New Developments and Opportunities in Photolithography in 2006
2006年光刻技术新进展：机遇与挑战

1. 193nm浸没式光刻作为进来光刻技术热门话题，取得了一定的进展，设备厂商如ASML、Nikon等发布了相关工具。2. 光刻胶的性能，仿真的精度，193nm浸没式光刻技术中的光刻胶酸度的量测；气相和液相中UV光化学反应对光刻影响。3. 3D散射对掩膜版的影响；45nm技术节点下，掩膜的CD尺寸为45x4=180nm，低于193nm光波长，光掩膜厚度不能被忽略，开口边缘的散射显得很重要。4. 65nm、45nm及更高技术节点，DFM作用更突出，，需要更多精确的光刻模型。5. 光刻光学量测方法的发展；光学扫描镜头设计的发展；相位测量法测量光刻胶线的侧移；更高技术节点需要更好的量测方法，并用于DFM。6. EUV光刻技术的新进展，32nm光刻技术解决方案。

New Fabs Cost $3 Billion (US) to Build. Downtime is $800,000/hr. Why would You not Use Spectra Gases?

1. 移动PC、电话和视频游戏持续驱动半导体工业的发展，晶圆厂的利用率保持在90%以上。DRAM和NAND需求刺激300mm晶圆厂，65nm生产上线，激光产品保持在高的需求量。2. 建造新的300mm晶圆厂成本超过30亿美元，当机利润损失为80万美元/小时，高质量的气体供应减少当机时间。3. ArF和KrF光刻光源的生存状况；光刻气体的质量直接影响到激光的性能。4. 高质量的光刻气体需要严格的净化工艺、传输处理、储存处理、分析技术，气体保障包括时间和压力的保证，以及需要更广泛的污染物和稳定性的研究。

New alignment strategy for Sub-110nm Memory Lithography
110nm技术节点以下存储器新的光刻掩膜对准方法

1. 设计规则随技术工艺节点向下走，需要更严格的CD尺寸和OL特征参数。
2. 分析SiN基板上涂层性能，对比补偿前后M+3σ值和残胶M+3σ值。
3. 十字刻线中央的对准记号放置影响区域内部涂层的性能。

Optimized Filter Priming Method to Minimize Maintenance Downtime
优化过滤器排泡过程减少维护保养的停机时间

1. 半导体关键尺寸逐渐变小，要把缺陷密度控制在很低范围，可以在使用点终端使用小孔径的过滤器。2. 减少过滤器的排泡时间将会减少维护保养的时间和节省光刻化学试剂的消耗量，可以显著减低成本。3. 安装新过滤器，有3个区域需排泡：过滤器膜上游端；过滤器膜下游端；过滤器膜本身。4. 采用两级泵允许过滤和喷胶步骤分开；采用有效的方式“prime to vent“和”prime to purge“，使化学试剂进入过滤器，优化排泡过程和有效性。

Immersion Lithography Defectivity and Its Improvements
浸没式光刻中的缺陷检测及其改进方法

1. 浸没式光刻技术发展的概况
2. 目前工艺技术下，光刻缺陷的挑战；光刻胶的性能、光刻胶与浸没液体介质的反应、机台的操作、机台参数等都会导致光刻缺陷的产生。
3. 65nm和45nm技术节点下，浸没式光刻工艺中缺陷检测变得困难；KLA-Tencor机台对于光刻缺陷检测的帮助。
4. 浸没式光刻技术中缺陷的管理策略。

Poly CDU Study of 65nm Process on High NA ArF Scanner
关于高NA ArF扫描仪65nm工艺Poly CDU研究

1. 随着CD尺寸紧缩，Poly CD的控制越来越重要，尤其对于逻辑器件。
2. 多种因素影响Poly CD尺寸：掩膜版、扫描光源、聚焦点、投影镜头、激光源、曝光后烘烤、光刻胶等等。
3. 采用特殊工艺以更好控制Poly CDU，需要理解每个可能因素的影响。
4. 采集晶圆级数据所需时间较长，各种因素容易参杂混淆；根据相关因素采用仿真软件模拟Poly CD变化，快速并节省成本。

Surface Conditioners for Line Edge Roughness and Pattern Collapse Reduction
采用表面调节以减少线边粗糙和图形缺陷

1. 后曝光工艺流程中，在去离子水清洗和干燥工序中插入表面处理工序。
2. OptiPattern 能够显著减少多层193nm光刻胶系统中的图形缺陷，但对LWR影响甚微；OptiPattern Smooth可以提供独立的表面调节装置，同时减少图形缺陷和LWR。
3. 通过实验数据，对比采用去离子水、OptiPattern? Smooth (93J5)、OptiPattern? Smooth (93J9)表面处理的不同效果。

Lithography Solutions to Sub-65nm Contacts
65nm技术节点以下光刻解决方案

1. 国际半导体技术蓝图（ITRS）规划出半导体技术发展线路，存储器、MPU、逻辑器件特征尺寸不断缩小，光刻技术面临更高要求和挑战。
2. 针对65nm技术节点及以下ASML的解决方案：新一代的曝光系统（1.20, 1.35NA）；照明成形（Bull Eye）；十字刻线增强（IML）；双重曝光；Focus Drilling;辅助狭槽方案等等。
3. 需要不断的研究以寻找更好的图形成像技术；更紧密地设计来节省DOF预算。