导体中的电流无阻抗通过…… |
3技术前沿
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作者：Mohith Verghese,ASM America Inc.；Scott Battle,Jeff Roeder,ATMI Inc. 在生产中引入高介电常数绝缘材料/金属栅电极结构，需要采用全新的制造技术，前驱物和输运系统推动了铪基材料栅极绝缘层的应用。ALD技术也促进了新一代栅电极材料的推广和应用…… |
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